Электроника Лабораторные 1-2 Исследование характеристик и параметров операционного усилителя
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
20.04.2021
-
Размер:
239 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
Lezvix
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 1 Электроника.docx
|
|
Лабораторная работа 2 Электроника.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Исследование характеристик и параметров операционного усилителя
Исследование логических интегральных микросхем
на полевых транзисторах
Исследование логических интегральных микросхем
на полевых транзисторах
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
merzavec
: 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
maromash
: 30 марта 2013
350 руб.
Другие работы
Технологическая схема и принципиальная схема КиА реакторного отделения и сепарации-Комплекс замедленного коксования Блок гидроочистки дистиллятов Технологическая схема и принципиальная схема КиА реакторного отделения и сепарации ООО "РН -Комсомольский НПЗ
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 16 ноября 2022
Технологическая схема и принципиальная схема КиА реакторного отделения и сепарации-Комплекс замедленного коксования Блок гидроочистки дистиллятов Технологическая схема и принципиальная схема КиА реакторного отделения и сепарации ООО "РН -Комсомольский НПЗ"
технологическая схема реакторного блока гидроочистки дизельного топлива,используется для ознакомления с установкой годт. Относится к комплексу замедленного коксования , блока гидроочистки дистиллятов.
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 16 ноября 2022
417 руб.
Место таможенных союзов в мировой интеграции государств
evelin
: 10 сентября 2013
Содержание
Введение
1. Таможенный союз: история, признаки и последствия создания
1.1. Таможенные союзы в мировой истории
1.2. Экономические последствия создания таможенного союза
2. Таможенный союз как этап мировой интеграции
3. Перспективы существования таможенного союза на примере сотрудничества России и Белоруссии
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Экономические потрясения, возникающие в последние годы то в одной, то в другой стране на постсоветском пространстве
evelin
: 10 сентября 2013
5 руб.
Психологические нарушения развития у детей
Qiwir
: 11 октября 2013
Задача1.
Наташа С, 3 года, обследуется в условиях психиатрического стационара с целью установления места дальнейшего пребывания.
Из истории болезни видно, что мать оставила ребенка в родильном доме, отец неизвестен. В течение первого года жизни Наташа страдала рахитом, отставала в росте и весе. Перенесла корь, ветряную оспу, два раза пневмонию. При терапевтическом обследовании обнаружены отставание в росте и весе, дисбактериоз. В настоящее время девочка должна быть переведена из Дома ребенка в
Qiwir
: 11 октября 2013
Контрольная работа по физике №3
anderwerty
: 26 октября 2014
1. Чему равен предел разрешения, если числовая апертура равна 0,3?
2. С какой скоростью должен двигаться электрон, что бы его импульс был равен импульсу фотона с длиной волны 500 нм?
3. Через пластинку из прозрачного вещества толщиной 4,2 см проходит половина падающего на неё светового потока. Определите натуральный показатель поглощения данного вещества. Рассеянием света в пластине пренебречь, считая, что 10% падающей энергии отражается от поверхности пластины.
4. Сила тока в рентгеновской труб
anderwerty
: 26 октября 2014
100 руб.
