ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Билеты экзаменационные
-
Добавлен:
02.03.2025
-
Размер:
750 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
SOKOLOV
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
981304D3-C830-42D2-942D-094CD32EC523.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, оценка отлично.
Борисов Александр Васильевич
2025
СИБГУТИ
Борисов Александр Васильевич
2025
СИБГУТИ
Похожие материалы
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
gnv1979
: 13 июня 2016
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля.
Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
gnv1979
: 13 июня 2016
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
nik200511
: 22 февраля 2014
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
nik200511
: 22 февраля 2014
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
tusur
: 25 июня 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
tusur
: 25 июня 2014
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Билет №7.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
teacher-sib
: 4 апреля 2017
90 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Другие работы
Экономические функции, формы и методы вмешательства государства в экономику
GnobYTEL
: 1 августа 2012
Введение.
Объективная необходимость вмешательства государства в рыночную экономику. Экономические функции государства.
Тенденции изменения роли государства в открытой рыночной экономике.
Роль государства в формировании социально ориентированной модели национальной экономики Республики Беларусь.
Заключение.
Список литературы.
Приложения.
Важнейшую роль в жизни общества играет государство, которое выступает как форма его политической организации. Государство определяет поведение и жизнедеятел
GnobYTEL
: 1 августа 2012
20 руб.
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 8 Вариант 78
Z24
: 12 марта 2026
Определить количество автонасосов АНР-40-130, необходимое для подачи воды в перекачку, если разность высотных отметок между головным автонасосом и водоисточником Z. Перекачка производится на расстояние L по двум прорезиненным рукавным линиям диаметрами d1 и d2. Головной автонасос, расположенный у места пожара, обеспечивает работу двух стволов с диаметрами насадков dH1 и dH2. Насос работает в режиме α = 0,75.
Рукава системы прорезиненные.
Примечание: При перекачке из насоса в насос в конце ма
Z24
: 12 марта 2026
200 руб.
Процессы и аппараты пищевых производств УрГЭУ Задача 3.1
Z24
: 20 октября 2025
Паропровод длиной 40 м, диаметром 51×2,5 мм покрыт слоем изоляции толщиной 30 мм; температура наружной поверхности изоляции tп=45 ºС, а внутренней tст=175 ºС. Определить количество теплоты, теряемое паропроводом в 1 час. Коэффициент теплопроводности изоляции λ=0,016 Вт/(м·К).
Z24
: 20 октября 2025
150 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 93
Z24
: 8 января 2026
Определить необходимую толщину слоя теплоизоляции δиз наружной стены холодильной камеры (рис. 3), если:
толщина стены δст;
коэффициенты теплопроводности соответственно материала стены и теплоизоляции λст и λиз;
температура наружного воздуха и воздуха в холодильной камере tв1 и tв2;
коэффициенты теплоотдачи от наружного воздуха к стене α1 и от поверхности теплоизоляции к воздуху в холодильной камере α2;
заданная плотность теплового потока q.Оценить также температуры поверхностей tc1, tc2 и
Z24
: 8 января 2026
150 руб.
