Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
Вариант 14, диод Zelex FMMD914
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 225 Кремниевый, планарный, высокоскоростной переключающий
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа No2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Расчетная часть
Транзистор с управляющим p-n переходом
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) MMBF4393
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 30 30 -3 -1,9
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax, B U_си= 0.5U_cиmax,
B
0.3 B 15 В
I_с, mA I_с, mA
1. -0.19 0.95U_(зи отс) -1.805 -0,274 0,075
2. 0.75U_(зи отс) -1.425 1,620 1,875
3. 0.5U_(зи отс) -0.95 3,989 7,5
4. 0.25U_(зи отс) -0.475 6,357 16,875
5. 0 0 8,726 30
Привести формулы для расчета I_с, mA.
Лабораторная работа No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАН-ЗИСТОРАХ
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора 2N2219
IБ УПР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения A B B B A A Ом Ом
Параметр 0,1 20 4,2 100 30 0,8 0,01 200 350
ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2N2219:
〖U" В В" 〗_(КЭ MAX)
〖I" " "А" _КОМ " А" 〗_(К MAX)
H_21Э=100.
I_(Б,ТР)=(10⋅I_КОМ)/H_21ОЭ =(10⋅0.1)/100=0.01" А"
R_K≈E2/I_КОМ =20/0.1=200" ОМ"
R_Б≈E_1MAX/(I_(Б,ТР) (4.2-0.7)/0.01 " ОМ" )
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
Вариант 14, диод Zelex FMMD914
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 225 Кремниевый, планарный, высокоскоростной переключающий
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа No2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Расчетная часть
Транзистор с управляющим p-n переходом
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) MMBF4393
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 30 30 -3 -1,9
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax, B U_си= 0.5U_cиmax,
B
0.3 B 15 В
I_с, mA I_с, mA
1. -0.19 0.95U_(зи отс) -1.805 -0,274 0,075
2. 0.75U_(зи отс) -1.425 1,620 1,875
3. 0.5U_(зи отс) -0.95 3,989 7,5
4. 0.25U_(зи отс) -0.475 6,357 16,875
5. 0 0 8,726 30
Привести формулы для расчета I_с, mA.
Лабораторная работа No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАН-ЗИСТОРАХ
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора 2N2219
IБ УПР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения A B B B A A Ом Ом
Параметр 0,1 20 4,2 100 30 0,8 0,01 200 350
ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2N2219:
〖U" В В" 〗_(КЭ MAX)
〖I" " "А" _КОМ " А" 〗_(К MAX)
H_21Э=100.
I_(Б,ТР)=(10⋅I_КОМ)/H_21ОЭ =(10⋅0.1)/100=0.01" А"
R_K≈E2/I_КОМ =20/0.1=200" ОМ"
R_Б≈E_1MAX/(I_(Б,ТР) (4.2-0.7)/0.01 " ОМ" )
Дополнительная информация
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.04.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Дата оценки: 09.04.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1 – Варианты задания
No ВАРИАНТА Последняя цифра 4
Предпоследняя цифра
1
Rн, Ом 500
U2, В 110
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямит
1300 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2022
Лабораторная работа No1
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых ба
700 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №1
L0ki
: 29 декабря 2020
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1 Изучить характерные свойства электронно-дырочного
перехода, определяющие характеристики выпрямительного
диода и стабилитрона (лекция №2).
2 Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а
также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 При изучении теоретического материала в объ
195 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
Вариант 17
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данн
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы до
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 06
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
пред
900 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2022
Лабораторная работа No1
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых ба
1350 руб.
Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1 – Варианты задания
No ВАРИАНТА Последняя цифра 7
Предпоследняя цифра 1
Rн, Ом 200
U2, В 220
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБ
1300 руб.
Другие работы
Инфляция: происхождение, сущность и виды
Алёна51
: 11 сентября 2015
ВВЕДЕНИЕ 3
1. Теоретические аспекты инфляции 5
1.1 Сущность и виды инфляции с точки зрения макроэкономической науки 5
1.2 Основные показатели инфляции 12
2. Инфляция в России: состояние и причины 17
2.1 Причины инфляции в России 17
2.2 Анализ инфляции в России 21
3. Основные направления развития финансовой политики России 38
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 43
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 44
300 руб.
Фреза червячная
Администратор
: 3 февраля 2009
Чертеж в Компасе, расчеты от руки... Фреза первоначальна рисована в 3D... Вот...
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 1.2 Вариант 19
Z24
: 20 октября 2025
Определить высоту столба жидкости h5, если задано избыточное давление воздуха в сосуде р0изб и известны все остальные высоты.
Плотности жидкостей:
вода — 1000 кг/м³;
спирт — 800 кг/м³;
ртуть — 13600 кг/м³;
глицерин — 1245 кг/м³.
120 руб.
Разработка оболочки интерфейсов для сайта
Aronitue9
: 26 августа 2012
Введение
Описание предметной области
Цель работы
Методологии и технологии проектирования опыта взаимодействия
Определение понятия «Опыт взаимодействия» (UX)
Методология проектирование опыта взаимодействия
Подходы к проектированию опыта взаимодействия
Проектирование, ориентированное на пользователей (User Centered Design)
Человекоориентированное проектирование (Human Centered Design)
Проектирование, ориентированное на цели пользователей
Проектирование, основанное на анализе деятельности
2 руб.