Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
12.11.2022
-
Размер:
238 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
09CF4CC0-81B7-4083-ABB3-0615704625F4.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
===============================
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
===============================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки:12.11.2021
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки:12.11.2021
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
aikys
: 18 июня 2016
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
aikys
: 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передато
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №8
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характерист
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Леший
: 18 января 2021
Билет 1:
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Леший
: 18 января 2021
500 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №9
IT-STUDHELP
: 3 ноября 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
IT-STUDHELP
: 3 ноября 2019
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Другие работы
Математика. 1-й семестр. Сибгути. Вариант 10
suppura
: 9 сентября 2014
Задача 1. Найти пределы функций:
suppura
: 9 сентября 2014
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й семетр). Контрольная работа. Вариант №19
nik200511
: 22 февраля 2014
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Полевой транзистор КП307Ж,
UСИ0, В = 7,
UЗИ0, В = - 4
Задача 2.
Используя характе
nik200511
: 22 февраля 2014
91 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Беспроводные технологии передачи данных . Вариант №10
mdiller
: 25 января 2024
Лабораторная работа №1
Пример модели в системе Scicos
С помощью динамической модели в программе Scicos вычислить значения заданной по варианту функции, построить графики зависимостей на экране осциллографа и графопостроителя. Обеспечить вывод результата на цифровой дисплей и в рабочую область ScicosLab.
Исходные данные: номер функции – 1, шаг изменения аргумента – 0.01, диапазон изменения аргумента – [0...1.5]
Лабораторная работа №2
Исследование аналого-цифрового преобразователя
Создать схе
mdiller
: 25 января 2024
900 руб.
Стандартизация, сертификация и метрология. Контрольная работа. Вариант №4
Axi0ma
: 14 июня 2018
1. Методики выполнения измерений
2. Нормативные документы по стандартизации
3. Сертификация системы качества
4. Написать процедуру поиска заданного числа в одномерном массиве.
В первой части контрольной работы студент должен ответить на вопросы, предлагаемые в варианте.
Во второй части контрольной работы (практической) студент должен:
написать программы в соответствии с вариантом на языках Паскаль и Си;
с помощью метрик определить ряд измеримых категорий, присутствующих в версии разработа
Axi0ma
: 14 июня 2018
100 руб.
