Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №7

Контрольная работа

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.


Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
7 Dual-Core Intel Xeon 5110 КТ368Б 6Э13Н ATF1504AS

Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
16 6Э13Н 140 6,3 7 27 12 11 20,8 5 140

Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
16 КТ368Б 30 10 5,84 5,3 1 27,44

Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
9 ATF1504AS 130 6000 5,0 100 144 1,2 12 86,32

Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребля-емая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Пло-щадь S, кв. мм Напряже-ние питания, В Высо-та h, мм Техно-логия, нм Цена, руб.
    Min Max   Min Max   
7 Dual-Core Intel Xeon 5110 321 771 65 95 1,60 80 1,2 1,4 2,6 65 8257

Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
=============================================

Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 17.11.2022

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru