Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
Вариант 14, диод Zelex FMMD914
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 225 Кремниевый, планарный, высокоскоростной переключающий
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа No2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Расчетная часть
Транзистор с управляющим p-n переходом
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) MMBF4393
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 30 30 -3 -1,9
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax, B U_си= 0.5U_cиmax,
B
0.3 B 15 В
I_с, mA I_с, mA
1. -0.19 0.95U_(зи отс) -1.805 -0,274 0,075
2. 0.75U_(зи отс) -1.425 1,620 1,875
3. 0.5U_(зи отс) -0.95 3,989 7,5
4. 0.25U_(зи отс) -0.475 6,357 16,875
5. 0 0 8,726 30
Привести формулы для расчета I_с, mA.
Лабораторная работа No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАН-ЗИСТОРАХ
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора 2N2219
IБ УПР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения A B B B A A Ом Ом
Параметр 0,1 20 4,2 100 30 0,8 0,01 200 350
ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2N2219:
〖U" В В" 〗_(КЭ MAX)
〖I" " "А" _КОМ " А" 〗_(К MAX)
H_21Э=100.
I_(Б,ТР)=(10⋅I_КОМ)/H_21ОЭ =(10⋅0.1)/100=0.01" А"
R_K≈E2/I_КОМ =20/0.1=200" ОМ"
R_Б≈E_1MAX/(I_(Б,ТР) (4.2-0.7)/0.01 " ОМ" )
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
Вариант 14, диод Zelex FMMD914
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 225 Кремниевый, планарный, высокоскоростной переключающий
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа No2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Расчетная часть
Транзистор с управляющим p-n переходом
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) MMBF4393
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 30 30 -3 -1,9
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax, B U_си= 0.5U_cиmax,
B
0.3 B 15 В
I_с, mA I_с, mA
1. -0.19 0.95U_(зи отс) -1.805 -0,274 0,075
2. 0.75U_(зи отс) -1.425 1,620 1,875
3. 0.5U_(зи отс) -0.95 3,989 7,5
4. 0.25U_(зи отс) -0.475 6,357 16,875
5. 0 0 8,726 30
Привести формулы для расчета I_с, mA.
Лабораторная работа No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАН-ЗИСТОРАХ
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора 2N2219
IБ УПР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения A B B B A A Ом Ом
Параметр 0,1 20 4,2 100 30 0,8 0,01 200 350
ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2N2219:
〖U" В В" 〗_(КЭ MAX)
〖I" " "А" _КОМ " А" 〗_(К MAX)
H_21Э=100.
I_(Б,ТР)=(10⋅I_КОМ)/H_21ОЭ =(10⋅0.1)/100=0.01" А"
R_K≈E2/I_КОМ =20/0.1=200" ОМ"
R_Б≈E_1MAX/(I_(Б,ТР) (4.2-0.7)/0.01 " ОМ" )
Дополнительная информация
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.04.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Дата оценки: 09.04.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1 – Варианты задания
No ВАРИАНТА Последняя цифра 4
Предпоследняя цифра
1
Rн, Ом 500
U2, В 110
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямит
1300 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2022
Лабораторная работа No1
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых ба
700 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №1
L0ki
: 29 декабря 2020
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1 Изучить характерные свойства электронно-дырочного
перехода, определяющие характеристики выпрямительного
диода и стабилитрона (лекция №2).
2 Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а
также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 При изучении теоретического материала в объ
195 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
Вариант 17
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данн
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы до
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 06
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
пред
900 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2022
Лабораторная работа No1
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых ба
1350 руб.
Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1 – Варианты задания
No ВАРИАНТА Последняя цифра 7
Предпоследняя цифра 1
Rн, Ом 200
U2, В 220
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБ
1300 руб.
Другие работы
Аудит процесса: "Производство услуги предприятием общественного питания"
Elfa254
: 7 сентября 2013
Аннотация
Курсовой проект по дисциплине «Аудит качества» на тему «Аудит процесса «Производство услуги предприятием общественного питания» состоит из следующих разделов:
Введения, в котором показана актуальность данной курсовой работы, ее цели и задачи;
Основной части, где представлен общий анализ предприятия и его история, организационная структура, номенклатура продукции, основные конкуренты в области насосного оборудования, рассмотрена политика и цели в области качества; описание исходного
5 руб.
Краснощеков Задачник по теплопередаче Задача 6.9
Z24
: 24 сентября 2025
Труба с внешним диаметром d = 25 мм охлаждается поперечным потоком трансформаторного масла. Скорость движения и средняя температура масла равны соответственно: ω = 1 м/c и tж = 20ºС.
Определить, какую температуру поверхности трубы необходимо поддерживать, чтобы плотность теплового потока составляла q = 4,5·104 Вт/м², и каково при этом будет значение коэффициента теплоотдачи.
Ответ: tc = 70ºС; α = 925 Вт/(м²·ºС).
200 руб.
Експлуатація і обслуговування машин і обладнання/Технологічна карта на монтаж барабанного млина
DoctorKto
: 22 октября 2012
Вступ........................................................................................................ Вихідні дані.............................................................................................
1. Особливості технічного обслуговування і ремонту устаткування
заводів будівельних матеріалів і виробів........................................................
1.1. Основні види обладнання заводів будівельних матеріалів і
виробів...............................................
450 руб.
Автоматизация бухгалтерского учета на малых предприятиях
alfFRED
: 7 сентября 2013
Сегодня государство всеми возможными способами содействует развитию в нашей стране малого бизнеса. Малый бизнес - одна из наиболее актуальных тем предпринимательства. Объясняется это, прежде всего, тем, что именно малый бизнес во многих областях деятельности может обеспечить реальные условия для подъема экономики и выхода России из экономического кризиса. В настоящее время доля малого бизнеса в ВВП России не превышает 17%, по сравнению с развитыми странами, где его доля составляет 50-60%, это оч
5 руб.