Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №10

Цена:
450 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Физические основы электроники_Контрольная работа.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задания в скриншотах

Дополнительная информация

Зачтена без замечаний, 2019
50 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники вариант 10
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Контрольная работа по курсу ФОЭ «Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов» Цель работы a) Научиться рассчитывать параметры диодов. b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам. c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств. Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3 Вариант: 10 Тип диода VD: ГД402А R,Ом: 7,5 U,В: 0,9 Задание 1 Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
User Учеба "Под ключ" : 3 февраля 2018
600 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Задача 2. Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1. Задача №3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента пер
User 2pqp : 7 декабря 2012
50 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10.
1 Постановка задачи Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц H К, пс 0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210 На рисунке 1 представлены статические характеристики биполярного транзистора КТ605А. Рисунок 1 - Статические характеристики биполярного транзистора КТ605А По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эми
User ДО Сибгути : 24 марта 2016
100 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10. promo
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Обрунтування проекту підвищення ефективності використання ресурсного потенціалу підприємства
ВСТУП РОЗДІЛ 1 ТЕОРЕТИКО-МЕТОДОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ОЦІНКИ РЕСУРСНОГО ПОТЕНЦІАЛУ ПІДПРИЄМСТВА 1.1 Сутнісна характеристика потенціалу підприємства та його структура 1.2 Характеристики рівня ресурсного потенціалу підприємства 1.3 Методичні підходи оцінки стану і результативності використання ресурсного потенціалу підприємства РОЗДІЛ 2 АНАЛІЗ СТАНУ ТА ДИНАМІКИ РЕСУРСНОГО ПОТЕНЦІАЛУ ПІДПРИЄМСТВА ВАТ “КИЇВМЕДПРЕПАРАТ” 2.1 Загальна характеристики діяльності підприємства ВАТ “Київмедпрепарат” 2.2 Оцінк
User Qiwir : 27 октября 2013
10 руб.
Печатный узел в модульном исполнении. Вариант №3. Графическая работа № 8.
Чертежи в автокаде, есть сборочный чертеж модулятора, спецификация, чертежи заготовки платы, ручки, вилки и панели
User Laguz : 3 декабря 2014
100 руб.
Печатный узел в модульном исполнении. Вариант №3. Графическая работа № 8.
Кейс-задание по дисциплине: Социально-педагогическая поддержка детей, подвергшихся насилию. Вариант 1.
Ситуация 1 Лена 14 лет, дочь учительницы английского языка учится в этой же школе, в 9 классе. На перемене она громко рыдает в туалете, стоя у подоконника. Одноклассницы стоят тут же, причесываются, подкрашиваются, никто не пытается ее успокоить. Девочка из 8 класса, испуганно глядя на сильно покрасневшее лицо Лены, по которому пробегают судороги, шепотом спрашивает, что случилось. Девчонки спокойно отвечают: "Получила "четверку" за контрольную по математике, а ее мама сильно ругает за "четве
User Infanta : 25 марта 2026
700 руб.
Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Си. Вариант №9. Лабораторная работа №1 Программирование алгоритмов линейной и разветвляющейся структуры.
Задание 1. Составьте и выполните программу линейной структуры согласно вариантам задания. Варианты задания 9. x=4y2 /( 4y ez - 2t3) при t=1 ; z=3; y=sin t. Задание 2. Составьте программы разветвляющейся структуры согласно вариантам задания (используя IF) Варианты задания 2 Даны четыре числа. Найти разность между наибольшим и наименьшим среди них. Задание 3. Составьте программы разветвляющейся структуры согласно вариантам задания (используя SWITCH) . Варианты задания 3 9) В китайском гороскопе го
User 3а0чник : 21 января 2016
35 руб.
up Наверх