Физические основы электроники. Контрольная работа

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 7A60C11A-F078-46C1-B427-002750138077.rar [837 KB]
material.view.file_icon Контрольная Работа (ФОЭ)-3вариант.doc [Office 2010, 1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ

Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.

Дополнительная информация

Сдавалась работа в 2009г. Раднаевой., без проблем.

Похожие материалы

Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
Основы техники связи СибГУТИ Работа Контрольная
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
Электроника Работа Контрольная
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Описание: Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. № вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К, 6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230 Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Иннокентий : 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User andreyan : 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»

Другие работы

Электропитание устройств и систем телекоммуникаций. Лабораторная работа №2.
Цель работы . Экспериментальное определение основных электрических характеристик и изучение приёмов управления работой СБЭП– 48/160 через панель управления и с помощью персонального компьютера. Теоретические сведения. СБЭП предназначена для электропитания аппаратуры связи и телекоммуникаций, а также промышленного оборудования различного назначения номинальным напряжением 48 В постоянного тока в буфере с аккумуляторной батареей (АБ) или без нее. Изделие рассчитано на работу от однофазной трехпр
ДО СИБГУТИ Электропитание устройств и систем телекоммуникаций Работа Лабораторная
User CameronCarmona : 7 февраля 2023
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4-й сем.). Контрольная работа №1. вариант №4 (14)
Выбор варианта задания. Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50. Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжен
Информационные технологии и системы СибГУТИ Работа Контрольная
User Udacha2013 : 21 сентября 2014
200 руб.
Задание 9.Конституционное (государственное) право России Письменное контрольное задание
1. Раскройте конституционно-правовой статус иностранных граждан, лиц без гражданства, беженцев и вынужденных переселенцев 2. Охарактеризуйте основные функции конституции и их особенности в России. 3. Дайте характеристику правового статуса Президента РФ. Функции Президента РФ.
Конституционное право РФ СибАГС (Сибирская академия государственной службы) Работа Контрольная
User gnv1979 : 1 мая 2016
30 руб.
Замкнутые инвариантные пространства функций на кватернионных сферах
Кватернионную сферу S4n-1 естественно рассматривать как однородное пространство группы Sp(n), действие задается левыми сдвигами. В связи с этим возникает задача описания замкнутых Sp(n)-инвариантных подпространств L p при Замкнутые инвариантные пространства функций на кватернионных сферахи пространства непрерывных функций на сфере S4n-1, решенная в данной работе. 1. Предварительные сведения из теории алгебр Ли.
Математика Работа
User Lokard : 12 августа 2013
5 руб.
up Наверх