Зачет по дисциплине: Элементная база электронной техники. Билет №3

Цена:
340 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1D23B81F-2232-4F01-855C-06CF0B46968B.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 3

1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
4) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
5) Нет правильного ответа
2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
1) Насыщения
2) Отсечки
3) Активный
4) Инверсный активный
5) Нет правильного ответа
3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление?
1) Схема с общей базой
2) Схема с общим эмиттером
3) Схема с общим коллектором
4) Нет правильного ответа
4 Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
1) Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
2) Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
3) Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
4) Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
5) Нет правильного ответа
5 Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?

1) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
2) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
3) Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
4) Нет правильного ответа
6 Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
1) усиление тока;
2) усиление мощности;
3) усиление напряжения;
4) мощность и ток;
5) усиление тока и напряжения.
6) Нет правильного ответа
7 Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
1) Повышение надежности
2) Снижение потребления мощности
3) Миниатюризация
4) Нет правильного ответа
8 Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
1) Дырками
2) Протонами
3) Нейтронами
4) Нет правильного ответа
9 Излучение СИД является:
1. Стимулированным
2. Вынужденным
3. Индуцированным
4. Спонтанным
5. Нет правильного ответа
10 Электроны не могут находиться на энергетических уровнях
1. Акцепторов
2. Валентной зоны
3. Запрещенной зоны
4. Зоны проводимости
5. Нет правильного ответа
11 Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится
1. Вынужденному
2. Некогерентному
3. Спонтанному
4. Нет правильного ответа
12 Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников
1. l- и п- типа
2. р- и l- типа
3. р- и п- типа
4. р- типа диэлектрика
5. Нет правильного ответа
13 В емкостном элементе происходит:
1. Накопление электрической энергии
2. Рассеивание электрической энергии
3. Накопление магнитной энергии
4. Рассеивание магнитной энергии
5. Нет правильного ответа
14 Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
1. Только активные сопротивления.
2. Только реактивные сопротивления.
3. Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
4.Нет правильного ответа

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база электронной техники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 17.05.2021
Рецензия: Уважаемый,

Елистратова Ирина Борисовна

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база электронной техники. Вариант №11
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Последняя цифра Rн, ОмU2, ВТип выпрямителя 1 200 220 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилитрона из Прило
User IT-STUDHELP : 30 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Вариант №2
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Вариант 2 300 360 Мостовая схема
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Вариант №6
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Вариант 6 100 110 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Вариант №32
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Вариант 2 300 360 Мостовая схема
User IT-STUDHELP : 22 ноября 2021
580 руб.
promo
Элементная база электронной техники. Зачет. Билет №2
Билет 2 1. На какие основные классы делятся транзисторы? 2. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, а к коллекторному - обратное? 3. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление? 4 Что такое транзисторный ключ? 5 Как определяется дифференциальн
User KVASROGOV : 19 января 2021
215 руб.
Элементная база электронной техники. Зачет. Билет №2
Элементная база электронной техники. Вариант 12. Контрольная работа.
Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
User Gennady : 3 апреля 2023
800 руб.
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база электронной техники.
Вопрос №1 В ОУ используется двуполярное питание (+Епит1 и -Епит2)… для увеличения коэффициента усиления для уменьшения напряжения смещения для получения на выходе двуполярного сигнала для получения низкого выходного сопротивления Вопрос №2 К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление? Схема с общей базой Схема с о
User IT-STUDHELP : 12 ноября 2022
480 руб.
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база электронной техники. promo
Технологический анализ рабочего чертежа детали
Для разработки технологического процесса в качестве исходных данных задаются: рабочий чертеж детали (задание), годовая программа выпуска (N=2000шт). Назначение и условия работы: Стакан по своим технологическим признакам относится к большому классу деталей– класс шестеренка. Данный зубчатый венец является элементом, который устанавливается на маховик, являясь промежуточным звеном. Деталь испытывает радиальные напряжения, а также переменные напряжения от вибрационных нагрузок и незначительные тепл
User selinasta : 16 ноября 2014
Технологический анализ рабочего чертежа детали
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 3 Вариант 9
Решите задачу 1 при условии, что высота подъема жидкости hвс задана, а диаметр трубы d нужно определить. Задача 1 Насос подает жидкость из подземной ёмкости с избыточным давлением газа на поверхности жидкости. На всасывающей линии (длина l, диаметр d, трубы сварные, бывшие в эксплуатации) имеются местные сопротивления: приёмная коробка с клапаном и сеткой, колено и кран с коэффициентом сопротивления ξкр. Показание вакуумметра на входе в насос равно рv, расход жидкости Q, температура t°C.
User Z24 : 7 декабря 2025
250 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 3 Вариант 9
Теория построения инфокоммуникационных сетей и систем (часть 2). Курсовая работа. 28 вариант.
УСЛОВИЯ ЗАДАЧИ No 1 Определить мощность ТВ радиопередатчика Р, обеспечивающего требуемое значение напряженности электромагнитного поля в пределах заданной площади, имеющей форму круга, находящегося в пределах зоны прямой видимости при условии, что ТВ вещание ведется в N радиоканале с оценкой качества воспроизводимых ТВ изображений, высота передающей антенны над поверхностью Земли составляет h , а приемной – h . Исходные расчетные данные по вариантам приведены в таблице 1. Условие задачи No 2
User Andrey94 : 27 января 2018
300 руб.
Лабораторная 1-3 работа по дисциплине: Моделирование. Вариант 02
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА No1 «ОСНОВЫ РАБОТЫ В ПАКЕТЕ MATLAB. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОСТЫХ РАДИОСИГНАЛОВ» Цели работы Научиться работать с командным окном MATLAB. Научиться создавать с диапазоны данных и вычислять функции от них. Научиться работать с m-файлами. Изучение технологии построения двумерных графиков. Построение модели модуляции аналоговых радиосигналов. ПЛАН ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ Создать модели амплитудной и частотной модуляции сигнала. Построить диапазон значений t времени от 1.
User IT-STUDHELP : 4 апреля 2022
1350 руб.
promo
up Наверх