Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

200

«Элементная база телекоммуникационных систем» Лабораторная работа №2 "Исследование характеристик полевых транзисторов" Вариант 03 (2022 г.)

ID: 226049
Дата закачки: 26 Мая 2022
Продавец: LiVolk (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.

3.1 Расчетная часть работы
1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.

3.2 Экспериментальная часть работы
1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительную схему, приведенную на рисунке Б.6. Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление по экспериментальным характеристикам.

4.1.1 Расчет характеристик транзисторов с управляющим p-n переходом
Выбрать тип (марку) полевого транзистора с управляющим p-n переходом из Приложения А. Для выбора характеристик используйте ресурсы Интернет
Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet:
a) Ic, mA - максимально допустимый постоянный ток стока;
b) Ucumax, В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком;
c) Uзuomc, В – напряжения отсечки для транзистора с управляющим p-n переходом;
d) Uзumax, В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком.
Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Характеристики транзистора
Построить статическую стоко - затворную характеристику транзистора при 2-х фиксированных рекомендуемых значениях =const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.2.
Таблица 4.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
- вычислить IС по формуле (2.2) и записать данные таблицу 4.2. Учесть, что все значения подставляются в формулу (2.2) по модулю. Если ответ будет иметь отрицательное значение, то в таблицу 4.2. записывается значение =0.
- построить семейство сток-затворных ВАХ.

4.1.2 Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом
Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцированным каналом из Приложения А.
Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet:
a)  , mA - максимально допустимый постоянный ток стока;
b)  , В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком;
c)  , В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком;
d)  , В - минимальное напряжение между затвором и истоком;
e)  ,В – пороговое напряжение для транзистора с индуцированным каналом(выбрать максимальное значение порогового напряжения);
Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.3.
Таблица 4.3 – Характеристики транзистора с индуцированным каналом
.......


Комментарии: Оценка: зачет
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Год сдачи: 2022

Размер файла: 223,2 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.zip)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

   Скачать

   Добавить в корзину


        Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / «Элементная база телекоммуникационных систем» Лабораторная работа №2 "Исследование характеристик полевых транзисторов" Вариант 03 (2022 г.)
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!