Расчет и проектирование деталей машин

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon B3E93DAC-DCD7-4DE4-BAAA-BD21E5DEA644.zip [8 MB]
material.view.file_icon kirkach_-_raschet_i_proektirovanie_detaley_mashin.djvu [8 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Пособие состоит из двух частей. В первой части изложены методы расчета и проектирования механических передач — ременных, цепных, зубчатых и червячных
Во второй части приведены методы компоновки приводов, расчета и проектирования валов, соединений, подбора подшипников качения, расчета и проектирования передачи винт — гайка скольжения, проектирования плит и рам
Справочные данные приведены в пределах, необходимых для выполнения курсового проекта.
Для студентов технических вузов.

Похожие материалы

Техническое обслуживание авто. Технологические расчеты при проектировании процессов восстановления и упрочнения деталей машин
Содержание: 1 Комплектование деталей 3 1.1 Сущность процесса 3 1.2 Метод пригонки 5 1.3 Пример применения метода пригонки 6 2 Восстановление детали способами давления 7 2.1 Сущность процесса 7 2.2 Восстановление механических свойств материала деталей 8 2.3 Область применения 11 3 Восстановление корпуса топливного насоса высокого давления (АЛ-9) 13 3.1 Основные дефекты 13 3.2 Способы устранения 13 3.3 Организация рабочих мест
Автомобили и технологическое обслуживание Работа Расчетная
User voploshenie : 18 января 2012
400 руб.

Другие работы

Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 3 Вариант 80
Покажите сравнительным расчетом целесообразность одновременного повышения начальных параметров и снижения конечного давления пара для паросиловой установки, работающей по циклу Ренкина, определив термический КПД цикла и теоретический удельный расход пара для двух различных значений начальных параметров – давления р1 и температуру t1, конечного давления p2 определите степени сухости пара x2 в конце расширения в обоих случаях. Покажите сравнительный анализ на диаграмме пара в координатах h-s.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 28 января 2026
200 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 3 Вариант 80
Технологічна карта на діагностування гідроприводу
Зовнішній огляд агрегатів гілросистеми Втановити каналоочищувач на горизонтальній площадці Опустити направляючу балку Вимкнути гідронасос Зупинити двигун Перевірити наявність піни в баку гідросистеми Перевірити герметичність ущільнення верхньої та нижньої кришок гідророзподільника 2 Перевірити герметичність ущільнення верхньої та нижньої кришок гідроциліндрів приводу стріли 8 Перевірити герметичність ущільнення верхньої та нижньої кришок гідроциліндрів приводу рукояті 9 Перевірити герметичність
Технологические процессы и производство Чертежи
User OstVER : 5 марта 2011
95 руб.
Технология возведения одноэтажный пром.здания
Проектируемое промышленное здание расположено в городе Санкт-Петербурге. Здание трехпролетное, имеет сложную форму в плане. Длина здания в осях 1-22 составляет 252,5 м, ширина в осях А-Г составляет 90 м. Конструктивно здание имеет каркасное строение с шагом колонн 12м. Каркас здания представляет собой совокупность несущих конструкций, связанных в геометрически неизменяемую пространственную схему: колонны, подкрановые балки, фермы. Каркас здания состоит из поперечных рам, образованных защемленным
******* Не известно Организация и планирование производства Работа Курсовая
User evelin : 28 июля 2015
30 руб.
Технология возведения одноэтажный пром.здания
Лабораторная работа № 1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе ” По дисциплине: " Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1)" Вариант 11
Цель: Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА. No 1 С1, мкФ 2.2 С2, мкФ 4.7 С3, пФ 200 С5, мкФ 500
СибГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Лабораторная
User costafel : 8 января 2016
200 руб.
up Наверх