Физические основы электроники. Контрольная работа

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная Работа (ФОЭ)-3вариант.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ

Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.

Дополнительная информация

Сдавалась работа в 2009г. Раднаевой., без проблем.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Описание: Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. № вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К, 6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230 Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
User Иннокентий : 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User andreyan : 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Технико-экономическое обоснование применения программного обеспечения "Предприятие 2007" у пользователя
Автоматизация складского учета на предприятии. В настоящее время уровень технического развития персональных компьютеров позволяет использовать их как в быту, так и на производстве. Современное программное обеспечение по вводу, обработке, хранению и модификации данных позволяет сэкономить ощутимое количество труда и времени, а также позволяют легко оперировать с огромными массивами информации, выполнять точный и полный анализ данных и выводить общие или скрупулезные отчеты по итогам работы, пров
User Slolka : 16 августа 2013
5 руб.
Экзамен по предмету: Цифровые системы передачи. Билет №1
Экзамен по предмету Цифровые системы передачи Билет № 1 1. Аналогово-цифровое преобразование. 2. Согласование скоростей цифровых потоков в ПЦИ.
User te86 : 17 декабря 2013
60 руб.
Оправка с рожковой мембраной - И34.29.00.00 СБ
Иванов Ю.Б. Атлас чертежей общих видов для деталирования. Вариант И34.29.00.00 - Оправка с рожковой мембраной. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели. Центровая оправка с рожковой мембраной, применяемая в массовом производстве при обработке тонкостенных втулок и колец большого диаметра, обеспечивает высокую концентричность обрабатываемых поверхностей относительно базовой. Установку и съем обрабатываемой детали производят на оправке, которая закрепляется в специальном пневматическом приспособле
User .Инженер. : 2 ноября 2023
750 руб.
Оправка с рожковой мембраной - И34.29.00.00 СБ promo
Теория электрических цепей (часть 2). Лабораторная работа №4. Вариант: 07
Лабораторная работа № 4 Исследование реактивных двухполюсников 1. Цель работы Исследование зависимости входного сопротивления реактивного двухполюсника от частоты Исследовать работу схемы реактивного двухполюсника, реализованного по 1-й форме Фостера (рисунок 4.1, а). Задать E = 1 В, R0 = 10 кОм, L1 = L2 = 1 мГн, C1 = 63,536 нФ, С2 = 15,831 нФ, С = (100+Nx5) нФ, где N- номер варианта (последняя цифра пароля).
User seka : 10 июня 2019
80 руб.
up Наверх