Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
05.10.2011
-
Размер:
363 KB
-
Покупок:
33
-
Добавил:
bioclown
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная работа.doc
|
Контр1.frw
|
|
Контр11.frw
|
|
Контр12.frw
|
|
Контр2.frw
|
|
Контр21.frw
|
|
Контр4.frw
|
|
Контр41.frw
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Компас или КОМПАС-3D Viewer
Описание
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=750 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f = 20 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э = 3 и постоянная времени цепи коллектора tК= 210 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0 = 10 В, UЗИ 0 = 8В.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=750 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f = 20 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э = 3 и постоянная времени цепи коллектора tК= 210 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0 = 10 В, UЗИ 0 = 8В.
Похожие материалы
Физические основы электроники (ФОЭ)
gugych
: 23 января 2015
Вариант 15
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15.
Таблица 1
No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
gugych
: 23 января 2015
600 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
pccat
: 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
MN
: 27 декабря 2013
100 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
thelive4u
: 6 апреля 2015
Задача №1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА .
Задача №2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
Задача №3
Для данного транзистор
thelive4u
: 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
vlanproekt
: 15 марта 2014
Вопросы:
1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов.
2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
vlanproekt
: 15 марта 2014
240 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3.
glebova95
: 24 апреля 2020
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.
Контрольная работа
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие
glebova95
: 24 апреля 2020
75 руб.
Другие работы
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 4 Вариант 80
Z24
: 10 марта 2026
Определить предельную высоту расположения оси центробежного насоса над уровнем воды в водоисточник h, если расход воды из насоса Q, диаметр всасывающей трубы d. Вакуумметрическое давление, создаваемое во всасывающем патрубке рв, потери напора во всасывающей линии 1 м.
Z24
: 10 марта 2026
150 руб.
Курсовая работа. Объектно-ориентированный анализ и программирование.
Landscape
: 10 апреля 2014
Вариант 16.
Аптека. Разработать систему учета продаж/закупок/наличия препаратов в аптеке. Предусмотреть возможность продажи препаратов по рецептам, ведение баланса покупок/продаж.
Landscape
: 10 апреля 2014
500 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 3 Вариант 40
Z24
: 15 декабря 2025
Сухой газ массой 1 кг совершает ряд последовательных термодинамических процессов (1-2; 2-3; 3-4).
Определить:
— давление, удельный объем и температуру газа в каждой точке (1, 2, 3, 4);
— для каждого процесса определить:
1) изменение внутренней энергии;
2) изменение энтальпии;
3) теплоту процесса;
4) термодинамическую работу расширения;
5) потенциальную работу;
— суммарное количество подведенной и отведенной теплоты и работы;
— построить в р-υ — координатах графическ
Z24
: 15 декабря 2025
240 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Общая теория связи. Вариант №4. ДО. 5-й семестр
Shtolc25
: 19 февраля 2013
Тема 1. Спектральное представление сигналов на выходе нелинейных цепей
Тема 2. Умножение и преобразование частоты
Тема 3. Амплитудная модуляция
Тема 4. Угловая модуляция
Тема 5. Импульсная модуляция
по курсу Общая теория связи (5 сем).(Задания последней редакции обновленные в ноябре 2012г на сайте ДО) Там 5 тем и в каждой только задачи из таблицы значения для 04 варианта. На вопросы самостоятельной подготовки не отвечал - не нужно.
Всего получилось 7 задач.
Shtolc25
: 19 февраля 2013
100 руб.
