Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
04.02.2010
-
Размер:
149 KB
-
Покупок:
27
-
Добавил:
DaemonMag
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФОЭ (ЛР-№1).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Дополнительная информация
Оценка зачет! Год сдачи 2010.
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Системы сигнализации в сетях связи. Вариант 03
Roma967
: 24 августа 2025
Вариант 3
TLink1B 12:02.906
000: 43 63 2F 85 41 60 00 78 97 00 01 00 20 01 0A 00
010: 02 0A 08 83 90 82 11 52 47 62 0F 0A 06 83 13 30
020: 24 71 60 1D 03 80 90 A3 03 04 1E 02 80 83 08 01
030: 00 00
TLink1A 12:03.171
000: 53 33 16 85 01 60 10 78 67 01 06 16 01 01 21 08
010: 83 90 83 61 12 71 20 0F 00
TLink1B 12:03.378
000: 13 31 0D 85 41 60 00 98 89 00 0C 02 00 02 40 92
TLink1A 12:03.399
000: 33 32 0E 85 01 60 10 18 81 00 10 01 12
Roma967
: 24 августа 2025
1300 руб.
Сопромат Задача 6.25 Вариант 7
Z24
: 15 ноября 2025
ля заданного типа стержня (рис.2. 0-9) требуется написать выражение F и М для каждого участка в общем виде, построить эпюры поперечных сил и изгибающих моментов, найти максимальный момент и подобрать стандартный профиль любого вида сечения из алюминия или стали. Данные взять из табл. 2. Длины отрезков даны в метрах.
Z24
: 15 ноября 2025
300 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: «Сети связи и системы коммутации» по теме: «Протокол маршрутизации BGP»
dralex
: 14 июля 2020
Лабораторная работа №2
По дисциплине: «Сети связи и системы коммутации»
По теме: «Протокол маршрутизации BGP»
Цель работы: Ознакомиться с принципами адресации и маршрутизации в IP сетях.
Выполнение работы.
После выполнения входа в программу и ответов на ряд теоретических вопросов начинаем выполнение первой части лабораторной работы.
dralex
: 14 июля 2020
200 руб.
Опора. Вариант №10
lepris
: 20 февраля 2022
Опора Вариант 10
1. Построить трехмерную модель Опоры, выполнив
сквозные вырезы по нанесенной разметке.
2. По модели создать и оформить трехпроекционный ассоциативный чертеж и дополнить его аксонометрией.
Чертеж и 3д модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
lepris
: 20 февраля 2022
80 руб.
