Курсовая работа по дисциплине: Теория связи. Вариант №11

Цена:
1100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon E0D69D3F-A542-49E9-9514-B8E40C562595.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант No11

Задача No 1
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:

где iк, мА - ток коллектора транзистора,
S, мА/В - крутизна характеристики,
Uб, В - напряжение на базе транзистора,
Uо, В - напряжение отсечки,
Um, В - амплитуда входного высокочастотного сигнала.

Требуется:
1) Объяснить назначение модуляции, несущей и описать различные виды модуляции.
2) Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
3) Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.
4) C помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды U модулирующего напряжения Ucost, соответствующие неискаженной модуляции.
5) Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.

Таблица 1 – Исходные данные 1
Показатель Вариант S, мА/В Uо, В Um, В
Значение 11 95 0,45 0,5

6) На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание

UАМ(t) = Um [1 + mАМ cos(2Ft)]cos(2f0t)

Требуется:
а) Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
б) Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора RН для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kД.
в) Выбрать значение емкости нагрузки детектора CН при заданных f0 и F.
г) Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора. Значения S, mAM и kД даны в таблице 2, а значения Um, F и f0 – в таблице 2.
Таблица 2 – Исходные данные 2
Показатель Значение
Вариант 11
S, мА/В 35
mАМ 0,85
kд 0,7
Um, B (по последней цифре) 1,2
f0, кГц (по последней цифре) 350
F, кГц (по последней цифре) 5

------------------------------------------------------------------------------------------------

Задача No 2
Задано колебание, модулированное по частоте

u(t) = U0cos(ω0t + Msin t),
U0 =1

Требуется:
1) Определить для частотной модуляции частоту F, если для всех вариантов девиация частоты одинакова и составляет 50 кГц.
2) Определить количество боковых часто и полосу частот, занимаемую ЧМ сигналом
3) Определить количество боковых частот и полосу, занимаемую ЧМ сигналом при увеличении модулирующей частоты в n раз.
4) Определить количество боковых частот и полосу, занимаемую ЧМ сигналом при увеличении амплитуды модулирующего сигнала в m раз
5) Рассчитать и построить для всех случаев спектральные диаграммы с соблюдением масштаба.

Таблица 3 – Исходные данные
Показатель Значение
Вариант 11
Значение M 4,2
Значение n 2,6
Значение K 4

-----------------------------------------------------------------------------------------------

Задача No 3
В предположении, что сигнал сообщения имеет гармоническую форму частоты Fв и амплитуды UMAX.
Требуется:
1. Изобразить временные диаграммы исходного сигнала (2, 3 периода) и дискретизированной последовательности для него при условии, что дискретизация отсчётами производится с интервалом, в k раз меньшим по сравнению с шагом дискретизации, определяемым теоремой Котельникова (см. таблицу 5).
2. Изобразить спектральные диаграммы исходного сигнала и дискретизированной последовательности.
3. Описать (с обоснованием) вид графиков временных и спектральных диаграмм на основе соответствующих теоретических положений.

Таблица 4 – Исходные данные
Показатель Значение
Вариант 11
Значение Umax, В 10
Значение Fв, кГц 10
Значение k 3

--------------------------------------------------------------------------------------------

Задача No 4
Стационарный случайный процесс x(t) имеет одномерную функцию плотности (ФПВ) мгновенных значений w(x), график и параметры которой приведены в таблице.
Требуется:
1) Определить параметр h ФПВ.
2) Построить ФПВ w(x) и функцию вероятностей (ФРВ) F(x) случайного процесса.
3) Определить первый m1 (математическое ожидание) и второй m2 начальные моменты, а также дисперсию D(x) случайного процесса.

Таблица 5 – Исходные данные
Показатель Значение
Вариант 11
ФПВ w(x) 
a 2
b 6
c 3
d 4
e 0,2

=====================================================

Дополнительная информация

Проверил(а): Резван Иван Иванович
Оценка: Отлично
Дата оценки: 16.12.2022г.

Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи. Вариант №11
Задача №1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: i= S(u-u0), u>=u0; 0, u<u0, где i - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов
User Учеба "Под ключ" : 13 декабря 2020
1400 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи. Вариант №11 promo
Курсовая работа По дисциплине: Теория связи
Проверил: Резван И.И. оценка отлично Новосибирск, 2023 г.
User s800 : 9 октября 2025
800 руб.
Курсовая работа По дисциплине: Теория связи
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи
Задача No1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзисторного амплитудного модулятора Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов. 3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um. 4. С помощью статичес
User jcbgjdf1988 : 13 ноября 2023
500 руб.
Курсовая работа По дисциплине: Теория связи
Задача No1 Вольтамперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением где – ток коллектора транзистора; – напряжение на базе транзистора; – крутизна вольт-амперной характеристики; – напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов. 3. Дать понятие статическо
User WILDPOWER : 28 октября 2022
250 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи
Содержание 1. Введение……………………………………………………………………………...3 2. Задание………………………………………………………………….....................4 3. Исходные данные….……………………………………………………...................5 4. Структурная схема системы связи………………………………….…..................6 5. Структурная схема приемника……………………………….…………………..10 6. Принятие решения приемником по одному отсчету…………………………...12 7. Вероятность ошибки на выходе приемника……………………….….................14
User lebed-e-va : 15 декабря 2015
100 руб.
Теория связи. Вариант 11. Контрольная работа.
Задача No 1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: Требуется: 1) Объяснить назначение модуляции, несущей и описать различные виды модуляции. 2) Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов. 3) Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения U
User Gennady : 3 апреля 2023
1000 руб.
Теория связи. Вариант 11. Контрольная работа.
Теория связи. Контрольная работа. Вариант №11.
Задача No1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением где: ik - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов. 3. Дать понятие
User banderas0876 : 10 июля 2020
350 руб.
Теория связи. Контрольная работа. Вариант №11.
Курсовая работа по дисциплине: Теория связи. 11-й Вариант
Курсовая работа По дисциплине: Теория связи 11 Вариант Задача No1 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением где: ik - ток коллектора транзистора; uб - напряжение на базе транзистора; S - крутизна вольт-амперной характеристики; u0 - напряжение отсечки ВАХ. Требуется: 1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции. 2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип
User dralex : 21 сентября 2020
275 руб.
Криминология
(код КРЛ), 18 заданий по 5 тестовых вопроса Задание 1. Вопрос 1. Назовите метод науки криминологии. 1. диалектический; 2. приемы и способы познания ее предмета; 3. системный; 4. дедуктивный; 5. индуктивный. Вопрос 2. Сколько основных признаков включает в себя определение системы. 1. один; 2. два; 3. три; 4. четыре; 5. пять. Вопрос 3. Назовите основные признаки определения «система». 1. два и более элементов, взаимность и взаимозависимость, целостное единство; 2. совершенство; 3. целостность; 4.
User тантал : 27 июля 2013
100 руб.
Психические последствия травм головного мозга
Введение Знания о психических последствиях травм головного мозга представляют большую практическую значимость для учителей и практических психологов, работающих в любых учебно-воспитательных учреждениях. После травм головного мозга может измениться поведение учащегося, могут нарушаться высшие познавательные процессы и внимание. Появляются изменения в свойствах личности, что может привести к стойкой акцентуации. 1. Классификация травм головного мозга а) все травматические повреждения головного м
User elementpio : 3 февраля 2013
Контрольная работа по дисциплине: «Основы теории измерений электрических параметров». Вариант №1
По рекомендуемой литературе изучить методы определения расстояния до места повреждения сопротивления изоляции жил. Вычертить схемы измерения для определения расстояния до места повреждения методами моста с постоянным отношением плеч (метод Варлея) и моста с переменным отношением плеч (метод Муррея). В соответствии с вариантом по исходным данным таблиц 1 и 2 рассчитать длину исправной линии и определить расстояние до места понижения сопротивления изоляции жил одно- и двусторонними методами Варлея
350 руб.
Исследование банковской системы Калининградского региона
Содержание: Введение………………………………………………………………………………..3 ГЛАВА 1. Теоретические аспекты банковской системы…………………………...4 Понятие банковской системы, ее элементы и взаимосвязи…………………….4 Центральный банк…………………………………………………………………6 1.2.1 Банковское законодательство…………………………………………………..8 Коммерческие банки……………………………………………………………...15 ГЛАВА 2. Исследование банковской системы Калининградского региона……...19 2.1 Структура банковского сектора Калининградской области…………………...19 2.2 Современное состояние и т
User Slolka : 24 декабря 2013
10 руб.
up Наверх