Физические основы электроники. Лабораторные работы 1,2,3. Вариант 4.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Физические основы электроники. Лабораторные работы 1,2,3.
Вариант 4.
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Вариант 4.
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
2011, СибГУТИ, Савиных В.Л., зачет, без замечаний
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Проектування та розрахунок сушарки ВРА 4
DocentMark
: 27 марта 2015
Технологічна частина.
Технологічна схема проекту.
Обґрунтування в потребі сировини.
Обґрунтування проектної потужності.
Будова і робота проектованої машини.
Будова та принцип дії скрубера Вентурі.
Розрахунок насоса для подачі знежиреного молока в трубу Вентурі.
Підбір вентиляторів.
Аналіз процесу уловлення пилу в скрубері Вентурі.
Розрахунок скрубера Вентурі.
Розрахунок вала на міцність.
Ремонт і монтаж сушильної установки.
Експлуатація розпилювальної сушильної установки ВРА.
Перелік використано
45 руб.
Зачет по экологии. Вариант № 4
mortis
: 13 октября 2012
Билет № 10
1. Влияние деятельности человека на атмосферу.
2. Бюджет солнечной энергии в экосистемах
Атмосфера содержит в том или ином количестве частицы всех веществ, известных на планете. Присутствие этих веществ обусловлено как естественными процессами, протекающими на планете, так и деятельностью человека. Вещество, находящееся в атмосфере (в общем случае, в любой геосфере) в количестве большем фонового содержания называется загрязнителем. Следствием наличия в атмосфере загрязняющих веществ
10 руб.
00.07.000 Съемник винтовой
coolns
: 31 июля 2019
Съемник винтовой сборочный чертеж
Съемник винтовой чертежи
Съемник винтовой деталирование
Съемник винтовой скачать
Съемник винтовой 3д модель
Винтовой съемник предназначен для снятия деталей машин (например, шарикоподшипников), туго посаженных на вал или ось.
При снятии кольца шарикоподшипника с конца вала, наконечник 5 упирается в торец вала, и крюкообразные концы лапок 4 захватывают торец только того кольца, которое смонтировано с натягом. Вращая рукоятку 3, перемещают траверсу 1 с лапками 4
350 руб.
Лабораторная работа 1,2 Вариант №6 . «Программное обеспечение инфокоммуникационных технологий»
rusyyaaaa
: 26 апреля 2020
Лабораторная работа №1
Практическое занятие. Управление сетью
Цель занятия: изучение инструментов конфигурирования сети в UNIX, включающих настройку параметров TCP/IP-сети.
Изучаемые команды: arp, ifconfig, netstat, dig, nslookup, whois, ping, route, telnet,
traceroute, tcpdump, nmap.
Сценарий: Настройка сетевого интерфейса
Сценарий посвящен сетевым интерфейсам – прослойке между канальным и сетевым
уровнем в UNIX. В сценарии показано, как получать информацию о настроенных в системе
сетевых инт
150 руб.