Физические основы электроники. Лабораторные работы 1,2,3. Вариант 4.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Физические основы электроники. Лабораторные работы 1,2,3.
Вариант 4.
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Вариант 4.
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
2011, СибГУТИ, Савиных В.Л., зачет, без замечаний
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Определение полной сметной стоимости строительства объекта
alfFRED
: 28 августа 2013
Содержание:
Введение…………………………………………...…………….………..3
I. Характеристики участка строительства ………...……….…………4
II. Составление сметной документации на строительство объекта......8
1. Составление локальной сметы………………………………........8
2. Составление объектной сметы…….………………………..…..…9
III. Определение стоимости жилья ..…………………… ……………...10
1. Стоимость 1 кв. м. жилой площади……………………….....….10
2. Стоимость 1 кв. м. общей площади……………………….….....10
3. С
10 руб.
Клапан сетевой обратный МЧ00.19.00.00 solidworks
bublegum
: 22 апреля 2021
Обратный осевой клапан предназначен для предохранения газопроводной сети с горючим газом от случайного попадания в нее воздуха. При падении давления клапан перекрывает газопровод, исключая возможность обратного тока газа (от потребителя) и предотвращая образование в газопроводе взрывоопасной газокислородной смеси.
Клапан закрепляют в газопроводной сети при помощи накидной гайки поз. 4 и штуцера поз. 5. При работе горючий газ поступает под давлением в обратный сетевой клапан со стороны ниппеля по
600 руб.
Совершенствование топливной экономичности грузового автомобиля. Анализ режимов работы автомобиля в эксплуатационных условиях и выбор параметров системы “двигатель трансмиссия
yura909090
: 20 февраля 2012
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 6
1. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ РАБОТЫ АВТОМОБИЛЯ В
ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ УСЛОВИЯХ 8
1.1. Выбор типовых условий эксплуатации автомобиля 8
1.2. Обоснование параметров маршрута движения автомобиля 21
1.3. Характеристика режима работы автомобильного двигателя и
программа исследований 23
1.4. Методика обработки и представления экспериментальных
данных по эксплутационным режимам 26
1.5. Оценка влияние эксплуатационных факторов на параметры работы
автомобильного двигателя 32
1.6. Формирован
150 руб.
Кинематический и силовой анализ механизмов иглы и нитепритягивателя универсальной швейной машины
Elfa254
: 15 февраля 2014
Введение
1. Построение кинематической схемы и траекторий рабочих точек механизмов иглы и нитепритягивателя
2.Определение скоростей звеньев механизмов иглы и нитепритягивателя
3.Определениеускорений звеньев механизмов иглы и нитепритягивателя и построение плана ускорений
4.Силовой анализ механизмов
Заключение
Список используемой литературы
Приложения
ВВЕДЕНИЕ
Целью курсового проекта является обобщение, углубление и закрепление знаний, полученных мною на лекциях и при выполнении лабораторных рабо
20 руб.