Лабораторные работы №№1-3. Физические основы электроники. Вариант 10

Цена:
800 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 870A5850-3CD3-4B56-988A-1BA363130309.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лаб.работы 1-3 Вариант 10
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лабораторная работа №1.doc [ 294 KB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лабораторная работа №2.doc [ 2 MB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лабораторная работа №3.doc [ 170 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ЛР 1- Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР 2- Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
ЛР 3-Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Принято без замечаний 2019

Похожие материалы

Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.

Другие работы

Расчет аналоговых и дискретных устройств связи. Вариант №59
Вариант 59 Оценка: отлично Вся работа посчитана в mathcad (все графики оттуда же) Схема и спецификация прилагаются
Теория электрических цепей СибГУТИ Работа Курсовая
User b1nom : 22 января 2018
970 руб.
Расчет аналоговых и дискретных устройств связи. Вариант №59
ООН: международно-правовой аспект
Актуальность темы дипломной работы. Международные организации – сравнительно «молодой» субъект международных отношений. Очень немногие из них отметили столетние юбилеи. Процесс создания и развития международных организаций привел к созданию широкой, взаимно пересекающейся системы этих организаций, которая имеет свою логику развития и одновременно отражает противоречивость и взаимозависимость международных отношений. Мир находится на переломном этапе своего развития и формирования нового типа цив
Диплом и связанное с ним Международные отношения и мировая экономика
User OstVER : 10 сентября 2013
5 руб.
Технологии управления государственными и муниципальными финансами.фмен_БАК / Занятие 1-3 / Сборник всех правильных ответов на отлично! 100/100
Технологии управления государственными и муниципальными финансами УЧЕБНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Технологии управления государственными и муниципальными финансами.фмен_БАК Занятие 1 Занятие 2 Занятие 3 Литература В какой из ниже перечисленных областей могут использоваться муниципальные облигации? Тип ответа: Одиночный выбор Исключительно для покрытия дефицита бюджета Финансирование капитальных затрат на строительство и реконструкцию объектов муниципального значения Только для выплаты зарплаты муниципальн
Государственное и муниципальное управление МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тесты
User Скиталец : 22 августа 2024
290 руб.
Курсовая работа по предмету "Основы криптографии" Вариант №13
Доказательства с нулевым знанием Задание: Выполнить компьютерную реализацию протокола «Задачи о нахождении гамильтонова цикла в графе», используя пример 6.2 (стр. 124 лекций). Номер варианта Z равен последней цифре номера пароля. Параметры, выбираемые по варианту Z: 1) Случайную нумерацию вершин, используемую в алгоритме (изначально в примере она равна 7 4 5 3 1 2 8 6), необходимо изменить по формуле ((a+Z)mod 9), где a – это цифра исходной последовательности случайных номеров вершин. 2) Необход
ДО СИБГУТИ Основы криптографии Работа Курсовая
User ZhmurovaUlia : 7 февраля 2019
120 руб.
Курсовая работа по предмету "Основы криптографии" Вариант №13
up Наверх