Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 2FDE5801-6532-453C-8E12-51BF51EBE820.rar [363 KB]
material.view.file_icon контрольная работа.doc [Office 2010, 14 стр., 386 KB]
material.view.file_icon Контр1.frw [КОМПАС v12, 49 KB] material.view.thumbnail_available
material.view.file_icon Контр11.frw [КОМПАС v12, 49 KB] material.view.thumbnail_available
material.view.file_icon Контр12.frw [КОМПАС v12, 43 KB] material.view.thumbnail_available
material.view.file_icon Контр2.frw [КОМПАС v12, 44 KB] material.view.thumbnail_available
material.view.file_icon Контр21.frw [КОМПАС v12, 42 KB] material.view.thumbnail_available
material.view.file_icon Контр4.frw [КОМПАС v12 SP1, 43 KB] material.view.thumbnail_available
material.view.file_icon Контр41.frw [КОМПАС v12 SP1, 39 KB] material.view.thumbnail_available

Дополнительная информация

material.view.file_icon Контр1.frw
Контр1.frw
material.view.file_icon Контр11.frw
Контр11.frw
material.view.file_icon Контр12.frw
Контр12.frw
material.view.file_icon Контр2.frw
Контр2.frw
material.view.file_icon Контр21.frw
Контр21.frw
material.view.file_icon Контр4.frw
Контр4.frw
material.view.file_icon Контр41.frw
Контр41.frw

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Компас или КОМПАС-3D Viewer (версия v12 SP1 или новее)

Описание

Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=750 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f = 20 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э = 3 и постоянная времени цепи коллектора tК= 210 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0 = 10 В, UЗИ 0 = 8В.

Похожие материалы

Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 08. Контрольная работа и Лабораторная работа №№1,2,3.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 08. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3. Контрольная работа Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User glebova95 : 24 апреля 2020
75 руб.

Другие работы

Дискретная математика. Экзамен. Билет 18
Билет No 18 Факультет ИВТ (ДО) Курс 1 Семестр 2 Дисциплина Дискретная математика 1. Комбинаторный принцип сложения для пересекающихся множеств, его отличие от случая непересекающихся множеств. Формулировка принципа включения и исключения и иллюстрация его графически; привести пример использования. 2. Графы – основные понятия, способы представления. Как связаны графы с бинарными отношениями? Изобразить в виде графа соответственно рефлексивное, симметричное, антисимметричное отношения, эк
******* Не известно Дискретная математика Работа Экзаменационная
User ru0lr : 10 ноября 2016
150 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-2 Вариант 94
m кг газа расширяется политропно с показателем политропы n от начального состояния с параметрами p1 и t1 до конечного давления p2. Определить теплоту Q, работу L, изменение внутренней энергии ΔU, энтальпии ΔH и энтропии ΔS. Считать, что c=const. Изобразить процесс на pυ — диаграмме без соблюдения масштаба.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 15 января 2026
200 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-2 Вариант 94
Тепломассообмен СЗТУ Задача 5 Вариант 83
По паропроводу, внутренний диаметр которого d1, движется пар со средней температурой, равной tж1, коэффициент теплоотдачи от пара к стенке α1, а температура окружающей среды tж2=20 ºС. Коэффициент теплопроводности стенки λст=48 Вт/(м·К),толщина стенки δст. Определить тепловые потери в следующих случая: а) при оголенном паропроводе, непосредственно охлаждаемом окружающей средой; интенсивность теплоотдачи от паропровода к среде определяется величиной коэффициента теплоотдачи α2; б) при по
Задачи Теплотехника
User Z24 : 21 февраля 2026
150 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 5 Вариант 83
Роль высшего образования в современную эпоху
Введение Изменения в системе высшего образования в России Изменения в системе образования в постсоветскую эпоху Показатели изменений в высшем образовании Перспективы развития высшего образования в России Основные направления и перемены в системе российского высшего образования Динамика изменений довузовской подготовки Россия и Болонский процесс Трудоустройство в России Заключение Список использованной литературы
Социология Работа
User Lokard : 19 апреля 2013
5 руб.
up Наверх