Лабораторные работы №№1-3. Физические основы электроники. Вариант 10

Цена:
800 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 870A5850-3CD3-4B56-988A-1BA363130309.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лаб.работы 1-3 Вариант 10
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лабораторная работа №1.doc [ 294 KB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лабораторная работа №2.doc [ 2 MB ]
material.view.file_icon Физические основы электроники_Лабораторная работа №3.doc [ 170 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ЛР 1- Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР 2- Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
ЛР 3-Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Принято без замечаний 2019

Похожие материалы

Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.

Другие работы

Лабораторная работа № 5 по дисциплине: Вычислительная математика. Вариант №7
Лабораторная работа № 5 Написать программу для нахождения максимального значения функции на отрезке [0, 0.5] методом золотого сечения с точностью 0.0001. Считается, что требуемая точность достигнута, если выполняется условие , (e – заданная точность, ak, bk – границы интервала неопределенности, k = 0,1,2,… ), при этом, , N – последняя цифра пароля = 7.
СибГУТИ Работа Лабораторная Вычислительная математика
User Jack : 28 ноября 2014
250 руб.
Окружающая среда в Европе на пороге нового тысячелетия
Стихийные и техногенные угрозы........................................... 3 Важнейшие выводы.................................................................. 3 1. Катастрофы не прекращаются....................................... 3 1.1. Мы все рискуем............................................................... 4 1.2.Единая линия поведения................................................ 5 1.3. Некоторые особо опасные типы угроз........................ 5 1.3.1. Радиоционные источники..........
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User elementpio : 16 марта 2013
Курсовая работа по дисциплине: Алгоритмы и вычислительные методы оптимизации. Вариант № 3
Задание Вариант №3 10 30 42 2 3 3 1 4 8 4 3 4,8,10,14 1. Перейти к канонической форме задачи линейного программирования. 2. Написать программу, решающую задачу линейного программирования в канонической форме симплекс-методом с выводом всех промежуточных симплексных таблиц. 3. Решить исходную задачу графически и отметить на чертеже точки, соответствующие симплексным таблицам, полученным при выполнении программы из п.1. 4. Составить двойственную задачу к исходной и найти ее решение на основа
Алгоритмы и вычислительные методы оптимизации СибГУТИ Работа Курсовая
User IT-STUDHELP : 11 апреля 2021
800 руб.
promo
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 54 Вариант 3
Определить требуемые площади поверхностей прямоточного и противоточного теплообменников для охлаждения масла в количестве Gм=0,93 кг/c от t′м=65 ºС до t″м=55 ºС. Расход охлаждающей воды Gω=0,55 кг/c, а ее температура на входе теплообменника t′ω. Расчетный коэффициент теплопередачи k. Теплоемкость масла см=2,5 кДж/(кг·К). Теплоемкость воды сω=4,19 кДж/(кг·К). Изобразить графики изменения температур воды и масла в теплообменнике.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 15 ноября 2025
200 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 54 Вариант 3
up Наверх