Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BD6B63E1-D4C4-4E9C-BCF0-9954690D8B62.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №2
Длина волны фотонов, излучаемых СИД зависит...
От размеров СИД
От размеров активного слоя СИД
От ширины запрещённой зоны
От тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №3
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе

Вопрос №4
Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-l-п фотодиода наличием...
Сильно легированной п- области
Сильно легированной р- области
Слабо легированной п- области
Слабо легированной р- области
Нет правильного ответа

Вопрос №5
Излучение СИД является:
Стимулированным
Вынужденным
Индуцированным
Спонтанным
Нет правильного ответа

Вопрос №6
Какое соединение конденсаторов эффективно увеличивает толщину диэлектрика?
Параллельное
Последовательное
Соединение не влияет на толщину диэлектрика
Нет правильного ответа

Вопрос №7
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному - прямое?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа

Вопрос №8
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа

Вопрос №9
Каково отличие принципа работы полевого транзистора от биполярного?
И в полевом, и в биполярном транзисторах управление осуществляется входным током. Разница заключается только в том, что входное сопротивление полевого транзистора немного больше, чем у биполярного
И в полевом, и в биполярном транзисторах управление осуществляется входным напряжением. Разница заключается только в том, что входное сопротивление полевого транзистора значительно больше, чем у биполярного
В полевом транзисторе управление осуществляется входным напряжением, а в биполярном - входным током. Это также означает, что входное сопротивление полевого транзистора значительно больше, чем у биполярного
В полевом транзисторе управление осуществляется входным током, а в биполярном - входным напряжением. Это также означает, что входное сопротивление полевого транзистора значительно меньше, чем у биполярного
Нет правильного ответа

Вопрос №10
Из каких элементов можно составить сглаживающие фильтры?
Из резисторов
Из конденсаторов
Из катушек индуктивности
Нет правильного ответа

Вопрос №11
Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
Только активные сопротивления
Только реактивные сопротивления
Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №12
Почему электронные схемы должны иметь высокое входное и малое выходное сопротивление?
Потому что при построении многосхемного каскада выходной ток предыдущей схемы является входным током последующей, и падение напряжения должно перераспределяться таким образом, чтобы основная мощность выделялась на входе последующей схемы
Потому что на входе электронной схемы ток может значительно превышать выходной ток (выходной ток существенно снижается ввиду наличия падения напряжения на внутренних элементах схемы)
Потому что при возможном замыкании входов схемы накоротко ее структура должна оставаться целой, а выход схемы отдельно защищен от замыкания
Нет правильного ответа

Вопрос №13
Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
Нет правильного ответа

Вопрос №14
В каких случаях в схемах выпрямителей используется параллельное включение диодов?
При отсутствии конденсатора
При отсутствии катушки
При отсутствии резисторов
При отсутствии трёхфазного трансформатора
Нет правильного ответа

Вопрос №15
Что такое транзистор?
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий два или три электрода и предназначенный для избирательного пропускания электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойствами усиления сигнала и накопления электрического заряда
Нет правильного ответа

Вопрос №16
Как называется электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда:
затвор
исток
сток
нет правильного ответа

Вопрос №17
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Что происходит в резистивном элементе?
Обратимое преобразование электромагнитной энергии в тепло или другие виды энергии
Ослабление электромагнитной энергии
Необратимое преобразование электромагнитной энергии в тепло или другие виды энергии
Нет правильного ответа

Вопрос №19
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
минус, плюс
плюс, минус
минус, минус
нет правильного ответа

Вопрос №20
При увеличении расстояния между обкладками конденсатора его электрическая емкость...
Возрастает
Не изменяется
Экспоненциальная зависимость
Нет правильного ответа
=======================================

Дополнительная информация

Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 12.11.2022

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Онлайн Тест 1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
Вопрос №1 Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)? Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой) Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одно
User IT-STUDHELP : 3 декабря 2022
480 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-2 Вариант 99
Рабочее тело – водяной пар, имеющий в начальном состоянии давление р1 и степени сухости х1, изобарно нагревается до температуры t2. Построить процесс нагрева водяного пара в диаграмме h,s. Определить: 1) параметры пара в начальном состоянии (υ1, h1, s1); 2) параметры пара в конечном состоянии (υ2, h2, s2); 3) значения внутренней энергии пара до и после процесса нагрева; 4) количество подведенной теплоты и совершаемую работу. К решению задачи приложить схему построения процесс
User Z24 : 10 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-2 Вариант 99
Сечение тела. Вариант 23 ЧЕРТЕЖ
Сечение тела. Вариант 23 ЧЕРТЕЖ Задание 44 Перечертить и закончить в трех проекциях чертеж усеченной полой модели. Найти натуральную величину фигуры сечения. Построить аксонометрическую проекцию. Исходные данные для выполнения задания d = 45 мм d1 = 30 мм d2 = 70 мм h = 35 мм h1 = 28 мм h2 = 25 мм k = 20 мм a = 90 мм m = 45 мм Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + ПДФ(все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D. Также открывать и пр
User coolns : 17 января 2026
150 руб.
Сечение тела. Вариант 23 ЧЕРТЕЖ
Организационно-экономическое обоснование выращивания картофеля в ГНУ "Приморский НИИСХ Россельхозакадемии" Приморского края
Доклад В Приморском крае за последние годы проделана определенная работа, направленная на увеличение производства и продажи картофеля государству. Осуществлены концентрация и специализация товарного производства картофеля, приняты меры к улучшению его семеноводства, сортового районирования, внедрены в практику основные элементы интенсивной технологии, повышено плодородие картофельных участков, укреплена материально-техническая база совхозов и колхозов. Однако достигнутый уровень производства к
User Elfa254 : 10 ноября 2013
10 руб.
Заболевание периферических сосудов и тромбофлебит
План Введение 1. Острая ишемия конечностей · Патофизиология · Первичное обследование · Дифференциальная диагностика · Лечение 2. Травма артерии · Диагностика 3. Аневризмы подколенных артерий с клиническими проявлениями 4. Тромбофлебит · Поверхностный тромбофлебит · Острый тромбоз глубоких вен · Лечение острого тромбоза глубоких вен нижних конечностей · Массивный тромбоз глубоких вен · Тромбоз глуб
User alfFRED : 28 января 2013
up Наверх