СибГУТИ. Устройства Оптоэлектроники. Контрольная Работа.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника промышленная, Работа Контрольная
-
Добавлен:
17.08.2009
-
Размер:
53 KB
-
Покупок:
20
-
Добавил:
Art55555
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Устройства Оптоэлектроники (Контрольная Работа).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета.
Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5В
Номинал ограничительного сопротивления = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Тип ФП - фотодиод с барьером Шоттки.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр
Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2
Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета.
Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода - АЛ102В
Напряжение питания Uпит = 5В
Номинал ограничительного сопротивления = 510 Ом
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
4-ый семестр.
Зачет.
4-ый семестр.
Зачет.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники\Контрольная работа 1\Вариант03\СибГУТИ
suhinin
: 26 января 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 03. Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Исходные данные:
Тип полупроводникового материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны = 0,6эВ;
Найти:
suhinin
: 26 января 2016
25 руб.
ДО СибГУТИ 14-й вариант. Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники
igoriceg
: 17 октября 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включе
igoriceg
: 17 октября 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Устройства Оптоэлектроники». 11-й вариант. Сибгути
parus10810
: 13 апреля 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код
parus10810
: 13 апреля 2014
200 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Устройства оптоэлектроники\Зачетная работа\Билет09\СибГУТИ
suhinin
: 26 января 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Прямозонные и непрямозонные полупроводники.
Раздел Излучатели.
2.Формирователь с активным высоким уровнем.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Пиротехнические фотоприемники.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Структурная схема оптрона.
suhinin
: 26 января 2016
30 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Другие работы
Проект комплексной механизации производства говядины ООО «Аграрий» Дергечевского района Харьковской области с модернизацией прицепного кормораздатчика (прототип КУТ-3А)
Shloma
: 8 июня 2020
В данном дипломном проекте приведена характеристика учебно-опытного хозяйства Полтавской государственной аграрной академии, на базе которого предлагается выполнить дипломный проект по комплексной механизации производственных процессов свинофермы на 400 голов.
В проекте произведен анализ существующей технологий производства свинины, средств механизации трудоемких процессов на свиноферме и сделаны выводы, что с целью увеличения производства свинины, снижения ее себестоимости, увеличения произво
Shloma
: 8 июня 2020
1590 руб.
Проект развития электроснабжения микрорайона г. Строитель.
nashrubin
: 22 мая 2014
В данном дипломном проекте произведен проект развития электроснабжения микрорайона г. Строитель.
При анализе участка городской электрической сети приведена характеристика потребителей электрической энергии города, источников питания и схемы электрической сети рассматриваемого участка. Основная часть электроприемников данного участка относится ко II и III категории. Питание рассматриваемого участка городской электрической сети осуществляется от ПС РП-6 .
nashrubin
: 22 мая 2014
2000 руб.
Определение основных экономических показателей работы и анализ выполнения плана ОСП "Городского почтамта"
Lokard
: 1 ноября 2013
Введение
Почтовая связь является неотъемлемым элементом инфраструктуры общества, содействует укреплению социально-политического единства РФ, способствует реализации конституционных прав и свобод граждан, позволяет создать необходимые условия для осуществления государственной политики в области формирования единого экономического пространства, способствует свободному перемещению товаров, услуг и финансовых средств, свободе экономической деятельности.
Экономической природе почтовой связи присущи
Lokard
: 1 ноября 2013
10 руб.
Технологический процесс изготовления детали типа Крышка
Asya.585
: 27 сентября 2008
П.З. + чертежи.
Вашему вниманию представлен дипломный проект на тему " Технологический процесс изготовления детали "Задняя крышка топливного насоса высокого давления" с применением станков с ЧПУ". Дипломный проект содержит: 85 листов пояснительной за-писки, рисунки и таблицы; использована литература из 23 источников. Графическая часть выполнена на 3-х листах форматом А1 и 4-х листах форматом А2 с использованием чертежно-графического редактора «КОМПАС-График». В качестве исходных данных, име
Asya.585
: 27 сентября 2008
