АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ - Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 16
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Дополнительная информация
Без замечаний!
Год сдачи: 2024 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Год сдачи: 2024 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем- АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
jcbgjdf1988
: 13 ноября 2023
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 11
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 12
3.5. Определение выигрыша в стоимости 14
Список использованных источников 15
Цель работы:
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве на
900 руб.
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ - Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 07
triton88
: 22 декабря 2023
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзист
850 руб.
Контрольная работа АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ. Вариант №6.
Grechikhin
: 28 марта 2023
Задание
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлек
300 руб.
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ - Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 36
Roma967
: 28 марта 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 6
3. Расчёты 7
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 7
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 10
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 11
3.5. Определение выигрыша в стоимости 13
Список использованных источников 14
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффе
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №16
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Контрольная работа
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Задание:
В задании приведены четыре уравнения. В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы ( их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего эти функции. При этом накладываются дополнительные требования:
– общая потребляемая мощность устройства не должна п
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
IT-STUDHELP
: 3 декабря 2022
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации издели
950 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
450 руб.
Другие работы
Черные дыры.
GAGARIN
: 18 сентября 2013
СОДЕРЖАНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ. 3
ОБРАЗОВАНИЕ ЧЕРНЫХ ДЫР. ГРАВИТАЦИОННЫЙ КОЛЛАПС. ГРАВИТАЦИОННЫЙ РАДИУС. 4
КВАНТОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ЧЕРНЫХ ДЫР. 7
ТЕРМОДИНАМИКА ЧЕРНЫХ ДЫР. 9
ЧЕРНЫЕ ДЫРЫ И ТЕРМОДИНАМИКА. 9
ТЕМПЕРАТУРА И ЭНТРОПИЯ ЧЕРНОЙ ДЫРЫ. 11
ТЕРМОДИНАМИКА И ИНФОРМАЦИЯ. 16
ИНФОРМАЦИООНЫЙ ПОДХОД К ТЕРМОДИНАМИКЕ. 16
ЭНТРОПИЯ И ИНФОРМАЦИЯ. 17
ЧЕРНЫЕ ДЫРЫ И ВРЕМЯ. 21
ЭФФЕКТ ЗАМЕДЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ НА ПОВЕРХНОСТИ ЧЕРНОЙ ДЫРЫ. 21
КВАНТ ПРОСТРАНСТВА - ВРЕМЕНИ НА ПОВЕРХНОСТИ ЧЕРНОЙ ДЫРЫ. 22
ТИПЫ ЧЕР
150 руб.
Радиотехника. РГЗ
vovan1441
: 31 октября 2020
Параметры генераторных транзисторов:
1. m = 1 – предпоследняя цифра пароля;
2. Тип активного элемента (АЭ): 2П907Б;
3. P1 = 7 Вт – мощность генератора в критическом режиме;
4. Eс = 40 В – питающее напряжение
5. rнас = 10 Ом;
6. rи = 0,1 Ом;
7. Ri = 160 Ом;
8. S = 0,135 А/В;
9. E0 = 0 В.
Угол отсечки стокового тока в критическом режиме:
1. n = 5 – последняя цифра пароля;
2. θкр = 72о;
3. cos(θкр) = 0,309;
4. αo = 0,259;
5. α1 = 0,444;
6. β1 = 0,307.
250 руб.
Станция управления фонтанной арматурой модели СУФА12/9 www.kng.ru, Авторское свидетельство № 2181426 Станция управления фонтанной арматурой и подземным клапаном-отсекателем газодобывающих скважин, Станция управления СУЗ-35В1, Станция фонтанного комплекса
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 30 мая 2016
Станция управления фонтанной арматурой модели СУФА12/9 www.kng.ru, Авторское свидетельство № 2181426 Станция управления фонтанной арматурой и подземным клапаном-отсекателем газодобывающих скважин, Станция управления СУЗ-35В1, Станция фонтанного комплекса СФК60 www.kng.ru, Станция управления СУ1-35В1 Абдуллаев Ю.Г. Монтаж, эксплуатация и ремонт оборудования фонтанных и нагнетательных скважин-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Нефтегазопромысловое оборудование-Патент-
596 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 3 Задача 5 Вариант 8
Z24
: 1 января 2026
Трубопровод наружным диаметром d1 = 150 мм, степенью черноты поверхности ε1 = 0,75 и температурой поверхности t1, окружен цилиндрическим тонкостенным экраном (трубой) диаметром d2 и степенью черноты обеих поверхностей ε2 (табл. 9.7). Определить потери теплоты излучением с одного метра длины внутреннего трубопровода. Температура атмосферного воздуха t3 = 27°C, его степень черноты ε3 принять равной единице. На сколько процентов возрастут тепловые потери излучением с 1 м трубы при отсутствии
200 руб.