Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторов

Цель работы:
изучение принципа действия и основных свойств полевого транзистора с управляющим p-n переходом, его работы при усилении сигнала и в качестве регулируемого сопротивления; исследование статических и дифференциальных параметров; исследование статических вольт - амперных характеристик (входных, выходных и характеристик передачи).
1.1 Устройство и принцип работы

Полевыми транзисторами (ПТ) называются приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. От биполярных транзисторов (БТ) полевые транзисторы отличаются тем, что в токообразовании рабочего тока участвуют носители заряда только одного типа (электроны либо дырки). Этим объясняется второе название приборов - унитроны.
Полевые транзиторы бывают двух видов:
- с управляющим р-n - переходом;
- со структурой "металл-диэлектрик полупроводник" (МДП - структуры).
В данной лабораторной работе изучаются ПТ с управляющим р-n - переходом. Устройство транзистора показано на рисунке 4.1. Пластина из полупроводникового материала, имеющего примесную проводимость определенного типа (р - или n), выполняет функцию рабочего канала. От концов пластины сделаны два вывода: электрод, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называют истоком (И), а электрод, к которому движутся заряды, называется стоком (С). Вдоль пластины с обеих сторон выполнены управляющие р-n - переходы или барьеры Шотки. Заметим, что в отличие от БТ, плоскость р-n - перехода расположена параллельно потоку носителей. От р-n - переходов сделан третий вывод - затвор (3). Внешнее напряжение прикладывают так, что между электродами стока и истока протекает ток основных носителей, а напряжение, приложенное к затвору, смещает управляющий р-n - переход в обратном направлении. Как известно из теории р-n - переходов [1], при обратном смещении образуется запорный слой, обедненный носителями зарядов, с высоким электрическим сопротивлением (порядка десятков МОм). Последнее обуславливает принципиальную особенность