Лабораторные работы №1-3 физические основы электроники
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
.2семестр 2вариант.
ЛР1.
"Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР2.
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
ЛР3.
"Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов"
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
ЛР1.
"Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов"
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР2.
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
ЛР3.
"Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов"
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
2010 год, Савиных В.Л, зачет.
Похожие материалы
Лабораторная работа №№1, 2, 3. Физические основы электроники
FreeForMe
: 10 апреля 2015
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Отчет по работе №2
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Отчет по работе №3
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
145 руб.
Лабораторные работы №№1-3. Физические основы электроники. Вариант 10
nasiknice
: 2 декабря 2020
ЛР 1- Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР 2- Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
ЛР 3-Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
800 руб.
Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр
SybNet
: 22 сентября 2012
Лабораторные работы №1-3 Физические основы электроники, 3 семестр
Работы без варианта, но выполняются через программу в онлайн.
Дистанционное обучение СибГУТИ
Лаб. №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (диоды Д7Ж и Д220).
Лаб. №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" (транзистор МП37А)
Лаб №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
150 руб.
Лабораторные работы №№1, 2 и 3. Физические основы электроники. 24-й вариант
mirex2014
: 21 октября 2015
Лабораторная работа 1 2 и 3 Физические основы электроники
24 вариант
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Отчет по работе №2
" Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Отчет по работе №3
" ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
300 руб.
Лабораторная работа №3. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
150 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по физическим основам электроники
Andrev111111
: 28 апреля 2013
Лабораторная работа №1. Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройства полупроводникового диода,
физические процессы,
происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение
полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ).
Изучить его вольтамперные характеристики в схемах в
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы №№1, 2, 3. (Физические основы электроники) Для любого варианта.
holm4enko87
: 17 января 2025
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы 1, 2, 3. (Физические основы электроники)
Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакоми
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы №№1, 2, 3. (Физические основы электроники) Для любого варианта.
rmn77
: 20 апреля 2020
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы 1, 2, 3. (Физические основы электроники)
Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознаком
60 руб.
Другие работы
Схемотехника телекоммуникационных устройств вариант 4
jcbgjdf1988
: 13 ноября 2023
СОДЕРЖАНИЕ
1 Задание на контрольную работу 3
2 Выбор режима работы транзистора 4
3 Расчет сопротивлений схемы 5
4 Определение входного сопротивления усилительного каскада 6
5 Расчет стабилизации режима работы транзистора 7
6 Построение нагрузочных прямых по постоянному и переменному току 7
7 Расчет реактивных элементов схемы 9
Задание на контрольную работу
Выполнить расчет элементов схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией (рисунок 1, или 2 в
1000 руб.
Современные методы информатики и программирования
jaggy
: 6 апреля 2017
Зачет. Билет 33
ЗАЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ 33
по дисциплине «Современные методы информатики и программирования»
1. Составить алгоритм решения задачи на ЭВМ и составить программу на языке Java (или любом другом алгоритмическом языке), реализующую данный алгоритм.
2. Выполнить оценку сложности составленного алгоритма решения задачи. Внести пред-ложения по улучшению решения задачи алгоритмическим способом.
3. В отчете о выполнении зачетного задания необходимо представить:
- формальное описание задачи;
- бло
600 руб.
Конфуцианство в древнем Китае
VikkiROY
: 14 октября 2012
Презентация 12 слайдов
Зарождение религии и философии, Конфуцианство.
картинки с подписями
20 руб.
Понятие, классификация и оценка нематериальных активов в учете и балансе
Lokard
: 30 декабря 2014
Содержание
Введение 3
Глава 1. Правовое регулирование нематериальных активов и классификация 5
1.1. Понятие нематериальных активов 5
1.2. Первоначальная оценка нематериальных активов 8
1.3. Последующая оценка нематериальных активов. 11
Глава 2. Бухгалтерский учет нематериальных активов 14
2.1. Учет поступления нематериальных активов 14
2.2. Амортизация нематериальных активов 18
2.3. Нематериальные активы в соответствии с международными стандартами финансовой отчетности 23
Глава 3. Учет
10 руб.