Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная №1.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

Дополнительная информация

Сдача-2011г.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
ЭВМ и периферийные устройства. Курсовая работа
Разработать и отладить программу на языке Ассемблера, которая выполняет следующие задачи: а) Вычисляет выражение в соответствии с заданным вариантом математическое выражение (табл. 1) и для значений X от 0 до 10 и сохраняет в массив. б) Распечатывает на экране полученный в пункте а) массив в формате в соответствии с вариантом (таблица 2) в) Осуществляет операцию по обработке массива, полученного в п. а) в соответствии с вариантом (таблица 3) и распечатывает результат выполнения на экране. г) Осу
User daiciy : 21 марта 2016
100 руб.
Арматура фонтанная на рабочее давление 19 МПа Сборочный чертеж-ЗМС 65 21 Сборочный чертеж-Катушка стволовая-Тройник 65-Спецификация-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипл
Арматура фонтанная на рабочее давление 19 МПа Сборочный чертеж-ЗМС 65 21 Сборочный чертеж-Катушка стволовая-Тройник 65-Спецификация-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
User lesha.nakonechnyy.92@mail.ru : 20 сентября 2023
557 руб.
Арматура фонтанная на рабочее давление 19 МПа Сборочный чертеж-ЗМС 65 21 Сборочный чертеж-Катушка стволовая-Тройник 65-Спецификация-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипл
Основы правового статуса человека и гражданина в Российской Федерации
1. Понятие правового статуса человека и гражданина 2. Понятие гражданства Российской Федерации 3. Способы утраты гражданства Российской Федерации 4. Институт конституционных прав, свобод и обязанностей граждан Российской Федерации 5. Гарантии конституционных прав и свобод 1. Понятие правового статуса человека и гражданина Социальный статус – это положение человека в обществе, этот статус имеет соответствующий список прав и обязанностей. Статус можно сравнить с пустой ячейкой в организации или г
User Elfa254 : 14 сентября 2013
Базис прямого маркетинга
ОГЛАВЛЕНИЕ Введение 3 1. Прямой маркетинг 5 2. «Базис» прямого маркетинга 9 Заключение 13 Библиографически
User Aronitue9 : 15 января 2012
20 руб.
up Наверх