Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №10
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задания в скриншотах
Дополнительная информация
Зачтена без замечаний, 2019
Похожие материалы
Контрольная работа по физическим основам электроники вариант 10
Ameniya
: 25 августа 2017
Вариант задания к задачам №1; 2; 3 - 0; Вариант задания к задаче №4 - 1
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Контрольная работа по курсу ФОЭ
«Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов»
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 10
Тип диода VD: ГД402А
R,Ом: 7,5
U,В: 0,9
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10
Учеба "Под ключ"
: 3 февраля 2018
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
600 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
2pqp
: 7 декабря 2012
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента пер
50 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10.
ДО Сибгути
: 24 марта 2016
1 Постановка задачи
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц H К, пс
0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210
На рисунке 1 представлены статические характеристики биполярного транзистора КТ605А.
Рисунок 1 - Статические характеристики биполярного транзистора КТ605А
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эми
100 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
120 руб.
Другие работы
Обрунтування проекту підвищення ефективності використання ресурсного потенціалу підприємства
Qiwir
: 27 октября 2013
ВСТУП
РОЗДІЛ 1 ТЕОРЕТИКО-МЕТОДОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ОЦІНКИ РЕСУРСНОГО ПОТЕНЦІАЛУ ПІДПРИЄМСТВА
1.1 Сутнісна характеристика потенціалу підприємства та його структура
1.2 Характеристики рівня ресурсного потенціалу підприємства
1.3 Методичні підходи оцінки стану і результативності використання ресурсного потенціалу підприємства
РОЗДІЛ 2 АНАЛІЗ СТАНУ ТА ДИНАМІКИ РЕСУРСНОГО ПОТЕНЦІАЛУ ПІДПРИЄМСТВА ВАТ “КИЇВМЕДПРЕПАРАТ”
2.1 Загальна характеристики діяльності підприємства ВАТ “Київмедпрепарат”
2.2 Оцінк
10 руб.
Печатный узел в модульном исполнении. Вариант №3. Графическая работа № 8.
Laguz
: 3 декабря 2014
Чертежи в автокаде, есть сборочный чертеж модулятора, спецификация, чертежи заготовки платы, ручки, вилки и панели
100 руб.
Кейс-задание по дисциплине: Социально-педагогическая поддержка детей, подвергшихся насилию. Вариант 1.
Infanta
: 25 марта 2026
Ситуация 1
Лена 14 лет, дочь учительницы английского языка учится в этой же школе, в 9 классе. На перемене она громко рыдает в туалете, стоя у подоконника. Одноклассницы стоят тут же, причесываются, подкрашиваются, никто не пытается ее успокоить. Девочка из 8 класса, испуганно глядя на сильно покрасневшее лицо Лены, по которому пробегают судороги, шепотом спрашивает, что случилось. Девчонки спокойно отвечают: "Получила "четверку" за контрольную по математике, а ее мама сильно ругает за "четве
700 руб.
Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Си. Вариант №9. Лабораторная работа №1 Программирование алгоритмов линейной и разветвляющейся структуры.
3а0чник
: 21 января 2016
Задание 1. Составьте и выполните программу линейной структуры согласно вариантам задания.
Варианты задания
9. x=4y2 /( 4y ez - 2t3) при t=1 ; z=3; y=sin t.
Задание 2. Составьте программы разветвляющейся структуры согласно вариантам задания (используя IF)
Варианты задания 2
Даны четыре числа. Найти разность между наибольшим и наименьшим среди них.
Задание 3. Составьте программы разветвляющейся структуры согласно вариантам задания (используя SWITCH) .
Варианты задания 3
9) В китайском гороскопе го
35 руб.