Онлайн Тест 2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4403D8D0-D246-4EE3-B9ED-52575EB90595.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
В цепи синусоидального тока с конденсатором C происходит...
Обратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Необратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Процесс передачи энергии от конденсатора к источнику
Процесс передачи энергии от источника к конденсатору
Нет правильного ответа

Вопрос №2
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа

Вопрос №3
Излучение СИД является:
Стимулированным
Вынужденным
Индуцированным
Спонтанным
Нет правильного ответа

Вопрос №4
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа

Вопрос №5
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа

Вопрос №6
Ватт-амперная характеристика светодиода - это зависимость:
Излучаемой мощности от напряжения на входе
Амплитуды напряжения от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №7
Какой транзистор называется полевым?
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем
Это транзистор, в котором физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков - инжекцией и диффузией неосновных носителей, дрейфом основных и неосновных носителей заряда
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда разных знаков, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим током
Это транзистор, в котором маленький ток затвора позволяет управлять большим током сток-исток
Нет правильного ответа

Вопрос №8
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
минус, плюс
плюс, минус
минус, минус
нет правильного ответа

Вопрос №9
Что такое транзистор?
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий два или три электрода и предназначенный для избирательного пропускания электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойствами усиления сигнала и накопления электрического заряда
Нет правильного ответа

Вопрос №10
Что такое инжекция и экстракция?
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Нет правильного ответа

Вопрос №11
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа

Вопрос №12
В p- слое светодиода носителями являются...
электроны
ионы
дырки
фотоны
нет правильного ответа

Вопрос №13
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа

Вопрос №14
Уровень максимальной мощности, на котором измеряется ширина спектра излучения СИДа, равен...
0,2
0,5
0,707
0,9
Нет правильного ответа

Вопрос №15
В емкостном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа

Вопрос №16
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа

Вопрос №17
Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-l-п фотодиода наличием...
Сильно легированной п- области
Сильно легированной р- области
Слабо легированной п- области
Слабо легированной р- области
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №19
Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
Только активные сопротивления
Только реактивные сопротивления
Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №20
Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
Нет правильного ответа

=============================================

Дополнительная информация

Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.

E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
350 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
1. Расчет и испытание транзисторного ключа 1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа 2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 26 Вариант 4
Жидкость плотностью ρ перетекает из левого отсека бака в правый через отверстие в перегородке диаметром d. Над жидкостью находится газ. Показание ртутного манометра равно hрт, а показание пружинного вакуумметра равно рv. Расстояния от поверхности жидкости в отсеках до центра тяжести отверстия равны H1 и H2. Определить неизвестную величину.
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 26 Вариант 4
Рынок как часть современной экономической жизни
Глава 1. Рыночный механизм и его функции. 1.1 Условия возникновения рынка и его сущность. 1.2 Функции рынка. 1.3 Рыночная экономика. 1.4 Структура и инфраструктура рынка. Глава 2. Основные типологии рынков. 2.1 Рынок потребительских товаров. 2.2 Рынок средств производства. 2.3 Рынок капитала и капитальных активов. 2.4 Рынок инноваций. 2.5 Рынок духовного, интеллектуального продукта. 2.6 Рынок труда. 2.7 Рынок жилой площади. 2.8 Рынок инвестиций. 2.9 Рынки денег, валюты и ценных бумаг. 2.10 Поли
User alfFRED : 22 февраля 2014
10 руб.
Менеджмент и маркетинг в банковской сфере
С развитием рыночных отношений повышается риск неопределенности в деятельности банков и других негосударственных структур, который усиливается следующими факторами: неизвестно количество реальных и потенциальных потребителей их продукции, т. е. динамика и конъюнктура рынка, и в частности конкуренция между отдельными банками, производящими аналогичные товары (банковские услуги), товары–заменители; неизвестны потребности и возможности покупателей, иными словами, как, когда и какую часть банковских
User evelin : 23 марта 2013
10 руб.
История гостеприимства
В пособии рассмотрены основные этапы зарождения и развития гостеприимства как социального феномена, а также индустрии гостеприимства. Приведен анализ причин и предпосылок развития института гостеприимства в эпоху первобытнообщинного строя, на Древнем Востоке и в античном мире. Описаны зарождение и генезис этого общественного института в России, а также возникновение индустрии гостеприимства в Европе и в мире в целом. Впервые освещаются проблемы развития индустрии гостеприимства на Юге России. За
User GnobYTEL : 6 сентября 2012
20 руб.
up Наверх