Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика и энергетика, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
23.03.2011
-
Размер:
32 KB
-
Покупок:
20
-
Добавил:
AndrewZ54
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Lab_6.8.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
Дополнительная информация
Работа зачтена. Замечаний нет.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. И. М. Губкина Гидростатика Задача 28 Вариант 0
Z24
: 6 декабря 2025
Решите задачу 27 для случая, когда весом подвижных частей устройства можно пренебречь.
Задача 27
В днище резервуара с водой имеется круглое спускное отверстие, закрытое плоским клапаном. Определить, при каком диаметре D цилиндрического поплавка клапан автоматически откроется при достижении высоты уровня жидкости в резервуаре равной H? Длина цепочки, связывающей поплавок с клапаном, равна l, вес подвижных частей устройства G, давление на свободной поверхности жидкости измеряется мановакуумм
Z24
: 6 декабря 2025
150 руб.
Курсовая работа. РАЗРАБОТКА СИСТЕМЫ СВЯЗИ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ НЕПРЕРЫВНЫХ СООБЩЕНИЙ ДИСКРЕТНЫМИ СИГНАЛАМИ. Вариант 2.
Антон133
: 15 февраля 2017
Исходные данные
1. Номер варианта: N = 2.
2. Вид сигнала в канале связи: ДЧМ.
3. Скорость передачи сигналов: V = 4000, Бод.
4. Амплитуда канальных сигналов: .
5. Дисперсия шума: .
6. Априорная вероятность передачи символов "1": p(1) =0,18 .
7. Способ приема сигнала: КГ.
8. Полоса пропускания реального приемника:
9. Значение отсчета принятой смеси сигнала и помехи на входе решающей схемы приёмника при однократном отсчете: .
10. Значения отсчетов принятой смеси сигнала и помехи при п
Антон133
: 15 февраля 2017
250 руб.
Приспособление для зацентровки прутков - И13.82.00.00 СБ
.Инженер.
: 26 июня 2024
Иванов Ю.Б. Атлас чертежей общих видов для деталирования. Вариант И13.82.00.00 - Приспособление для зацентровки прутков. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели.
Приспособление служит для установки прутка на центровом станке и обработки центровых отверстий, &которые необходимы для установки детали на токарном станке при дальнейшей обработке. Пруток для закрепления в приспособлении кладут на призмы 4. В отверстие Д крышки 11 подают сжатый воздух под давлением. Поршень 13 вместе со шток-рейкой 2
.Инженер.
: 26 июня 2024
800 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-5 Вариант 43
Z24
: 15 февраля 2026
Определить поверхность нагрева противоточного подогревателя молока, а также расход греющей воды, если заданы:
— температура молока на входе в подогреватель t′2;
— температура молока на выходе из подогревателя — t″2;
— температуры греющей воды на входе и выходе — соответственно t′1 и t″1;
— производительность аппарата по молоку – m;
— коэффициенты теплоотдачи: со стороны молока α2; со стороны воды α1.
— коэффициент полезного использования тепла ηm.
Толщина стальной стенки те
Z24
: 15 февраля 2026
200 руб.
