Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контрольная работа.doc
material.view.file_icon Контр1.frw
material.view.file_icon Контр11.frw
material.view.file_icon Контр12.frw
material.view.file_icon Контр2.frw
material.view.file_icon Контр21.frw
material.view.file_icon Контр4.frw
material.view.file_icon Контр41.frw
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Компас или КОМПАС-3D Viewer

Описание

Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=750 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f = 20 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э = 3 и постоянная времени цепи коллектора tК= 210 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0 = 10 В, UЗИ 0 = 8В.
Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3. Контрольная работа Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие
User glebova95 : 24 апреля 2020
75 руб.
Экзамен. Билет №7
1. Прямая линия на плоскости. Различные виды уравнений прямой. 2. Решить матричное уравнение А*Х*В=С , где А=(-3 1) В=(1 -2) С=(5 5) -5 2 -2 1 6 9 3. Даны векторы а=(2; -3; 1) b=(-3;1;2) c=(1; 2; 3) Найти (axb)x(a-c). 4. Даны координаты вершин пирамиды A(7;2;-1), B(0;4;-1), C(8;-7;2), D(5;-5;5). Найти координаты точки пересечения плоскости ABC с высотой пирамиды, опущенной из вершины D на эту плоскость. 5. Привести к каноническому виду уравн
User Viktor1993 : 22 января 2016
100 руб.
Место и роль налогового кодекса в системе российского законодательства
ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………….. 3 ГЛАВА I. НАЛОГОВОЕ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВО РОССИИ…………… 4 1.1. Понятие и состав налогового законодательства………………. 4 1.2. Принятие Налогового кодекса: множество вариантов……...... 6 1.3. Место и роль Налогового кодекса в налоговом законодательстве………………………………………………… 15 ГЛАВА II. НАЛОГОВЫЙ КОДЕКС РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ СЕГОДНЯ – ДОСТИЖЕНИЯ И ПРОБЛЕМЫ............................ 23 2.1. Современная модель кодификации налогового законодательства……………
User Lokard : 25 октября 2013
15 руб.
Гидравлика гидравлические машины и гидроприводы Задача 10 Вариант 5
По сифонному трубопроводу длиной l жидкость Ж при температуре 20ºC сбрасывается из отстойника A в отводящий канал Б. Какой должен быть диаметр d трубопровода (его эквивалентная шероховатость Δэ), чтобы обеспечить сбрасывание жидкости в количестве Q при напоре H? Трубопровод снабжен приемным клапаном с сеткой (ξк), а плавные повороты имеют углы 45º и радиус округления R=2r. Построить пьезометрическую и напорную линии.
User Z24 : 17 ноября 2025
450 руб.
Гидравлика гидравлические машины и гидроприводы Задача 10 Вариант 5
Зачет по предмету: Теория телетрафика. Билет 13
1. Понятие о потерях. Виды потерь. Определение суммарных потерь на сетях связи. 2. Полнодоступный пучок. Система с потерями. Обслуживание примитивного потока вызовов. (Формула Энгсета) 3. Телефонная нагрузка. Характеристика параметров телефонной нагрузки.
User vereney : 19 февраля 2012
25 руб.
up Наверх