ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, ДО СИБГУТИ, Билеты экзаменационные
-
Добавлен:
02.03.2025
-
Размер:
750 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
SOKOLOV
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
981304D3-C830-42D2-942D-094CD32EC523.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, оценка отлично.
Борисов Александр Васильевич
2025
СИБГУТИ
Борисов Александр Васильевич
2025
СИБГУТИ
Похожие материалы
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
gnv1979
: 13 июня 2016
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля.
Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
gnv1979
: 13 июня 2016
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет №4
nik200511
: 22 февраля 2014
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
nik200511
: 22 февраля 2014
58 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
tusur
: 25 июня 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
tusur
: 25 июня 2014
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Билет №7.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
teacher-sib
: 4 апреля 2017
90 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Другие работы
Спроектировать и рассчитать одноступенчатый цилиндрический редуктор
Рики-Тики-Та
: 23 октября 2010
Содержание
Введение 1
Выбор электродвигателя. Определение основных кинематических и энергетических параметров редуктора 2
Расчет закрытой передачи 4
Расчёт шестерни открытой передачи 14
Проектный расчет валов и подбор подшипников 16
Проверочный расчет валов на выносливость 20
Определение коэффициента запаса усталостной прочности 22
Проверочный расчет подшипников 25
Конструирование элементов корпуса 27
Смазка зубчатой передачи 28
Расчет шпонок 30
Список литературы 32
Редуктором называют механизм
Рики-Тики-Та
: 23 октября 2010
55 руб.
Проблемы системы подготовки специалистов с высшим образованием
evelin
: 20 октября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1.1. Основные функции образования как социально-экономической системы
1.2. Состояние и особенности подготовки специалистов с высшим образованием на современном этапе
Глава 2. Государственное задание на обучение специалистов с высшим профессиональным образованием в системе высшего образования
2.1. Необходимость государственного регулирования высшего образования
2.2. Обща
evelin
: 20 октября 2013
45 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-6 Вариант 59
Z24
: 16 февраля 2026
Для сушки используют воздух с температурой t1 и с заданной относительной влажностью φ1. В калорифере его подогревают до температуры t2 и направляют в сушилку, откуда он выходит с температурой t3. Определить:
1) основные параметры влажного воздуха (tм, φ, d, h, pп) для основных точек процессов;
2) расход воздуха M и теплоты q на 1 кг испаренной влаги.
Изобразить процесс в h,d — диаграмме. Данные для решения приведены в таблице 17. Результаты расчетов свести в таблицу 18.
Z24
: 16 февраля 2026
200 руб.
Лабораторная работа №№1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. цифры 16
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
Лабораторная работа No1
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
Вариант 6
Параметр
h21э 00
Ск, пФ 10
fh21э, МГц 1,5
rбб, Ом 120
E0, В 15
iк0, мА 3
2. Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов
усиления;
построение и использование нагрузочных прямых резисторного
каскада для постоянного и переменного токов на семействе
выходных статических характеристик;
свойства и особенности
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
1050 руб.
