СибГУТИ. Устройства Оптоэлектроники. Контрольная Работа.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника промышленная, Работа Контрольная
-
Добавлен:
17.08.2009
-
Размер:
53 KB
-
Покупок:
20
-
Добавил:
Art55555
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Устройства Оптоэлектроники (Контрольная Работа).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета.
Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5В
Номинал ограничительного сопротивления = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета.
Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5В
Номинал ограничительного сопротивления = 510 Ом
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
4-ый семестр.
Зачет.
4-ый семестр.
Зачет.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники\Контрольная работа 1\Вариант03\СибГУТИ
suhinin
: 26 января 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 03. Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны = 0,6эВ;
Найти:
suhinin
: 26 января 2016
25 руб.
ДО СибГУТИ 14-й вариант. Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники
igoriceg
: 17 октября 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включе
igoriceg
: 17 октября 2016
50 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Устройства Оптоэлектроники». 11-й вариант. Сибгути
parus10810
: 13 апреля 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код
parus10810
: 13 апреля 2014
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Другие работы
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 2.1 Вариант 3
Z24
: 24 октября 2025
Газообразные продукты сгорания котельной установки с массовым расходом m движутся по трубе и выбрасываются в атмосферу.
Какова должна быть высота трубы H, чтобы в точке поддерживалось вакуумметрическое давление рвак?
В таблице обозначены:
ρв — плотность воздуха у земли;
ρг — плотность дымовых газов;
λ — коэффициент сопротивления трения.
Местными потерями пренебречь.
Во всех вариантах принять ρв=1,2 кг/м³, ра=1,013·105 Па.
Z24
: 24 октября 2025
150 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 3 Вариант 40
Z24
: 23 января 2026
В горизонтальном трубчатом теплообменнике охлаждается М (кг/c) керосина с изменением температуры от t’1 до t»1. По каналу перпендикулярно трубам движется воздух, который за счет отводимой от керосина теплоты, нагревается от температуры t’2 до t»2. Теплообменник состоит из бронзовых труб с диаметром dн/dв=37/32 мм, расположенных коридорно. Число рядов труб в пучке n=20.
Определить требуемую поверхность теплообмена.
Z24
: 23 января 2026
200 руб.
Соединение деталей болтом. Задание 69 - Вариант 10
.Инженер.
: 9 декабря 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Соединение деталей болтом. Задание 69 - Вариант 10.
Пользуясь приведёнными условными соотношениями, построить изображения соединения деталей болтом. Размер L подобрать по ГОСТ 7798-70 так, чтобы обеспечить указанное значение К.
Исходные данные:
d=20 мм
n=30 мм
m=25 мм
c=2,5 мм
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертежи в PDF.
.Инженер.
: 9 декабря 2025
100 руб.
Ответственность за кражу по УК РФ
Lokard
: 12 марта 2014
Глава I. Объективные и субъективные признаки кражи
§1. Объективные признаки кражи
(объект и объективная сторона)…..……………………………………....4
§2. Субъективные признаки кражи
(субъективная сторона и субъект)…..…………………………………...10
Глава II. Квалифицированные и особо
квалифицированные виды кражи.
§1. Квалифицированные виды кражи……………………………………….12
а. Группой лиц по предварительному сговору……………………………12
б. Неоднократно……………………………………………………………..13
в. С незаконным проникновением в жилище
либо иное хранилище…………
Lokard
: 12 марта 2014
25 руб.
