Учебник по электронике

Рассматривается принцип работы, характеристики и параметры цифровых и аналоговых микросхем. Кратко описываются технологические процессы, применяемые при изготовлении ИМС.
Основы теории п/п, p-n-переходы, диоды, Стабилитроны и стабисторы, Варикапы, Биполярные транзисторы, Полевые транзисторы
Содержание
1 Цифровые интегральные микросхемы…………………………….….5
1.1 Основы алгебры логики………………………………………………..5
1.2 Параметры ЦИМС……………………………………………………...9
1.3 Диодно-транзисторная логика………………………………………..11
1.4 Транзисторно-транзисторная логика…………………………………14
1.5 ТТЛ со сложным инвертором…………………………………………16
1.6 ТТЛ с открытым коллекторным выходом……………………………18
1.7 ТТЛ с тремя состояниями на выходе…………………………………19
1.8 ТТЛШ…………………………………………………………………...20
1.9 КМДП…………………………………………………………………...21

2 Операционный усилитель……………………………………………25
2.1 Параметры и характеристики ОУ……………………………………25
2.2 Структура ОУ…………………………………………………………26
2.3 Дифференциальный усилитель………………………………………27
2.4 Составной транзистор………………………………………………..28
2.5 Источники тока……………………………………………………….29
2.6 Схема сдвига уровня…………………………………………………29
2.7 Эмиттерный повторитель…………………………………………….31
2.8 Инвертирующий усилитель на ОУ………………………………..…31
2.9 Неинвертирующий усилитель на ОУ……………………………..…32

3 Технологические основы производства ППИМС…………..………42
3.1 Подготовительные операции…………………………………..……..42
3.2 Эпитаксия……………………………………………………...………43
3.3 Термическое окисление………………………………………………44
3.4 Литография……………………………………………………….……46
3.5 Легирование……………………………………………………………49
3.6 Нанесение тонких пленок………………………………………….….53

4 Полупроводниковые ИМС…………………………………………….56
4.1  Методы изоляции элементов в ППИМС……………………………..58
4.2  Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор…………………60
4.3  Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор со скрытым слоем………………………………………………………………………64
4.4  Разновидности биполярных транзисторов………………………..…65
4.5  Интегральные диоды ………………………………………………....68
4.6  Полевые транзисторы ………………………………………………...70
4.7  Полупроводниковые резисторы………………………………………75
4.8  Полупроводниковые конденсаторы …………………..…………….78
5  Гибридные ИМС…………………………………………………...….81
5.1  Подложки ГИМС………………………………………………….…..81
5.2  Резисторы ……………………………………………………………....82
5.3  Конденсаторы…………………………………………………………..84
5.4  Катушки индуктивности………………………………………………85
5.5  Пленочные проводники и контактные площадки…………….…….85
5.6  Навесные компоненты…………………………………………………86
5.7  Методы формирования заданной конфигурации пленочных элементов ГИМС…………………………………………………………………….86