Онлайн Тест 8 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 45F6DFDC-027F-4924-BEE4-D73855F82CDB.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа

Вопрос №2
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа

Вопрос №3
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа

Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

Вопрос №5
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №6
В n-слое светодиода носителями являются...
электроны
ионы
дырки
фотоны
нет правильного ответа

Вопрос №7
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа

Вопрос №8
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа

Вопрос №9
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа

Вопрос №10
Конструкция полупроводникового лазера отличается от СИДа наличием...
Малыми габаритами
Дополнительного потенциального барьера
Пассивных областей
Резонаторов
Нет правильного ответа

Вопрос №11
Излучение СИД является:
Стимулированным
Вынужденным
Индуцированным
Спонтанным
Нет правильного ответа

Вопрос №12
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа

Вопрос №13
Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора?
Нет правильного ответа
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе
Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе

Вопрос №14
Как можно описать основное свойство биполярного транзистора?
В биполярном транзисторе можно управлять напряжением путем контроля протекающего по нему тока
В биполярном транзисторе ток коллектора напрямую зависит от внутренней проводимости p-n-переходов
В биполярном транзисторе небольшой ток базы управляет большим током коллектора
В биполярном транзисторе контроль уровня потенциальных барьеров p-n-переходов позволяет управлять напряжением
Нет правильного ответа

Вопрос №15
Имеется ли в полевых транзисторах диффузионная емкость и почему?
Да, поскольку имеется обеднённый слой на месте контакта двух проводников, который создаёт внутреннее поле
Да, поскольку в полевых транзисторах имеется инжекция, обусловленная изменением приложенного напряжения
Нет, поскольку в полевых транзисторах не наблюдается концентрация инжектированных носителей вблизи границ p-n-перехода
Нет, поскольку в полевых транзисторах отсутствует инжекция
Нет правильного ответа

Вопрос №16
При увеличении расстояния между обкладками конденсатора его электрическая емкость...
Возрастает
Не изменяется
Экспоненциальная зависимость
Нет правильного ответа

Вопрос №17
Общее сопротивление параллельной резистивной цепи...
Больше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Равно сопротивлению наименьшего резистора цепи
Меньше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Когда наблюдается явление резонанса напряжений наблюдается в цепи?
В цепи с параллельным соединением источника энергии и реактивных элементов L и C
В цепи с параллельным соединением реактивных элементов L и C
В цепи с последовательным соединением источника энергии и элементов L и R
В цепи с последовательным соединением источника энергии и реактивных элементов L и C
Нет правильного ответа

Вопрос №19
Как называется электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда:
затвор
исток
сток
нет правильного ответа

Вопрос №20
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа

=============================================

Дополнительная информация

Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.

E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
350 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
1. Расчет и испытание транзисторного ключа 1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа 2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Онлайн тестирование по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем". Вариант общий
Вопрос №1 Как определяется дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора? Нет правильного ответа Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока базы при постоянном напряжении на коллекторном переходе Как соотношение приращения напряжения на эмиттерном переходе к приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектор-эмиттер Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока базы при постоянном н
User teacher-sib : 17 мая 2021
500 руб.
Онлайн тестирование по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем". Вариант общий promo
Реферат. Кондиционирование и вентиляция жилых, производственных помещений
Требования по кондиционированию и вентиляции жилых, производственных помещений Кондиционирование — это процесс поддержания температуры, влажности и чистоты воздуха в соответствии с санитарно-гигиеническими требованиями, предъявляемыми к производственным помещениям. Одно из основных требований к системе кондиционирования воздуха — регулирование определенных соотношений между четырьмя переменными величинами: температурой воздуха; средневзвешенным значением температуры внутренних поверхностей ограж
User MrRiver : 30 октября 2016
20 руб.
Задача по физике. Вариант №5
3. Каково гидравлическое сопротивление кровеносного сосуда длиной 0,12 м и радиусом 0,1 мм?
User anderwerty : 25 октября 2014
7 руб.
История района Теплый Стан и поселка Мосрентген
Имя нашего района, пожалуй, одно из самых загадочных географических названий Москвы. Его носило в старину бывшая подмосковная деревня, точнее - группа поселений с центром в селе Троицкое. На географической карте 1763 года, носящей колоритное название "Плань царствующаго Града Москвы с показанием лежащихь мљсть на Тритцать версть въ округь", одном из лучших образцов отечественной картографии середины XVIII века, картограф использовал строчную, маленькую букву в слове "станы", поскольку в ту пору
User Aronitue9 : 25 августа 2013
5 руб.
up Наверх