Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Студенткааа
: 16 января 2019
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
100 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
freelancer
: 16 апреля 2016
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
mirsan
: 24 января 2015
Билет № 3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
SemenovSam
: 30 мая 2016
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр.
Билет № 3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
sibgutido
: 20 марта 2012
Физические основы электроники. Зачетная работа.
Билет №3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Roma967
: 7 декабря 2015
Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
250 руб.
Другие работы
Васючков Ю.Ф., Брагин Е.П. Численное моделирование задач геотехнологии при разработке угольных месторождений
ostah
: 16 сентября 2012
Учеб. пособие / Под ред. Л. Я Пучкова. — М.: Издательство Московского государственного горного университета, 2000. —131 с. ISBN 5-7418-0154-4
Рассмотрены вопросы численного моделирования задач геотехнологии, под которой понимается скважинная добыча полезных ископаемых. В качестве метода моделирования принят метод конечных элементов (МКЭ), позволяющий учитывать специфику подземных горных работ, сложность массива и фактор времени. Большое внимание уделено решению четырех задач геотехнологии примен
5 руб.
Курсовая работа по дисциплине Бизнес-планирование
Наталья18
: 13 апреля 2022
Тема: Разработка бизнес-плана предпринимательского проекта по созданию системы удаленного доступа.
1000 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Информатика и программирование» Билет №1
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 10 июля 2020
Информатика и программирование (часть 2)
Билет 1
1. Какое значение будет напечатано, в результате выполнения следующего кода?
#include <iostream>
int main()
{
int sum = 0;
int array[3][] = {{0, 1, 2}, {3, 4, 5}, {6, 7, 8}};
for (int i = 0; i < 3 ; ++i)
{
for (int j = 2; j < 3 ; j++)
{
sum += array[i][j];
}
}
std::cout << sum << std::endl;
return 0;
}</iostream>
a. 15
b. 9
c. 21
d. синтаксическая ошибка
2. Укажите зарезервированное ключевое слово для
350 руб.
Культурология. Билет №4.
pavel121
: 1 октября 2018
Билет №4 - Философия культуры И. Гердера.
1.1. Основные этапы развития западной культуры
1.2. Средние века
1.3. Хронология средней, средневековой истории.
1.4. Раннее Возрождение и гуманизм в Италии.
1.5. Позднее Возрождение
1.6. Европейская культура XIX в.
1.7. Западная культура в конце XIX - начале XX в.в.
1.8. Западноевропейская культура в первой половине XX века.
1.9. Западная культура второй половины XX в.
100 руб.