Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Дополнительная информация
Сдача-2011г.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
seka
: 14 сентября 2018
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
200 руб.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
50 руб.
Другие работы
Кредитная политика банка -исследование теоретических и практических аспектов кредитной политики банка.
ostah
: 18 сентября 2012
Введение
Одним из важнейших направлений деятельности коммерческих банков является кредитование.
В условиях экономического кризиса, банкротства предприятий кредитные операции являются весьма рискованными. В современных условиях задержка возврата ссуд клиентами банка становится довольно частым явлением. К началу 1999г. просроченная задолженность по банковским кредитам составляла 11,1% по всем кредитам, предоставленным хозяйству, населению и другим кредитным институтам. Сроки кредитования существ
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: физика. Вариант:05
Dimanank
: 23 февраля 2012
365. ЭДС батареи = 24 В. Наибольшая сила тока, которую может дать батарея, Iмах = 10 А. Определить максимальную мощность Рмах, которая может выделяться во внешней цепи.
375. Сила тока в проводнике изменяется со временем по закону . Найти заряд Q, проходящий через поперечное сечение проводника за время, равное половине периода T, если амплитуда силы тока Im = 10 А, циклическая частота .
405. По тонкому кольцу радиусом R =20 см течет ток I=100 А. Определить магнитную индукцию В на оси
415.
80 руб.
Разработка системы управления движением и поворотом виброкатка ВК - 18 с ГСТ
OstVER
: 6 ноября 2024
Проведен анализ гидроприводов ходовой части, рабочего оборудования, системы управления движением и поворотом промышленных тракторов.
Разработана принципиальная схема управления движением и поворотом виброкатка. Предложены изменения в конструкции золотникового распределителя в целях устранения его недостатков.
Сделан вывод, что при использовании в гидроприводе рабочего оборудования виброкатка в качестве источника питания регулируемого реверсивного насоса в случае выполнения гидропривода по схеме
2500 руб.
Основы программирования в среде Delphi
Slolka
: 7 октября 2013
Оглавление
Введение. 2
1. Система программирования Delphi 3
1.1 Состав проекта. 3
1.2 Описание класса........................................................................................ 4
2. Класс VCL. 10
2.1 Компоненты.. 11
2.2 Основы создания компонентов. 12
Заключение. 15
Приложение А. Первый шаг создания нового компонента. 17
Приложение Б. Логическая структура сети университета. 18
Приложение В. Система ДОТ «Platonus». 19
Введение
Цель производственной практики: закрепление
10 руб.