Онлайн Тест 8 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа
Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №6
В n-слое светодиода носителями являются...
электроны
ионы
дырки
фотоны
нет правильного ответа
Вопрос №7
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа
Вопрос №8
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа
Вопрос №9
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Конструкция полупроводникового лазера отличается от СИДа наличием...
Малыми габаритами
Дополнительного потенциального барьера
Пассивных областей
Резонаторов
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Излучение СИД является:
Стимулированным
Вынужденным
Индуцированным
Спонтанным
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №14
Как можно описать основное свойство биполярного транзистора?
В биполярном транзисторе можно управлять напряжением путем контроля протекающего по нему тока
В биполярном транзисторе ток коллектора напрямую зависит от внутренней проводимости p-n-переходов
В биполярном транзисторе небольшой ток базы управляет большим током коллектора
В биполярном транзисторе контроль уровня потенциальных барьеров p-n-переходов позволяет управлять напряжением
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Имеется ли в полевых транзисторах диффузионная емкость и почему?
Да, поскольку имеется обеднённый слой на месте контакта двух проводников, который создаёт внутреннее поле
Да, поскольку в полевых транзисторах имеется инжекция, обусловленная изменением приложенного напряжения
Нет, поскольку в полевых транзисторах не наблюдается концентрация инжектированных носителей вблизи границ p-n-перехода
Нет, поскольку в полевых транзисторах отсутствует инжекция
Нет правильного ответа
Вопрос №16
При увеличении расстояния между обкладками конденсатора его электрическая емкость...
Возрастает
Не изменяется
Экспоненциальная зависимость
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Общее сопротивление параллельной резистивной цепи...
Больше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Равно сопротивлению наименьшего резистора цепи
Меньше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Когда наблюдается явление резонанса напряжений наблюдается в цепи?
В цепи с параллельным соединением источника энергии и реактивных элементов L и C
В цепи с параллельным соединением реактивных элементов L и C
В цепи с последовательным соединением источника энергии и элементов L и R
В цепи с последовательным соединением источника энергии и реактивных элементов L и C
Нет правильного ответа
Вопрос №19
Как называется электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда:
затвор
исток
сток
нет правильного ответа
Вопрос №20
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
=============================================
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа
Вопрос №3
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа
Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №6
В n-слое светодиода носителями являются...
электроны
ионы
дырки
фотоны
нет правильного ответа
Вопрос №7
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа
Вопрос №8
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа
Вопрос №9
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Конструкция полупроводникового лазера отличается от СИДа наличием...
Малыми габаритами
Дополнительного потенциального барьера
Пассивных областей
Резонаторов
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Излучение СИД является:
Стимулированным
Вынужденным
Индуцированным
Спонтанным
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе
Вопрос №14
Как можно описать основное свойство биполярного транзистора?
В биполярном транзисторе можно управлять напряжением путем контроля протекающего по нему тока
В биполярном транзисторе ток коллектора напрямую зависит от внутренней проводимости p-n-переходов
В биполярном транзисторе небольшой ток базы управляет большим током коллектора
В биполярном транзисторе контроль уровня потенциальных барьеров p-n-переходов позволяет управлять напряжением
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Имеется ли в полевых транзисторах диффузионная емкость и почему?
Да, поскольку имеется обеднённый слой на месте контакта двух проводников, который создаёт внутреннее поле
Да, поскольку в полевых транзисторах имеется инжекция, обусловленная изменением приложенного напряжения
Нет, поскольку в полевых транзисторах не наблюдается концентрация инжектированных носителей вблизи границ p-n-перехода
Нет, поскольку в полевых транзисторах отсутствует инжекция
Нет правильного ответа
Вопрос №16
При увеличении расстояния между обкладками конденсатора его электрическая емкость...
Возрастает
Не изменяется
Экспоненциальная зависимость
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Общее сопротивление параллельной резистивной цепи...
Больше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Равно сопротивлению наименьшего резистора цепи
Меньше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Когда наблюдается явление резонанса напряжений наблюдается в цепи?
В цепи с параллельным соединением источника энергии и реактивных элементов L и C
В цепи с параллельным соединением реактивных элементов L и C
В цепи с последовательным соединением источника энергии и элементов L и R
В цепи с последовательным соединением источника энергии и реактивных элементов L и C
Нет правильного ответа
Вопрос №19
Как называется электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда:
затвор
исток
сток
нет правильного ответа
Вопрос №20
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
=============================================
Дополнительная информация
Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
200 руб.
Другие работы
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 10 Вариант 91
Z24
: 2 января 2026
Определить напор перед стальным дюкером диаметром d мм, имеющем два поворота на угол α = (30 + 2·y)°, если расход Q = (1,3 + 0,1·z) м³/с; длина дюкера L = (25 + 2·y) = 33 м; температура воды t = 15 °C (рис. 10).
200 руб.
Проектирование и методика использования информационной системы оценки знаний по информатике учащихся средней школы
Lokard
: 9 октября 2013
Введение
В последние годы в России в сфере образования наблюдается стремительное усиление интереса к автоматизации различных видов учебной и административной деятельности. В процессе обучения, прежде всего это коснулось информатизации контроля результатов обучения учащихся. Самым популярным видом такого контроля является тестирование, основанное на диалоге информационной системы с пользователем. Стремительный рост быстродействия технических средств, уменьшение цен на вычислительную технику, поя
10 руб.
Товароведение и экспертиза мебели
evelin
: 8 октября 2013
I. Введение. 2
II. Классификация мебели. 3
2.1 Деревянная мебель. 5
2.2 Металлическая мебель. 8
III. Экспертиза мебели. 10
3.1 Товароведная оценка мебели. 10
3.2 Показатели качества мебели. 13
3.3 Оценка качества продукции. 19
Список литературы.. 24
I. Введение
Значительный рост производства мебели сопровождается внедрением более совершенной технологии ее производства, применением более совершенной технологии ее производства, применением новых материалов. Эти факторы, в свою очередь
5 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Информатика (часть 1). Вариант №1
SibGOODy
: 13 июля 2018
Лабораторная работа №2
Тема: «Формирование и обработка одномерных массивов»
Задание
1. В соответствии с вариантом разработайте алгоритм обработки элементов массива.
2. Напишите программу на алгоритмическом языке в соответствии со схемой алгоритма.
3. Проведите тестирование программы в среде программирования.
Вариант №1:
Массив Х[30] нецелых элементов задать датчиком случайных чисел.
Записать в массив Y подряд отрицательные элементы массива Х. Найти их среднее арифметическое.
Содержание работ
250 руб.