Физические основы электроники. Вариант №06
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Adobe Acrobat Reader
- Программа для просмотра текстовых файлов
Описание
“Физические основы электроники”
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току Ki , напряжению Ku и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия n.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Содержание задач контрольной работы
Задача 1:
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току Ki , напряжению Ku и мощности KP и входное сопротивление усилителя Rвх. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе Pк, потребляемую мощность Рпотр и коэффициент полезного действия n.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.09.2020
Рецензия: .......
Савиных В. Л.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 06
SibGOODy
: 20 июля 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
600 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. При
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
100 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. На рисунке 3.2 приведена схема для снятия статических выходных характеристик полевого транзистора. На рисунке
100 руб.
Лабораторная работа №1, дисциплина - Физические основы электроники, вариант № 06
Александр410
: 4 мая 2019
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
180 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Другие работы
Миеломная болезнь
evelin
: 23 декабря 2012
Парапротеинемические гемобластозы (миеломная болезнь, макроглобулинемия Вальденстрема, болезнь тяжелых цепей) представляют опухоли системы В-лимфоцитов (клеток, осуществляющих функции гуморального иммунитета). Главной особенностью данных гемобластозов является сохранение способности к дифференцировке до стадии иммуноглобулинсекретирующих клеток. Однако секретируемые иммуноглобулины отличаются однообразием структуры (моноклональный парапротеин – РIg), что объясняется происхождением их из одного о
Стихотворение А. Фета «Поэтам» (восприятие, истолкование, оценка)
alfFRED
: 21 октября 2013
Стихотворение «Поэтам» написано Фетом 5 июня 1890 года. Это был период, когда поэт переживал «чудо возрождения», будучи уже в «довольно зрелом» возрасте. Поэзия этой поры наполнена жизненной философией. Итак, муза пробудилась от долголетнего сна, вторая половина жизни оказалась как бы новым витком спирали.
Стихотворение «Поэтам», судя по названию, посвящено теме поэта и поэзии. Это взволнованный монолог-обращение к тем, кто стоит у истоков поэзии, чей опыт перенял автор. Но такое восприятие про
10 руб.
Основы инфокоммуникационных технологий зачет, билет №5
Uiktor
: 23 мая 2016
Билет 5
1. Сколько байт в 32 Гбайт?
1. 235;
2. 16*220;
3. 224;
4. 222
2. В рулетке общее количество лунок равно 32. Какое количество информации с точки зрения вероятностного подхода получим в сообщении об остановке шарика в одной из лунок?
a. 8 битов;
b. 1 пиксель;
c. 1 байт;
d. 1 бит.
3. Устройство, обеспечивающее замыкание, размыкание или переключение электрических цепей, подключенных к его входам и выходам, при поступлении в прибор управляющего сигнала называется:
a. коммутационным эле
99 руб.
Вариант 07. Зачет. Оптоэлектронника
Lanisto
: 12 марта 2015
1.Типы световодов.
Раздел Излучатели.
2.Характеристики светоизлучающего диода: спектральная, яркостная, излучательная.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Электрические модели фотоприемников.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Применение оптронов для выполнения цифровых функций.
180 руб.