Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант:№ 05
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ.
Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС.
Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
1. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ.
Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС.
Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
Дополнительная информация
Проверил: Анофриков Сергей Павлович
Новосибирск, 2011
отлично
Новосибирск, 2011
отлично
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
56 руб.
Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Андрей124
: 31 августа 2019
Вопрос №1
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
20 руб.
Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
Андрей124
: 11 марта 2019
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
45 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№5
4eJIuk
: 30 октября 2012
Вариант № 5
Каждый вопрос содержит только один правильный вариант ответа.
Ответы на тест должны быть представлены в следующем виде: 1 – б,
2 – в, и т. д.
Зачет ставится при правильном ответе на 8 вопросов.
1. Под калькуляцией себестоимости понимается:
а) определение себестоимости по статьям затрат;
б) определение себестоимости по элементам затрат;
в) определение структуры з
70 руб.
Другие работы
Автоматизированное проектирование телекоммуникационных сетей
nataliykokoreva
: 4 ноября 2013
. Доминирующие множества.
2. Сети электросвязи и модели структур сетей.
Морфологическое описание сетей электросвязи.
Элементы сетей.
Внешние воздействия.
Технология обслуживания.
Структуры сетей.
Критерий эффективности.
Требования и ограничения.
Формальное описание структур сетей электросвязи
Первичные сети.
100 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 2.6 Вариант З
Z24
: 18 декабря 2025
Вода перетекает из бака с избыточным давлением р0* в резервуар по трубе диаметром d и длиной l. Определить величину избыточного давления р0*, которое необходимо для обеспечения расхода Q, если геометрические высоты h и Н заданы. Учесть потери: на входе в трубу (внезапное сужение), в кране ζкр, в коленах-поворотах (для каждого поворота ζкол=0,2) и на трение по длине трубы λ=0,025. Режим течения считать турбулентным. (Величины Q, Н, h, l, d и ζкр взять из таблицы 2).
150 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 10 Вариант 66
Z24
: 2 января 2026
Определить напор перед стальным дюкером диаметром d мм, имеющем два поворота на угол α = (30 + 2·y)°, если расход Q = (1,3 + 0,1·z) м³/с; длина дюкера L = (25 + 2·y) = 33 м; температура воды t = 15 °C (рис. 10).
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы информационной безопасности. Тема №37
SibGOODy
: 10 июля 2023
Тема: «Информационная безопасность как часть системы управления информационными технологиями»
Содержание
Введение 3
1. Теоретические основы защиты информации 5
1.1. Сущность защиты информации 5
1.2. Признаки защиты информации 7
1.3. Объекты защиты 8
2. Угрозы безопасности 10
3. Особенности защиты информации 15
3.1. Общие понятия защиты информации 15
3.2. Стандарты ITIL, MOF, ITSM, COBIT 19
Заключение 26
Список использованных источников 28
450 руб.