Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика и энергетика, Работа Лабораторная
-
Добавлен:
23.03.2011
-
Размер:
32 KB
-
Покупок:
20
-
Добавил:
AndrewZ54
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Lab_6.8.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
Дополнительная информация
Работа зачтена. Замечаний нет.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1,2,3. По дисциплине Защита компьютерной информации. ЛЭТИ
DiKey
: 10 апреля 2023
Лабораторная работа №1,2,3. По дисциплине Защита компьютерной информации. ЛЭТИ
Лабораторная работа №1
Тема: Управление доступом к файловой системе NTFS с помощью списков контроля доступа.
Цель работы.
Знакомство с механизмами управления доступом к файловой системе NTFS, основанным на списках контроля доступа (Access Control List – ACL).
Вывод.
В данной лабораторной работе были получены знания о том, как:
– Назначать права доступа пользователей и групп на файл, права разрешения и запрета опера
DiKey
: 10 апреля 2023
220 руб.
Курсовая работа по дисциплине "Сети связи" на тему: “Проект ГТС на базе SDH” вариант 07
Вася Пупкин
: 23 марта 2016
ЗАДАНИЕ
К курсовому проекту по дисциплине “Сети связи”
Тема: “Проект ГТС на базе SDH(СЦИ)”
Исходные данные:
1. Назначение станций: городские РАТС типа S-12, EWSD и АТСК
2. Структурный состав абонентов станций:
1. Аппараты квартирного сектора:_______62%
2. Аппараты делового сектора:__________37%
3. Количество таксофонов:_____________0.6% от емкости АТС
4. Кабины переговорных пунктов:________0.1% от емкости АТС
5. Количество м/г таксофонов:__________0.3% от емкости АТС
6. Доли ТА с тастатурными н
Вася Пупкин
: 23 марта 2016
100 руб.
Державне регулювання оподатковування агропромислового комплексу
Qiwir
: 24 октября 2013
Робота виконана в Харківському національному університеті імені В.Н. Каразіна Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник - доктор економічних наук, професор Антоненко Леонід Анисимович, Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, професор кафедри економіки та менеджменту.
Офіційні опоненти:
доктор економічних наук, професор Сало Іван Васильович, Українська академія банківської справи Національного банку України, завідувач кафедри банківської справи кандидат економічних
Qiwir
: 24 октября 2013
10 руб.
Направляющие среды в сетях электросвязи и методы их защиты (часть 2) экзамен билет 18
Антон28
: 8 августа 2025
Направляющие среды в сетях электросвязи и методы их защиты (часть 2) экзамен билет 18
Антон28
: 8 августа 2025
500 руб.
