Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
01.07.2010
-
Размер:
296 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
RomIN
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Отчет ЛР1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
направлении приведена на рис.1.
Переводом двухпозиционного переключателя подключаем к цепи диод Д7Ж.
Полученные при исследовании диода Д7Ж значения сведены в таблицу 1.
Переводом двухпозиционного переключателя в другое положение подключаем к цепи диод Д220.
Полученные при исследовании диода Д220 значения сведены в таблицу 2.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
При исследовании стабилитрона Д814А на полученной обратной ветви характеристики видим, что при достаточно большом диапазоне изменения тока стабилитрона напряжение на нем остается почти постоянным.
При исследовании однополупериодного выпрямителя по осциллограммам видим, что полуволна отрицательного напряжения практически полностью гасится диодом, и на выходе мы получаем только положительное напряжение
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по архитектуре вычислительных систем. Вариант №1
Nicola90
: 29 апреля 2013
Билет 9.
Задача 1.
ВС с неконвейерной архитектурой и временем исполнения любой инструкции 200 нс была заменена на ВС с идентичной системой команд, но с конвейерной архитектурой. Продолжительность такта - 40 нс, число стадий конвейера равно 5. Вычислите полученное ускорение (отношение времени работы программы на старой ВС ко времени ее работы на новой ВС), учитывая стадию загрузки конвейера и считая, что при выполнении не возникло ни одной коллизии. Число инструкций в программе равно 100.
Задача
Nicola90
: 29 апреля 2013
150 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 16 Вариант 43
Z24
: 1 марта 2026
В деаэратор конденсата ТЭЦ производительностью Gn (деаэратор атмосферного типа, температура воды в баке 102 ºC) поступает возвращенный конденсат (80%) с температурой 70 ºC.
Определить расход пара из отбора, поступающего в деаэратор с энтальпией hот=2700 кДж/кг; КПД деаэратора 0,99. Расход поступающей добавочной питательной воды на покрытие потерь производственного конденсата составляет Gn.n, на компенсацию потерь конденсата на ТЭЦ — 15,6 т/ч, на компенсацию потерь с продувочной водой — 8,3 т/
Z24
: 1 марта 2026
200 руб.
Рациональное использование природных ресурсов
alfFRED
: 17 марта 2013
Все вышеизложенное заставляет сделать однозначный вывод: как невозобновляемые, так и возобновляемые ресурсы планеты не бесконечны, и чем интенсивнее их используют, тем меньше этих ресурсов остается следующим поколениям. Поэтому повсеместно требуется принятие решительных мер по рациональному использованию природных богатств. Эпоха безоглядной эксплуатации природы человеком кончилась, биосфера остро нуждается в охране, а природные ресурсы следует беречь и расходовать экономно.
Основные принципы та
alfFRED
: 17 марта 2013
5 руб.
Зачет по дисциплине: Современные технологии обеспечения информационной безопасности. Билет №5
IT-STUDHELP
: 16 апреля 2023
Билет №5
1. Сделайте краткий обзор требований о защите информации, не составляющих государственную тайну, содержащейся в государственных информационных системах
2. Расскажите о процедуре логирования в SIEM системах
=============================================
IT-STUDHELP
: 16 апреля 2023
300 руб.
