Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
01.07.2010
-
Размер:
296 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
RomIN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Отчет ЛР1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Устройство запорное - 15.000 СБ
.Инженер.
: 14 декабря 2020
Аксарин П. Е. Чертежи для деталирования. Задание 15. Устройство запорное. Деталирование.
Концевое запорное устройство предназначено для соединения концов рукавов при перепуске сжатого воздуха из одной емкости в другую. При соединении концов рукавов накидной гайкой 7 шарики 10 отжимаются от седла клапана и корпуса, тем самым открывая проход воздуху. При разъеме "концов рукавов шарики под действием пружины 6 и давления воздуха плотно закрывают выходные отверстия обоих концов.
На схеме показано по
.Инженер.
: 14 декабря 2020
170 руб.
Расчет чувствительности и дальности радиосвязи
Пёс1
: 30 октября 2020
Показатель Значение
Вариант 23
Частота f, ГГц 1,5
Высота подвеса передающей h1 антенны, м 15
Высота подвеса приёмной h2 антенны, м 2,0
Усиление передающей G1 антенны, дБи 10
Усиление приёмной G2 антенны, дБи 3,0
Коэффициент шума приёмника n, дБ 2,0
Roll off factor α 0,45
Скорость передачи Rb, Мбит/с 6
Позиционность модуляции М 16
Мощность передатчика Рп, Вт 3
Тип местности сельская
Длина фидера l, м равна высоте антенны
Пёс1
: 30 октября 2020
150 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-5 Вариант 43
Z24
: 15 февраля 2026
В паровом подогревателе вода нагревается от температуры t′ до температуры t″.
Определить поверхность нагрева подогревателя и расход пара для противоточной схемы движения теплоносителей, если:
— давление пара p, степень сухости его x;
— температура конденсата tк;
— производительность аппарата по воде m;
— коэффициент теплоотдачи со стороны пара α1, со стороны воды α2.
Толщина стальной стенки теплообменника 3 мм. Стенка покрыта слоем накипи толщиной 0,5 мм.
Коэффициент полезно
Z24
: 15 февраля 2026
200 руб.
Расчет долговечности ротора
evelin
: 5 января 2014
Содержание:
Введение…………………………………………………………………………………..…..2
Буровой ротор. Назначения и основные требования………………………….…...3
Конструкция ротора…………………………………………………………….……5
Р560-Ш8……………………………………………………………….………5
У7-520-2……………………………………………………………….………7
Р-700…………………………………………………………………………..8
Индивидуальный привод ротора…………………………………………………..10
Индивидуальный привод на ротор ПИРЗ-4М………………….................10
Определение мощности привода ротора…………………………………..11
Нагрузки на роторный стол………………………………………
evelin
: 5 января 2014
15 руб.
