Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 01

Лабораторная работа No1

ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ

Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы:
1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

 ВАХ диода

 Исследование прямой ветви ВАХ диода

Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток I_прmax мА 200 


Zelex
FMMV2107
предельно-допустимое обратное напряжение U_обрmax. В 30 


 ВАХ стабилитрона

Таблица 2.1 – Характеристики стабилитрона
Параметр Единицы измерения Значение Тип стабилитрона
предельно-допустимый постоянный прямой ток минимальный ток стабилизации I_стmin мА 45,7 motor 1n
1N5923B
максимальный ток стабилизации I_стmax мА 182 
номинальное напряжение стабилизации U_ст В 8,2 



Лабораторная работа No2

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов

Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов

 Транзистор с управляющим p-n переходом

Расчетная часть

Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) 
 Motorola BF244B (n-канал) 

Параметры  I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс)
Ед.изм. mA B B B
Количественные значения 50 30 30 1.6


Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си=0.5U_cиmax,В S, мА/В
    0,3 15 
    I_с, mA I_с, mA 
1. -1.6 0.95U_(зи отс) -1,52 0.005 0.05 0,23
2.  0.75U_(зи отс) -1,2 0.295 1,25 
3.  0.5U_(зи отс) -0,8 0.795 1.95 
4.  0.25U_(зи отс) -0,4 1.345 4.25 
5.  0 0 1.995 5,75 



2 Транзистор с индуцированным каналом

Таблица 2.1 – Характеристики транзистора с индуцированным каналом
Марка транзистора (тип канала) 
Philips BF 904R (n-канал)
Параметры  I_cmax U_cиmax U_зиmax U_зиmin U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 30 7  15 6 1

Таблица 2.2 – Семейство стоко – затворных характеристик транзистора
с индуцированным каналом
No U_зипор, В U_зи,В b,
А/В2 U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си=0.5U_cиmax,B
     0.07 3.5
     I_с, mA I_с, mA
1. 

1 U_зи" пор"  


8.333 ⋅10-4 1 0 0
2.  2U_зи" пор"   2 0.408 2.917
3.  3U_зи" пор"   3 0.817 5.833
4.  0.5U_зиmax  7.5 2.654 19
5.  0.95U_зиmax  14.25 5.41 39


Лабораторная работа No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.

1. Расчет и испытание транзисторного ключа

1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

Расчетная часть

Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование 
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора КТ3102Е 
IБ ТР Номиналы резисторов
     UКЭ max IК max  RК Rб
Единицы измерения 
А В В  В мА мА Ом Ом
Параметр 0,06
 23 4,2 1000 45 100 0.6 383 5833

Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.04.2022

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru