Онлайн Тест 6 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
-
Категории:
СибГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Тесты
-
Добавлен:
26.04.2023
-
Размер:
172 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
BC09BFA5-CEFB-4B00-8893-3B68C9E99C04.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
Какой транзистор называется полевым?
Это транзистор, в котором маленький ток затвора позволяет управлять большим током сток-исток
Нет правильного ответа
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда разных знаков, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим током
Это транзистор, в котором физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков - инжекцией и диффузией неосновных носителей, дрейфом основных и неосновных носителей заряда
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем
Вопрос №2
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору с р-n переходом и каналом р –типа?
Вопрос №3
Какая характеристика передачи соответствует полевому транзистору со структурой МДП и встроенным каналом р-типа?
Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному - прямое?
Инверсный активный
Нет правильного ответа
Активный
Отсечки
Насыщения
Вопрос №6
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
Вопрос №7
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа
Вопрос №8
Устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую называют
Приемником света
Передатчиком света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Какая характеристика передачи соответствует полевому транзистору со структурой МДП и индуцированным каналом n-типа?
Вопрос №10
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору с р-n переходом и каналом р –типа?
Вопрос №11
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору со структурой МДП и индуцированным каналом n-типа?
Вопрос №12
Какие диоды применяют для выпрямления переменного тока?
Те и другие
Никакие
Точечные
Плоскостные
Вопрос №13
Назовите какие типы приборов соответствуют выпрямительным диодам?
КС808А
КД226А
КВ101
ГД201
Вопрос №14
Что такое транзистор ?
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий два или три электрода и предназначенный для избирательного пропускания электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойствами усиления сигнала и накопления электрического заряда
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Лавинным пробоем р-n перехода называется …
пробой, вызванный эффектом перехода электронов из валентной зоны одного полупроводника в зону проводимости другого
пробой, вызванный образованием потока носителей под действием сильного электрического поля
пробой, вызванный повышением температуры
пробой, вызванный уменьшением (по абсолютной величине) обратного напряжения
Вопрос №16
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
Нет правильного ответа
минус, минус
плюс, минус
минус, плюс
Вопрос №17
Спектральная характеристика СИД – это зависимость:
Излучаемой мощности от длины волны излучения
Тока накачки от длины волны
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…
Ток базы не связан с токами IK и IЭ
Вопрос №19
Укажите отличительные свойства полевого транзистора включенного по схеме с общим стоком, по сравнению с биполярным транзистором включенным по схеме с общим эмиттером (транзисторы имеют одинаковые геометрические размеры).
имеет большее входное сопротивление
имеет меньшее входное сопротивление
обеспечивает меньшие значения Кu
обеспечивает большие значения Кu
обеспечивает большие значения Кi
обеспечивает меньшие значения Кi
Вопрос №20
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
=============================================
Какой транзистор называется полевым?
Это транзистор, в котором маленький ток затвора позволяет управлять большим током сток-исток
Нет правильного ответа
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда разных знаков, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим током
Это транзистор, в котором физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков - инжекцией и диффузией неосновных носителей, дрейфом основных и неосновных носителей заряда
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем
Вопрос №2
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору с р-n переходом и каналом р –типа?
Вопрос №3
Какая характеристика передачи соответствует полевому транзистору со структурой МДП и встроенным каналом р-типа?
Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному - прямое?
Инверсный активный
Нет правильного ответа
Активный
Отсечки
Насыщения
Вопрос №6
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
Вопрос №7
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа
Вопрос №8
Устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую называют
Приемником света
Передатчиком света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Какая характеристика передачи соответствует полевому транзистору со структурой МДП и индуцированным каналом n-типа?
Вопрос №10
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору с р-n переходом и каналом р –типа?
Вопрос №11
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору со структурой МДП и индуцированным каналом n-типа?
Вопрос №12
Какие диоды применяют для выпрямления переменного тока?
Те и другие
Никакие
Точечные
Плоскостные
Вопрос №13
Назовите какие типы приборов соответствуют выпрямительным диодам?
КС808А
КД226А
КВ101
ГД201
Вопрос №14
Что такое транзистор ?
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий два или три электрода и предназначенный для избирательного пропускания электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойствами усиления сигнала и накопления электрического заряда
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Лавинным пробоем р-n перехода называется …
пробой, вызванный эффектом перехода электронов из валентной зоны одного полупроводника в зону проводимости другого
пробой, вызванный образованием потока носителей под действием сильного электрического поля
пробой, вызванный повышением температуры
пробой, вызванный уменьшением (по абсолютной величине) обратного напряжения
Вопрос №16
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
Нет правильного ответа
минус, минус
плюс, минус
минус, плюс
Вопрос №17
Спектральная характеристика СИД – это зависимость:
Излучаемой мощности от длины волны излучения
Тока накачки от длины волны
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…
Ток базы не связан с токами IK и IЭ
Вопрос №19
Укажите отличительные свойства полевого транзистора включенного по схеме с общим стоком, по сравнению с биполярным транзистором включенным по схеме с общим эмиттером (транзисторы имеют одинаковые геометрические размеры).
имеет большее входное сопротивление
имеет меньшее входное сопротивление
обеспечивает меньшие значения Кu
обеспечивает большие значения Кu
обеспечивает большие значения Кi
обеспечивает меньшие значения Кi
Вопрос №20
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
=============================================
Дополнительная информация
Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
radist2020
: 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
antoxa231
: 15 марта 2025
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Другие работы
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-6 Вариант 46
Z24
: 16 февраля 2026
Для сушки используют воздух с температурой t1 и с заданной относительной влажностью φ1. В калорифере его подогревают до температуры t2 и направляют в сушилку, откуда он выходит с температурой t3. Определить:
1) основные параметры влажного воздуха (tм, φ, d, h, pп) для основных точек процессов;
2) расход воздуха M и теплоты q на 1 кг испаренной влаги.
Изобразить процесс в h,d — диаграмме. Данные для решения приведены в таблице 17. Результаты расчетов свести в таблицу 18.
Z24
: 16 февраля 2026
200 руб.
Курсовая работа По дисциплине: Мультисервисные сети связи. Вариант №28.
teacher-sib
: 30 августа 2023
Задание 1
1 Расчет нагрузки, создаваемой сетью доступа на транспортную сеть
1.1 Исходные данные
Исходные данные для расчета нагрузки мультисервисной сети доступа приведены в таблице 2.1.
Таблица 2.1 – Исходные данные
Параметры
трафика Службы МСС
Телефонная Цветной факс Передача файлов Видеотелефония
Количество источников N, тысяч 6,0 0,04 0,01 0,01
Удельная нагрузка ау в ЧНН, Эрл 0,05 0,1 0,2 0,1
Пиковая скорость Vпик, Мбит/с 0,064 2,0 10,0 0,512
Пачечность 1 1 10 5
Доля исходящей нагрузки к
teacher-sib
: 30 августа 2023
800 руб.
Оценка уровня удовлетворенности персонала как показателя вовлеченности в бизнес-процессы на примере компании
GnobYTEL
: 3 октября 2012
Введение
Актуальность оценки уровня удовлетворенности персонала
Проведение оценки уровня удовлетворенности сотрудников
Роль и процесс внедрения корпоративных стандартов
обслуживания клиентов в компании
Список использованной литературы
Приложение 1 - корпоративная анкета исследования
Приложение 2 - корпоративные стандарты
GnobYTEL
: 3 октября 2012
20 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 23
Z24
: 1 января 2026
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м.
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
Z24
: 1 января 2026
200 руб.
