Разработка интегрального аналогового устройства. Курсовая работа. Вариант № 6
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса «Электроника» и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и вывода. Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме (А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы.
Разработка топологии включает в себя следующие операции:
-выбор материала для пленочных резисторов согласно варианту;
-расчет размеров всех резисторов;
-выбор материала для проводников и контактных площадок;
-расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа.
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
Целью курсовой работы является закрепление теоретического материала по второму разделу курса «Электроника» и приобретению навыков анализа ЦИМС и составления топологии гибридных ИМС.
Курсовая работа состоит из введения, двух основных разделов и вывода. Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме (А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы.
Разработка топологии включает в себя следующие операции:
-выбор материала для пленочных резисторов согласно варианту;
-расчет размеров всех резисторов;
-выбор материала для проводников и контактных площадок;
-расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа.
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
Дополнительная информация
2012г. Оценка:Отлично
Похожие материалы
Курсовая работа "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант №6.
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
Содержание курсовой работы:
Исходные данные: (см. скрин)
Рис.1 Усилитель с несимметричным входом и несимметричным выходом и БТ включенным по схеме с ОЭ
Структурная схема составляется на основе типовой схемы . В нашем случае техническому заданию соответствует двухкаскадная схема усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Во входном каскаде используется полевой транзистор VT1 c управляющим р-n переходом и каналом n –типа.
В выходном каскаде - биполярный транзистор VT2
250 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
150 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Содержание
Техническое задание………………………………………………………………….2
Введение………………………………………………………………………………3
1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5
2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6
2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7
2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11
3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15
4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18
Заключение…………………………………………………………………………..20
Литература…………………………………………………………………………...2
50 руб.
Другие работы
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.37 Вариант 7д
Z24
: 23 октября 2025
В нагревательной печи, где температура газов tж1, стенка сделана из трех слоев: динасового кирпича толщиной 60 мм, красного кирпича толщиной 250 мм и снаружи слоя изоляции толщиной δиз. Воздух в цехе имеет температуру tж2. Коэффициент теплоотдачи в печи от газов к стенке α1, снаружи от изоляции к воздуху α2. Найти коэффициент теплопередачи от газов к воздуху, потери теплоты через стенку, температуры на поверхностях всех слоев. Построить график температур в стенке.
180 руб.
Реферат по дисциплине: История. "Политическое и социально-экономическое развитие Киевской Руси"
IT-STUDHELP
: 8 июля 2019
Содержание
Введение…..……………………2
Глава 1. Политическое и социально-экономическое развитие
Киевской Руси (начало XI века - начало XII века)………..4
1.1. Время Ярослава Мудрого. «Русская Правда»……….….…....4
1.2. Усобицы 2-ой половины XI века. Владимир Мономах…….7
1.3. Предпосылки и становление феодальных отношений на Руси..….…9
Заключение………….…….11
Список используемых источников..……….....……12
Введение
Данная работа посвящена политическому и социально-экономическому развитию Киевской Руси (нач
200 руб.
Экзамен. Электромагнитные поля и волны. Билет № 5
lisii
: 23 марта 2019
Билет №5
Направляемые электромагнитные волны. Физические принципы волноводной передачи. Волновые уравнения полей для произвольного сечения волновода.
Задача 1
Плоская электромагнитная волна распространяется в однородной немагнитной среде с относительной диэлектрической проницаемостью и удельной проводи-мостью . Частота электромагнитной волны f = 10500 МГц. Определить:
1. Фазовую постоянную.
2. Длину волны в среде.
3. Расст
20 руб.
Финансовый менеджмент организации
Lokard
: 31 марта 2014
Содержание
ВВЕДЕНИЕ 2
1.Общая характеристика экономическая страховой компании «Росгосстрах» 3
1.1.Краткая характеристика Росгосстрах 3
1.2. Анализ финансово-хозяйственной деятельности страховой компании «Росгосстрах» 4
2.Рекомендации по совершенствованию системы управления финансами страховой компании «РОСГОССТРАХ» 7
2.1. Мероприятия по повышению рентабельности страховой деятельности Росгосстрах 7
2.2. Управление страховой компанией на современных принципах бюджетирования 9
ВВЕДЕНИЕ
Основой проц
5 руб.