Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний
Дата сдачи: 2020
Преподаватель:Савиных В.Л.
Дата сдачи: 2020
Преподаватель:Савиных В.Л.
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Roma967
: 7 декабря 2015
Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
250 руб.
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
te86
: 9 сентября 2012
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элем
80 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Билет № 17
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
150 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Студенткааа
: 16 января 2019
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
100 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
freelancer
: 16 апреля 2016
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
mirsan
: 24 января 2015
Билет № 3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
300 руб.
Другие работы
Новое об амерах Демокрита и новое о многих тайнах микромира
Lokard
: 10 августа 2013
Каждый физик понимает, что знания свойств первовещества или знание свойств агентов электрического и магнитного полей станут ключом к познанию всех глубочайших тайн природы. Эти знания можно получить следующим образом.
В науке известна гипотеза Демокрита о том, что весь материальный мир построен природой из атомов: неделимых абсолютно твёрдых частиц. То есть все поля, все элементарные частицы и все явления макромира построены природой из атомов Демокрита.
В наше время эта гипотеза интуитивно счит
5 руб.
ГОСТ 17515-72. Провода монтажные с пластмассовой изоляцией.Технические условия
alfFRED
: 26 июня 2013
Настоящий стандарт распространяется на монтажные провода с жилами из медных или медных луженых проволок с изоляцией из поливинилхлоридного пластиката и с жилами из медных луженых проволок с изоляцией из полиэтилена, в капроновой оболочке или без оболочки с экраном или без экрана.
Провода предназначены для работы при номинальном переменном напряжении 600 и 1000 В частоты до 10000 Гц и постоянном напряжении 840 и 1400 В соответственно в цепях электрических устройств общепромышленного применения
5 руб.
Крюк-Деталь-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 26 сентября 2023
Крюк-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
119 руб.
Экзамен по дисциплине: Проектирование защищенных телекоммуникационных систем (компьютерных сетей). Билет №10
IT-STUDHELP
: 15 апреля 2023
Билет №10
1. Содержание и требования к оформлению документа «Справочник по аварийной сигнализации»
2. В соответствии с рекомендацией МСЭ-Т X.805 раскройте суть измерения защиты «Сохранность информации».
3. Содержание и требования к оформлению документа «Спецификация оборудования и программных средств» (ГОСТ 2.106 – 95).
=============================================
300 руб.