Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Категории: ДО СИБГУТИ, Физика , Практические занятия и отчеты
Добавлен: 10.05.2024
Размер: 179 KB
Покупок: 1
Добавил:
s0nnk

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

100 руб.

Скачать

Состав работы

739BA31C-A57D-4D59-81B7-2446C0407AB9.zip [ 179 KB ]

Лаб1.doc [ 288 KB ]

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

1 . Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2. Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная

blur : 31 августа 2023

50 руб.

«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»

1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5

******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники

beke : 7 ноября 2015

185 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

ramzes14 : 6 ноября 2012

70 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

RomIN : 1 июля 2010

50 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

DaemonMag : 4 февраля 2010

30 руб.

Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы

СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

MK : 30 сентября 2016

152 руб.

Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.

СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники

MK : 27 июня 2016

174 руб.

Дифференциал ГАЗ-66

Описано устройство и работа кулачкового дифференциала автомобиля ГАЗ-66 Дифференциал предназначен для распределения крутящего момента между ведущими колесами автомобиля и дает им возможность вращаться с разными угловыми скоростями. Распределение крутящего момента поровну между всеми ведущими колесами целесообразно в случаях, когда автомобиль движется по дороге с высоким коэффициентом сцепления шин с дорогой. При этом уменьшается нагруженность привода колес, замедляется изнашивание шин и снижаетс

Рефераты Автомобили и технологическое обслуживание

Neyron : 28 декабря 2008

Проведение расчета теплопередачи

Задача No 1. Расчет теплопередачи через плоскую многослойную стенку. Плоская стальная стенка толщиной δс омывается с одной стороны горячими газами с температурой t_(ж_1), а с другой стороны – водой с температурой t_(ж_2). Определить коэффициент теплопередачи k от газов к воде, плотность теплового потока q и температуры обеих поверхностей стенки, если известны коэффициенты теплоотдачи от газа к стенке α1 и от стенки к воде α2, коэффициент теплопроводности стали λ. Определить также все указанные

Теплотехника Работа Курсовая

elementpio : 13 сентября 2012

40 руб.

Зачетная работа по дисциплине: Экономико-математические методы. Вариант №12

1. Оптимизация сетевого графика при поточной организации работ на объекте. 2. Расчет оптимального числа резервного оборудования в системах массового обслуживания. 3. Задача: К началу текущей пятилетки на предприятии установлены новые передатчики. Зависимость производительности этих передатчиков от времени его использования предприятием и величина их остаточной стоимости при различном времени использования приведены в таблице: Определить стратегию замены оборудования по годам пятилетки.

СибГУТИ Работа Зачетная Экономическая теория

ldv : 29 ноября 2014

199 руб.