Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Билет 3.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.

2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.

Дополнительная информация

Зачет без замечаний
Дата сдачи: 2020
Преподаватель:Савиных В.Л.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Билет №3 1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User Roma967 : 7 декабря 2015
250 руб.
promo
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ... 2. Аналитический расчет параметров усилительного режима. Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы: 1. Выбор транзистора и элем
User te86 : 9 сентября 2012
80 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
Билет № 17 Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ). Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
User Jack : 30 марта 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User freelancer : 16 апреля 2016
100 руб.
promo
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
Билет № 3 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User mirsan : 24 января 2015
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
Билет № 8 1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры. 2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
User SibGOODy : 23 августа 2024
300 руб.
Новое об амерах Демокрита и новое о многих тайнах микромира
Каждый физик понимает, что знания свойств первовещества или знание свойств агентов электрического и магнитного полей станут ключом к познанию всех глубочайших тайн природы. Эти знания можно получить следующим образом. В науке известна гипотеза Демокрита о том, что весь материальный мир построен природой из атомов: неделимых абсолютно твёрдых частиц. То есть все поля, все элементарные частицы и все явления макромира построены природой из атомов Демокрита. В наше время эта гипотеза интуитивно счит
User Lokard : 10 августа 2013
5 руб.
ГОСТ 17515-72. Провода монтажные с пластмассовой изоляцией.Технические условия
Настоящий стандарт распространяется на монтажные провода с жилами из медных или медных луженых проволок с изоляцией из поливинилхлоридного пластиката и с жилами из медных луженых проволок с изоляцией из полиэтилена, в капроновой оболочке или без оболочки с экраном или без экрана. Провода предназначены для работы при номинальном переменном напряжении 600 и 1000 В частоты до 10000 Гц и постоянном напряжении 840 и 1400 В соответственно в цепях электрических устройств общепромышленного применения
User alfFRED : 26 июня 2013
5 руб.
Крюк-Деталь-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Крюк-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
User nakonechnyy_lelya@mail.ru : 26 сентября 2023
119 руб.
Крюк-Деталь-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Экзамен по дисциплине: Проектирование защищенных телекоммуникационных систем (компьютерных сетей). Билет №10
Билет №10 1. Содержание и требования к оформлению документа «Справочник по аварийной сигнализации» 2. В соответствии с рекомендацией МСЭ-Т X.805 раскройте суть измерения защиты «Сохранность информации». 3. Содержание и требования к оформлению документа «Спецификация оборудования и программных средств» (ГОСТ 2.106 – 95). =============================================
User IT-STUDHELP : 15 апреля 2023
300 руб.
promo
up Наверх