Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
01.07.2010
-
Размер:
296 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
RomIN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Отчет ЛР1.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
История.Экзамен."Военный коммунизм" и НЭП: две большевистских модели строительства социализма.
nastia9809
: 5 марта 2015
1. Политика «военного коммунизма».
1.2. Основные элементы политики «военного коммунизма».
1.3. Последствия «военного коммунизма».
2. Новая экономическая политика.
2.1. Предпосылки перехода к НЭПу.
2.2. Основные элементы НЭПа.
2.3. Противоречия НЭПа.
3. Свертывание НЭПа.
nastia9809
: 5 марта 2015
60 руб.
Дипломный проект на тему: Проект цеха по производству деталей узла турбины с детальной розработкой участка по изготовлению проставки 317830493.
Астер
: 4 апреля 2009
Работа содержит полную пояснительную записку(конструкторская, технологическая часть, экономика, планировка цеха и т.д.), необходимый комплект чертежей, техпроцесс и спецификации.
В дипломном проекте представлен анализ технических требоваий и технологический процесс изготовления проставки ротора ком-прессора в условиях среднесерийного производства.
Проведён анализ служебного назначения детали и технических требований. Выполнен критический анализ технических требований и норм точности, предъявля
Астер
: 4 апреля 2009
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №20. Детали №1,2,3,4
Чертежи
: 26 марта 2020
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 45. Вариант 20. Задачи 1-4.
Тема: Проекционные виды.
Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры.
В состав работы входят 12 файлов:
– 4 3D модели деталей;
- 4 ассоциативных чертежа в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами (по одному для каждой 3D модели);
– 4 обычных чертежа в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и ди
Чертежи
: 26 марта 2020
150 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 49
Z24
: 4 февраля 2026
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками
Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
Z24
: 4 февраля 2026
250 руб.
