Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
11.04.2011
-
Размер:
288 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
4eJIuk
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лр2_фоэ.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в справочной литературе.
При исследовании усилителя на основе биполярного транзистора получены осциллограммы для режимов работы транзистора вблизи режима насыщения (Uсм=3,6В) и вблизи режима отсечки (Uсм=3,2В). Между этими режимами транзистор работает в активном режиме без линейных искажений входного сигнала на выходе.
Ход выполнения работы
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в справочной литературе.
При исследовании усилителя на основе биполярного транзистора получены осциллограммы для режимов работы транзистора вблизи режима насыщения (Uсм=3,6В) и вблизи режима отсечки (Uсм=3,2В). Между этими режимами транзистор работает в активном режиме без линейных искажений входного сигнала на выходе.
Похожие материалы
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора "
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
2.1.1Снять две входные характеристики тра
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. При
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
100 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6
Александр410
: 4 мая 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Александр410
: 4 мая 2019
180 руб.
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*.
2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
Колька
: 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2013
Лаб. работа №1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
JuliaRass
: 23 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Другие работы
Контрольная работа №1 по информатике. вариант 10(0)
pewpewlolpro
: 14 декабря 2015
Задание к контрольной работе:
1. Данные: типы, кодирование, назначение.
2. Сформировать двумерный массив А размером 6*8 с помощью генератора случайных чисел и вывести элементы массива на экран. Найти наименьшие элементы каждого столбца матрицы и номера строк, в которых они находятся, а затем вывести их значения на экран.
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
pewpewlolpro
: 14 декабря 2015
22 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Эксплуатация и проектирование телекоммуникационных систем. Билет 9
Учеба "Под ключ"
: 8 ноября 2022
1. Какие организации разрабатывают ВНТП, ВСН, РТМ по проектированию?
1. Проектные институты
2. ВУЗ
3. Научно-исследовательский институт Госстандарта
2. В каком разделе рабочего проекта требуется определить рабочее время и режим работы?
1. Объем оборудования и линейных сооружений;
2. Услуги, классы обслуживания для каждой категории пользователя, а также потребность в ширине полосы пропускания;
3. Режим работы оборудования и требования к обслуживающему персоналу;
4. Измерительная и проверочная ап
Учеба "Под ключ"
: 8 ноября 2022
400 руб.
Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Волоконно-оптические системы передачи. Вариант №17
IT-STUDHELP
: 5 января 2021
Лабораторная работа No1
Изучение пассивных компонентов волоконно-оптических систем передачи (ВОСП)
Цель работы, порядок выполнения и содержание
• Цель работы состоит в изучении основных конструкций, характеристик и применения ряда пассивных компонентов в технике волоконно-оптических систем передачи (ВОСП)
• Порядок выполнения:
• необходимо изучить пассивные компоненты на предмет их устройства
принципа действия и характеристик;
• ответить письменно кратко и по существу на контрольные вопросы
• р
IT-STUDHELP
: 5 января 2021
1400 руб.
Агрегат комбинированный для обработки почвы с подпочвенным внесением удобрений КЧН-5,4 (чертеж общего вида)
maobit
: 13 апреля 2018
удобрения в почву.
С целью снижения эксплуатационных и материальных затрат предложена модернизация культиватора КЧН-5.4. Агрегат для внутрипочвенного внесения основных доз минеральных удобрений предназначен для внутрипочвенного внесения основных доз минеральных удобрений (200-1000 кг/га) одновременно с безотвальным рыхлением почвы на глубину до 22см. Агрегат может применяться на всех типах минеральных почв, в том числе засоренных камнями. Агрегатируется с трактором класса 3
Моде
maobit
: 13 апреля 2018
490 руб.
