Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
01.07.2010
-
Размер:
296 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
RomIN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Отчет ЛР1.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Модернизация ленточного конвейера для склада заполнителей Хлебодаровского щебеночного завода
Рики-Тики-Та
: 4 февраля 2012
С О Д Е Р Ж А Н И Е
Введение……………………………………………………………………………..6
1. Обоснование темы работы…………………………………………………7
1.1. Свойства измельчаемых материалов………………………………………7
1.2. Общие сведения о дробильно-сортировочных заводах
и их классификация………………………………………………………..17
1.3. Выбор стадий дробления и технологических схем
дробильно-сортировочных заводов………………………………………20
1.4. Цель и задачи дипломного проекта……………………………………….36
2. Общий расчет конвейера…………………………………………………..38
2.1. Исходные
Рики-Тики-Та
: 4 февраля 2012
55 руб.
Оптимизация программы производства транспортировки продукции
VikkiROY
: 12 ноября 2012
Задание
Вариант задания (V) выбирается в соответствии с номером зачетной книжки.
1) Моделирование оптимальной производственной программы предприятия в условиях расширения производства с использованием кредита. Задача состоит в определении оптимальных производственных мощностей филиалов для производства определенного количества продукции различных видов.
2) Моделирование оптимальной структуры автопарка машин. Необходимо определить оптимальную структуру парка машин предприятия, которые будут транс
VikkiROY
: 12 ноября 2012
5 руб.
Бюджетирование. Экзамен. Билет №4
Ирина62
: 25 ноября 2016
Билет № 4
1 Отличие бюджета от плана.
2 Чем характеризуется центр затрат?
3 Информация о наличии незавершенного производства отражается в
бюджете.
4 Генеральный бюджет – это:
1. совокупность планов, составленных для организации в целом;
2.совокупность планов, составленных для основных структурных
подразделений организации;
3.совокупность планов, предназначенных для составления прогнозного
отчета о прибылях и убытках.
5 Затраты, которые можно сгруппировать по мес
Ирина62
: 25 ноября 2016
170 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 5 Вариант 62
Z24
: 13 января 2026
Определение технико-экономических показателей теоретического цикла Ренкина
Паротурбинная установка работает по теоретическому циклу Ренкина. Давление и температура водяного пара на выходе из парогенератора (перед турбиной): p1 и t1; давление пара после турбины (в конденсаторе) p2.
Определить термический коэффициент полезного действия цикла ηt и теоретический удельный расход пара d, кг/(кВт·ч) при следующих условиях работы установки:
I — p1, t1 и p2 — (все параметры взять из табл. 6);
Z24
: 13 января 2026
250 руб.
