Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
30 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 687DDFB3-DC06-4A0E-A71E-2515D1E1CA45.rar [ 149 KB ]
material.view.file_icon ФОЭ (ЛР-№1).doc [ 8 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр

Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Дополнительная информация

Оценка зачет! Год сдачи 2010.

Похожие материалы

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 27 июня 2016
174 руб.

Другие работы

Закономерности употребления личного и безличного предложений с глагольными сказуемыми типа хочу-хочется, верю-верится
В современном русском литературном языке параллельные (то есть существующие самостоятельно и в то же время находящиеся в тесных грамматических связях) конструкции с глагольными сказуемыми типа хочу - хочется, верю - верится, плачу - плачется образуют однородный по особенностям употребления и очень богатый количественно ряд соотношений. Очевидно, что рост этого ряда определяется возможностью возникновения безличных глаголов от личных с помощью аффикса -ся (сь), способного придавать глаголам безли
Языкознание Работа
User Slolka : 24 февраля 2014
Техническое задание на разработку номограммного кипрегеля
1. Введение. В условиях разработки и внедрения нового поколения методов и средств измерений возрастает роль геодезического инструментоведения прикладной технической дисциплины, изучающей теорию, устройство, методы исследований и юстировки геодезических приборов, а также правила их технического обслуживания, эксплуатации и метрологического обслуживания. Современный инженер-геодезист должен хорошо знать устройство геодезических приборов, чтобы правильно их выбирать, успешно применять и устранять
Геология. Геодезия. Разраб. полезных ископ. Работа
User alfFRED : 27 сентября 2013
10 руб.
Подходы к управлению с экологическим риском
В последние 2-3 десятилетия понятие экологического риска широко используется в описании взаимодействия между опасными экологическими воздействиями и объектами окружающей среды. Возможность количественного анализа программ и мероприятий по обеспечению экологической безопасности является серьезным аргументом, способствующими все более широкому применению концепции экологического риска в деятельности различных организаций, в том числе страховых компаний. Рассмотрим основные понятия и определения, о
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User VikkiROY : 18 марта 2013
5 руб.
Онлайн тест по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных систем
Вопрос No1 Определить входное сопротивление усилителя, если Рн = 4Вт, Rн =4Ом, К = 40дБ, Еист = 120мВ, Rист = 6кОм. 3кОм 1кОм 30кОм 6кОм Вопрос No2 В двухкаскадном усилителе коэффициент усиления по напряжению 1 каскада равен 20дБ, второго – 26дБ. Определить величину выходного напряжения, если Uвх = 0,1 В. 52мВ 2В 0,52В 20В Кu1=10(0,05*20)=10 раз Кu2=10(0,05*26)=19,95 раз Кu= Кu1* Кu2=10*19,95=199,5 раз Коэффициент усиления по напряжению: Кu=Uвых/Uвх Uвых= Кu* Uвх=199,5*0,1=19,5 В Ответ:20 В
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Зачетная
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 8 февраля 2022
400 руб.
Онлайн тест по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных систем
up Наверх