Зачет по дисциплине: Элементная база электронной техники. Билет №3

Цена:
340 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1D23B81F-2232-4F01-855C-06CF0B46968B.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 3

1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
4) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
5) Нет правильного ответа
2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
1) Насыщения
2) Отсечки
3) Активный
4) Инверсный активный
5) Нет правильного ответа
3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление?
1) Схема с общей базой
2) Схема с общим эмиттером
3) Схема с общим коллектором
4) Нет правильного ответа
4 Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
1) Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
2) Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
3) Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
4) Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
5) Нет правильного ответа
5 Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?

1) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
2) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
3) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
4) Нет правильного ответа
6 Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
1) усиление тока;
2) усиление мощности;
3) усиление напряжения;
4) мощность и ток;
5) усиление тока и напряжения.
6) Нет правильного ответа
7 Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
1) Повышение надежности
2) Снижение потребления мощности
3) Миниатюризация
4) Нет правильного ответа
8 Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
1) Дырками
2) Протонами
3) Нейтронами
4) Нет правильного ответа
9 Излучение СИД является:
1. Стимулированным
2. Вынужденным
3. Индуцированным
4. Спонтанным
5. Нет правильного ответа
10 Электроны не могут находиться на энергетических уровнях
1. Акцепторов
2. Валентной зоны
3. Запрещенной зоны
4. Зоны проводимости
5. Нет правильного ответа
11 Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится
1. Вынужденному
2. Некогерентному
3. Спонтанному
4. Нет правильного ответа
12 Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников
1. l- и п- типа
2. р- и l- типа
3. р- и п- типа
4. р- типа диэлектрика
5. Нет правильного ответа
13 В емкостном элементе происходит:
1. Накопление электрической энергии
2. Рассеивание электрической энергии
3. Накопление магнитной энергии
4. Рассеивание магнитной энергии
5. Нет правильного ответа
14 Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
1. Только активные сопротивления.
2. Только реактивные сопротивления.
3. Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
4.Нет правильного ответа

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база электронной техники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.05.2021
Рецензия: Уважаемый,

Елистратова Ирина Борисовна

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база электронной техники. Вариант №11
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Последняя цифра Rн, ОмU2, ВТип выпрямителя 1 200 220 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилитрона из Прило
User IT-STUDHELP : 30 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Вариант №32
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Вариант 2 300 360 Мостовая схема
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Вариант №2
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Вариант 2 300 360 Мостовая схема
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Вариант №6
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Вариант 6 100 110 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Зачет. Билет №2
Билет 2 1. На какие основные классы делятся транзисторы? 2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, а к коллекторному - обратное? 3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление? 4 Что такое транзисторный ключ? 5 Как определяется дифференциальн
User KVASROGOV : 19 января 2021
215 руб.
Элементная база электронной техники. Зачет. Билет №2
Элементная база электронной техники. Вариант 12. Контрольная работа.
Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
User Gennady : 3 апреля 2023
800 руб.
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база электронной техники.
Вопрос №1 В ОУ используется двуполярное питание (+Епит1 и -Епит2)… для увеличения коэффициента усиления для уменьшения напряжения смещения для получения на выходе двуполярного сигнала для получения низкого выходного сопротивления Вопрос №2 К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление? Схема с общей базой Схема с о
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
480 руб.
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база электронной техники. promo
Сопло - Вариант №24
Сопло – устройство для направления и ускорения протекающей жидкости. Данное сопло применяют для подачи охлаждающей жидкости на шлифовальный круг при скоростном шлифовании. Шаровое сочленение шара (4) с корпусом (2) позволяет менять направление потока жидкости через иглу (1). Крышка (3) на резьбе соединена с корпусом (2) и удерживает шаровое сочленение (4) от выпадения. Все детали сборочной единицы выполнены из стали 40Х ГОСТ 4543-71. По заданию: 1. Созданы 3D модели деталей, входящих в сбор
User HelpStud : 11 июля 2019
140 руб.
Сопло - Вариант №24 promo
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 9 Вариант 4
Центробежный насос забирает воду из колодца в количестве Q л/c. Всасывающая труба насоса длиной l и диаметром d снабжена предохранительной сеткой и обратным клапаном (ζкл=10) и имеет три поворота (ζкл=0,29). Определить допустимую высоту всасывания насоса (Ндопвс=?), при которой вакуум во всасывающем патрубке насоса не превышал бы допустимого значения hдопвак=рдопвак/ρg. Коэффициент трения определить по графику Мурина, считая трубы стальными сварными.
User Z24 : 30 декабря 2026
180 руб.
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 9 Вариант 4
Монастыри
Монах, в переводе с греческого, означает «живущий в одиночестве», «отшельник». Христианские монахи – это люди, которые посвятили себя служению богу, отказавшись от обыденной жизни. Монастырём называется поселения монахов. Монастырей на Руси было немало. В Москве насчитывалось несколько десятков. Самые известные - Данилов, Троицкий, Чудов, Ивановский, Новодевичий, Андросиков. Свято-Даниловский монастырь был основан самым первым в Москве. Его возникновение относится к 1282 г. и связано с име
User Slolka : 3 сентября 2013
Теория абсолютных преимуществ А. Смита. Международные технологии
Абсолютное преимущество - преимущество в производстве определенных товаров и услуг, которым одна страна обладает по отношению ко всем или большинству других стран благодаря особенностям климата, образования, трудовых навыков населения и других особых факторов производства. Наличие у страны абсолютных преимуществ в определенных отраслях означает, что страна имеет возможность производить соответствующие товары или услуги с меньшими удельными издержками. В период перехода ведущих стран к крупному
User DocentMark : 10 сентября 2013
up Наверх