Физические основы электроники. Вариант №06
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Adobe Acrobat Reader
- Программа для просмотра текстовых файлов
Описание
“Физические основы электроники”
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току Ki , напряжению Ku и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия n.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току Ki , напряжению Ku и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия n.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 06
SibGOODy
: 20 июля 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
600 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
100 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. При
100 руб.
Лабораторная работа №1, дисциплина - Физические основы электроники, вариант № 06
Александр410
: 4 мая 2019
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
180 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Другие работы
Газовая котельная Ferroli Prextherm RSW 190
DiKey
: 15 мая 2020
Газовая котельная Ferroli Prextherm RSW 190
Автокад.
150 руб.
Производственная практика
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2021
Индивидуальное задание на производственную практику
Магистрант:
(группа, ФИО магистранта)
Тема диссертации: Исследование трафика в мультисервисной корпоративной
Направление подготовки: 09.03.03 – Прикладная информатика
Период прохождения практики: с 03.05.2020 г. по 16.10.2019 г. (3 ЗЕ/216 час)
Виды деятельности Отметка о выполнении
(ненужное вычеркнуть) Примечание
1) Изучение нормативно-правовых документов, регламентирующих технологический процесс. выполнено
2) Изучение учебно-метод
600 руб.
Всемирная таможенная организация: структура, содержание деятельности, основные цели и задачи
Elfa254
: 2 августа 2013
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ВСЕМИРНОЙ ТАМОЖЕННОЙ ОРГАНИЗАЦИИ
1.1 История создания Совета таможенного сотрудничества и Всемирной таможенной организации
1.2 Функции Всемирной таможенной организации
1.3 Структура Всемирной таможенной организации
ГЛАВА 2. ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ВСЕМИРНОЙ ТАМОЖЕННОЙ ОРГАНИЗАЦИИ
2.1 Международные конвенции по таможенным вопросам
2.2 Рамочные стандарты безопасности как залог упрощения мировой торговли в деятельности всемирной таможенной органи
10 руб.
Компьютерная графика. Курсовая работа
JulDir
: 12 июня 2012
Темы курсовых проектов:
...
3. Моделирование самолета в 3D Studio MAX .
...
=============================
Оглавление
Введение 3
Постановка задачи 4
Моделирование базиса. 5
Моделирование фюзеляжа. 6
Моделирование двигателей 8
Моделирование корпуса 9
Моделирование шасси и внешних блоков 9
Соединение, доводка геометрии. 12
Маппинг. 13
Создание текстуры. 14
Заключение 15
Список использованной литературы 16
149 руб.