Контрольная и Лабораторные 1-2 по дисциплине:. Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 07 Поможем сдать все по ДО СИБГУТИ
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Помогу сдать все виды работ по ДО СИБГУТИ. Работаем с 2016 года.
Лабораторная работы 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
1 Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
2 Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).
3 Разработка цифрового устройства
3.1 Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение
========================================
Лабораторная работы 2
Изучение интегральных операционных усилителей
1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
схему устройства;
виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
список использованных источников информации.
=========================================
=========================================
=========================================
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
7 Dual-Core Intel Xeon 5110 КТ368Б 6Э13Н ATF1504AS
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
16 6Э13Н 140 6,3 7 27 12 11 20,8 5 140
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
16 КТ368Б 30 10 5,84 5,3 1 27,44
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
9 ATF1504AS 130 6000 5,0 100 144 1,2 12 86,32
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребля-емая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Пло-щадь S, кв. мм Напряже-ние питания, В Высо-та h, мм Техно-логия, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
7 Dual-Core Intel Xeon 5110 321 771 65 95 1,60 80 1,2 1,4 2,6 65 8257
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
Лабораторная работы 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
1 Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
2 Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).
3 Разработка цифрового устройства
3.1 Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение
========================================
Лабораторная работы 2
Изучение интегральных операционных усилителей
1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
схему устройства;
виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
список использованных источников информации.
=========================================
=========================================
=========================================
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
7 Dual-Core Intel Xeon 5110 КТ368Б 6Э13Н ATF1504AS
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
16 6Э13Н 140 6,3 7 27 12 11 20,8 5 140
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
16 КТ368Б 30 10 5,84 5,3 1 27,44
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
9 ATF1504AS 130 6000 5,0 100 144 1,2 12 86,32
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребля-емая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Пло-щадь S, кв. мм Напряже-ние питания, В Высо-та h, мм Техно-логия, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
7 Dual-Core Intel Xeon 5110 321 771 65 95 1,60 80 1,2 1,4 2,6 65 8257
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №4
Сергей449
: 8 июня 2025
Лабораторная работа No1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
1 Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
2 Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическ
350 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №06
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант №06
ТЕМА: АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы: оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники
Исходные данные
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
1. AMD Sempron M 3000+ КТ368Б 6С65Н ATF2500C
1. Определение выигрыша во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, тр
1300 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №03
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант No03
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Оп
1300 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №02
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Разработка интегрального цифрового устройства
ЦЕЛЬ РАБОТЫ:
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формальную электрическую схему устройст
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №28
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Разработка интегрального цифрового устройства
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). Варианты приведены в приложении А.
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формал
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №13
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов.
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №33
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов.
1200 руб.
Другие работы
Инженерная графика. Задание №79. Вариант №9. Передача зубчатая коническая
Чертежи
: 13 мая 2021
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 79. Вариант 9. Передача зубчатая коническая
Выполнить чертеж конической зубчатой передачи. Размеры шпонок и пазов для них установить по ГОСТ 23360-78. Нанести размеры диаметров валов.
В состав работы входит один файл – чертеж цилиндрической зубчатой передачи соответствующего варианта. Все параметры рассчитаны по формулам со скриншота, прикрепленного сюда.
*.rar - это разрешение файла сем
100 руб.
Гидромеханика ГУМРФ им. адм. С. О. Макарова 2017 Задача 1.3 Вариант 9
Z24
: 27 октября 2025
Определите указанную величину объемного расхода жидкости в системе СИ. Подробно покажите порядок вычислений.
120 руб.
ВТО. Всемирная торговая организация
Анастасия160
: 19 января 2016
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВEДEНИE 3
ГЛAВA 1. ВCEМИРНAЯ ТОРГОВAЯ ОРГAНИЗAЦИЯ (ВТО). 4
1.1.ВОЗНИКНОВEНИE И CУЩНОCТЬ ВCEМИРНОЙ ТОРГОВОЙ ОРГAНИЗAЦИИ 4
1.2.ФУНКЦИИ И ЦEЛИ ВТО 4
1.3.ОРГAНИЗAЦИОННAЯ CТРУКТУРA ВТО 4
ГЛAВA 2. РОCCИЯ И ВCEМИРНAЯ ТОРГОВAЯ ОРГAНИЗAЦИЯ 10
2.1. ОCНОВНЫE CОГЛAШEНИЯ И ПРИНЦИПЫ ВТО 10
2.2.ВCТУПЛEНИE РОCCИИ В ВТО 10
2.3. ПЛЮCЫ И МИНУCЫ ВCТУПЛEНИЯ РОCCИИ В ВТО 10
ГЛAВA 3.РОCCИЯ ПОCЛE ВCТУПЛEНИЯ В ВТО; 18
3.1. РОCCИЯ ПОCЛE ВCТУПЛEНИЯ В ВТО 18
3.2.РACCЛОEНИE ПРОМЫШЛEННОCТИ 18
3.3. ТОВAРНЫE ОГР
700 руб.
Некрасов Б.Б. Задачник по гидравлике, гидромашинам и гидроприводу Задача 1.23
Z24
: 3 декабря 2025
Определить силу F, необходимую для удержания поршня на высоте h2=2 м над поверхностью воды в колодце. Над поршнем поднимается столб воды высотой h1=3 м. Диаметры: поршня D=100 мм, штока d=30 мм. Вес поршня и штока не учитывать.
150 руб.