Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная №1.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

Дополнительная информация

Сдача-2011г.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты. 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный перехо
User SibGUTI2 : 3 июня 2019
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Кредитная политика банка -исследование теоретических и практических аспектов кредитной политики банка.
 Введение Одним из важнейших направлений деятельности коммерческих банков является кредитование. В условиях экономического кризиса, банкротства предприятий кредитные операции являются весьма рискованными. В современных условиях задержка возврата ссуд клиентами банка становится довольно частым явлением. К началу 1999г. просроченная задолженность по банковским  кредитам составляла 11,1% по всем кредитам, предоставленным хозяйству, населению и другим кредитным институтам. Сроки кредитования существ
User ostah : 18 сентября 2012
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: физика. Вариант:05
365. ЭДС батареи = 24 В. Наибольшая сила тока, которую может дать батарея, Iмах = 10 А. Определить максимальную мощность Рмах, которая может выделяться во внешней цепи. 375. Сила тока в проводнике изменяется со временем по закону . Найти заряд Q, проходящий через поперечное сечение проводника за время, равное половине периода T, если амплитуда силы тока Im = 10 А, циклическая частота . 405. По тонкому кольцу радиусом R =20 см течет ток I=100 А. Определить магнитную индукцию В на оси 415.
User Dimanank : 23 февраля 2012
80 руб.
Разработка системы управления движением и поворотом виброкатка ВК - 18 с ГСТ
Проведен анализ гидроприводов ходовой части, рабочего оборудования, системы управления движением и поворотом промышленных тракторов. Разработана принципиальная схема управления движением и поворотом виброкатка. Предложены изменения в конструкции золотникового распределителя в целях устранения его недостатков. Сделан вывод, что при использовании в гидроприводе рабочего оборудования виброкатка в качестве источника питания регулируемого реверсивного насоса в случае выполнения гидропривода по схеме
User OstVER : 6 ноября 2024
2500 руб.
Разработка системы управления движением и поворотом виброкатка ВК - 18 с ГСТ
Основы программирования в среде Delphi
Оглавление Введение. 2 1. Система программирования Delphi 3 1.1 Состав проекта. 3 1.2 Описание класса........................................................................................ 4 2. Класс VCL. 10 2.1 Компоненты.. 11 2.2 Основы создания компонентов. 12 Заключение. 15 Приложение А. Первый шаг создания нового компонента. 17 Приложение Б. Логическая структура сети университета. 18 Приложение В. Система ДОТ «Platonus». 19 Введение Цель производственной практики: закрепление
User Slolka : 7 октября 2013
10 руб.
up Наверх