Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
200 «Элементная база телекоммуникационных систем» Лабораторная работа №2 "Исследование характеристик полевых транзисторов" Вариант 03 (2022 г.)ID: 226049Дата закачки: 26 Мая 2022 Продавец: LiVolk (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3) Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы: - достоинства и недостатки полевых транзисторов; - применение полевых транзисторов в элементарных схемах. 3.1 Расчетная часть работы 1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора. 2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2. 3.2 Экспериментальная часть работы 1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительную схему, приведенную на рисунке Б.6. Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4. 2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1). 3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление по экспериментальным характеристикам. 4.1.1 Расчет характеристик транзисторов с управляющим p-n переходом Выбрать тип (марку) полевого транзистора с управляющим p-n переходом из Приложения А. Для выбора характеристик используйте ресурсы Интернет Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet: a) Ic, mA - максимально допустимый постоянный ток стока; b) Ucumax, В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком; c) Uзuomc, В – напряжения отсечки для транзистора с управляющим p-n переходом; d) Uзumax, В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком. Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.1. Таблица 4.1 – Характеристики транзистора Построить статическую стоко - затворную характеристику транзистора при 2-х фиксированных рекомендуемых значениях =const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.2. Таблица 4.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом - вычислить IС по формуле (2.2) и записать данные таблицу 4.2. Учесть, что все значения подставляются в формулу (2.2) по модулю. Если ответ будет иметь отрицательное значение, то в таблицу 4.2. записывается значение =0. - построить семейство сток-затворных ВАХ. 4.1.2 Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцированным каналом из Приложения А. Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet: a) , mA - максимально допустимый постоянный ток стока; b) , В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком; c) , В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком; d) , В - минимальное напряжение между затвором и истоком; e) ,В – пороговое напряжение для транзистора с индуцированным каналом(выбрать максимальное значение порогового напряжения); Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.3. Таблица 4.3 – Характеристики транзистора с индуцированным каналом ....... Комментарии: Оценка: зачет Преподаватель: Елистратова И.Б. Год сдачи: 2022 Размер файла: 223,2 Кбайт Фаил: ![]() ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 1 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / «Элементная база телекоммуникационных систем» Лабораторная работа №2 "Исследование характеристик полевых транзисторов" Вариант 03 (2022 г.)
Вход в аккаунт: