Зачет по дисциплине: Элементная база электронной техники. Билет №3
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет № 3
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
4) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
5) Нет правильного ответа
2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
1) Насыщения
2) Отсечки
3) Активный
4) Инверсный активный
5) Нет правильного ответа
3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление?
1) Схема с общей базой
2) Схема с общим эмиттером
3) Схема с общим коллектором
4) Нет правильного ответа
4 Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
1) Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
2) Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
3) Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
4) Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
5) Нет правильного ответа
5 Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?
1) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
2) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
3) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
4) Нет правильного ответа
6 Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
1) усиление тока;
2) усиление мощности;
3) усиление напряжения;
4) мощность и ток;
5) усиление тока и напряжения.
6) Нет правильного ответа
7 Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
1) Повышение надежности
2) Снижение потребления мощности
3) Миниатюризация
4) Нет правильного ответа
8 Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
1) Дырками
2) Протонами
3) Нейтронами
4) Нет правильного ответа
9 Излучение СИД является:
1. Стимулированным
2. Вынужденным
3. Индуцированным
4. Спонтанным
5. Нет правильного ответа
10 Электроны не могут находиться на энергетических уровнях
1. Акцепторов
2. Валентной зоны
3. Запрещенной зоны
4. Зоны проводимости
5. Нет правильного ответа
11 Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится
1. Вынужденному
2. Некогерентному
3. Спонтанному
4. Нет правильного ответа
12 Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников
1. l- и п- типа
2. р- и l- типа
3. р- и п- типа
4. р- типа диэлектрика
5. Нет правильного ответа
13 В емкостном элементе происходит:
1. Накопление электрической энергии
2. Рассеивание электрической энергии
3. Накопление магнитной энергии
4. Рассеивание магнитной энергии
5. Нет правильного ответа
14 Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
1. Только активные сопротивления.
2. Только реактивные сопротивления.
3. Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
4.Нет правильного ответа
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
4) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
5) Нет правильного ответа
2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
1) Насыщения
2) Отсечки
3) Активный
4) Инверсный активный
5) Нет правильного ответа
3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление?
1) Схема с общей базой
2) Схема с общим эмиттером
3) Схема с общим коллектором
4) Нет правильного ответа
4 Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
1) Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
2) Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
3) Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
4) Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
5) Нет правильного ответа
5 Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?
1) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
2) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
3) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
4) Нет правильного ответа
6 Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
1) усиление тока;
2) усиление мощности;
3) усиление напряжения;
4) мощность и ток;
5) усиление тока и напряжения.
6) Нет правильного ответа
7 Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
1) Повышение надежности
2) Снижение потребления мощности
3) Миниатюризация
4) Нет правильного ответа
8 Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
1) Дырками
2) Протонами
3) Нейтронами
4) Нет правильного ответа
9 Излучение СИД является:
1. Стимулированным
2. Вынужденным
3. Индуцированным
4. Спонтанным
5. Нет правильного ответа
10 Электроны не могут находиться на энергетических уровнях
1. Акцепторов
2. Валентной зоны
3. Запрещенной зоны
4. Зоны проводимости
5. Нет правильного ответа
11 Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится
1. Вынужденному
2. Некогерентному
3. Спонтанному
4. Нет правильного ответа
12 Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников
1. l- и п- типа
2. р- и l- типа
3. р- и п- типа
4. р- типа диэлектрика
5. Нет правильного ответа
13 В емкостном элементе происходит:
1. Накопление электрической энергии
2. Рассеивание электрической энергии
3. Накопление магнитной энергии
4. Рассеивание магнитной энергии
5. Нет правильного ответа
14 Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
1. Только активные сопротивления.
2. Только реактивные сопротивления.
3. Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
4.Нет правильного ответа
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база электронной техники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.05.2021
Рецензия: Уважаемый,
Елистратова Ирина Борисовна
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база электронной техники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.05.2021
Рецензия: Уважаемый,
Елистратова Ирина Борисовна
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база электронной техники. Вариант №11
IT-STUDHELP
: 30 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Последняя цифра Rн, ОмU2, ВТип выпрямителя
1 200 220 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилитрона из Прило
580 руб.
Элементная база электронной техники. Вариант №32
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Вариант 2
300
360
Мостовая схема
580 руб.
Элементная база электронной техники. Вариант №2
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Вариант 2
300
360
Мостовая схема
580 руб.
Элементная база электронной техники. Вариант №6
IT-STUDHELP
: 22 ноября 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Вариант 6
100
110
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
580 руб.
Элементная база электронной техники. Зачет. Билет №2
KVASROGOV
: 19 января 2021
Билет 2
1. На какие основные классы делятся транзисторы?
2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, а к коллекторному - обратное?
3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
4 Что такое транзисторный ключ?
5 Как определяется дифференциальн
215 руб.
Контрольная работа. Элементная база электронной техники. Вариант 6
Ирина36
: 24 июля 2023
3 задачи, смотри скрин, в том числе исходные данные по варианту
400 руб.
Элементная база электронной техники. Вариант 12. Контрольная работа.
Gennady
: 3 апреля 2023
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
800 руб.
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база электронной техники.
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопрос №1
В ОУ используется двуполярное питание (+Епит1 и -Епит2)…
для увеличения коэффициента усиления
для уменьшения напряжения смещения
для получения на выходе двуполярного сигнала
для получения низкого выходного сопротивления
Вопрос №2
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с о
480 руб.
Другие работы
Культуры изолированных клеток и тканей как новый источник для получения лекарственного сырья
elementpio
: 31 января 2013
Содержание
Введение
1. История создания культуры клеток и тканей
2. Культивирование растительных клеток и тканей
2.1 Понятие культуры клеток и тканей
2.2 Синтез вторичных метаболитов
2.3 Влияние генетических, физических и химических факторов на рост и развитие культур и синтез вторичных метаболитов
3. Культура ткани растений и синтез вторичных метаболитов
3.1 Образование полифенолов в культуре ткани чайного растения
3.2 Образование b-карболиновых алкалоидов в культуре ткани гармалы обыкновенной
Выявление и анализ опасностей, связанных с использованием баллонов и меры защиты
Qiwir
: 18 ноября 2017
Введение;
Техническое задание;
Конструкция баллонов, их окраска, надписи и маркировка;
Обеспечение безопасной эксплуатации баллонов;
Опасные и вредные производственные факторы, возникающие при работе с баллонами;
Расчетная часть;
Заключение;
Список использованной литературы.
Проектирование участка механической обработки детали "Фланец задний"
Рики-Тики-Та
: 16 августа 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 2
1 Анализ исходных данных. Цель и задачи проекта 6
2 Выбор стратегии и выбор производства 18
3 Выбор и проектирование заготовки 21
4 Выбор технологических баз. Технологический маршрут и
план обработки. 25
5 Выбор средств технологического оснащения 31
6 Разработка технологических операций 40
7Проектирование инструмента . 62
8 Проектирование производственного участка 65
9 Экономическая эффективность проекта 80
10 Экологичность и безопасность проекта 98
Заключение. 110
Лит
110 руб.
Сетевые базы данных. Лабораторная работа №5. Вариант №9.
nik200511
: 26 февраля 2015
Лабораторная работа 5
Тема 1: Работа с базами данных в программах PL/SQL. Курсоры
(в лекциях см. п. 8).
Тема 2: Обработка исключительных ситуаций
(в лекциях см. п. 5.4).
Вариант 9.
1. Составить и выполнить программу PL/SQL, которая считывает из базы данных максимальный заказ для продавцов, не работающих в Лондоне, и выводит результат.
2. Составить и выполнить программу PL/SQL, которая считывает из базы данных даты заказов для продавцов, не работающих в Лондоне, и выводит результат. Добавить в п
39 руб.