Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

340

Зачет по дисциплине: Элементная база электронной техники. Билет №3

ID: 218246
Дата закачки: 17 Мая 2021
Продавец: IT-STUDHELP (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Зачетная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Билет № 3

1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
4) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
5) Нет правильного ответа
2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
1) Насыщения
2) Отсечки
3) Активный
4) Инверсный активный
5) Нет правильного ответа
3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление?
1) Схема с общей базой
2) Схема с общим эмиттером
3) Схема с общим коллектором
4) Нет правильного ответа
4 Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
1) Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
2) Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
3) Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
4) Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
5) Нет правильного ответа
5 Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?

1) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
2) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
3) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
4) Нет правильного ответа
6 Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
1) усиление тока;
2) усиление мощности;
3) усиление напряжения;
4) мощность и ток;
5) усиление тока и напряжения.
6) Нет правильного ответа
7 Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
1) Повышение надежности
2) Снижение потребления мощности
3) Миниатюризация
4) Нет правильного ответа
8 Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
1) Дырками
2) Протонами
3) Нейтронами
4) Нет правильного ответа
9 Излучение СИД является:
1. Стимулированным
2. Вынужденным
3. Индуцированным
4. Спонтанным
5. Нет правильного ответа
10 Электроны не могут находиться на энергетических уровнях
1. Акцепторов
2. Валентной зоны
3. Запрещенной зоны
4. Зоны проводимости
5. Нет правильного ответа
11 Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится
1. Вынужденному
2. Некогерентному
3. Спонтанному
4. Нет правильного ответа
12 Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников
1. l- и п- типа
2. р- и l- типа
3. р- и п- типа
4. р- типа диэлектрика
5. Нет правильного ответа
13 В емкостном элементе происходит:
1. Накопление электрической энергии
2. Рассеивание электрической энергии
3. Накопление магнитной энергии
4. Рассеивание магнитной энергии
5. Нет правильного ответа
14 Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
1. Только активные сопротивления.
2. Только реактивные сопротивления.
3. Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
4.Нет правильного ответа


Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база электронной техники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.05.2021
Рецензия: Уважаемый,

Елистратова Ирина Борисовна

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru

Размер файла: 18,2 Кбайт
Фаил: Microsoft Word (.docx)

   Скачать

   Добавить в корзину


        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Элементная база электронной техники / Зачет по дисциплине: Элементная база электронной техники. Билет №3
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!