Экзамен по дисциплине « Основы схемотехники». Билет 1 – 4

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9013394C-51A5-42D6-BB49-3AB7616D63BD.rar [46 KB]
material.view.file_icon Экзамен Билет1-4 Основы схемотех.docx [Office 2010, 5 стр., 53 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет 1 – 4

1. Нарисовать схему с коллекторной стабилизацией. Транзистор p-n-p структуры и включен по схеме с общим эмиттером. В схеме используется цепочка RфСф. Вычислить сопротивления в цепи коллектора и Rф, если известно, что ток коллектора равен 4 мА, величина статического коэффициента усиления по току равна 200, Uко = 10 В, URФ = 0,1URK.
2. Найти коэффициент передачи четырехполюсника обратной связи, если известна глубина отрицательной обратной связи 30 дБ, а коэффициент усиления по напряжению усилителя без обратной связи равен 180 раз.

Дополнительная информация

Оценка "удовлетворительно"
Вторая задача решена неверно,
определена глубина обратной связи.

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: «Основы схемотехники» Билет № 1-11
Билет No 1 - 11 1. Привести схему трансформаторного каскада на транзисторе n-p-n. Рассчитать оптимальный коэффициент трансформации и выходную мощность при максимальном использовании транзистора, по току и напряжению, если Uк0 = 5В, iк0 = 10мА, тр = 0,9. Нагрузка - волновое сопротивление 150 Ом. 2. Привести схему двухкаскадного усилителя на биполярных транзисторах n-p-n. Показать пути прохождения переменных токов(токов усиливаемого сигнала). Как рассчитать эквивалентное сопротивление нагрузки д
Схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User JuliaRass : 29 октября 2012
100 руб.
Экзамен по дисциплине «Основы схемотехники» билет 1-7
Билет 1 – 7 1. Нарисовать схему резистивного каскада на БТ с эмиттерной стабилизацией. Биполярный транзистор типа n-p-n и включен по схеме с общим эмиттером. Определить частоту, на которой относительное изменение усиления изменится на 6 дБ, если известно, что разделительная ёмкость равна 5 мкФ, сопротивление делителя в цепи базы равны 10 кОм и 16 кОм, входное сопротивление транзистора равно 1 кОм. Сопротивление источника сигнала принять равным 3 кОм. 2. Для схемы вопроса 1 пояснить принцип эмитт
Схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User gudrich : 8 мая 2011
250 руб.
Экзамен по дисциплине: «Основы схемотехники»
1. Привести схему балансного дифференциального каскада на биполярных транзисторах с эмиттерной стабилизацией в каскадах. Рассчитать сопротивление резистора в цепи эмиттеров, если известно, что i КО1 = i КО2 = 4 мА, h21Э1 = h21Э2 = 20, а падение напряжения на этом резисторе равно 1,5 В. 2. Чему равен сквозной коэффициент усиления по напряжению операционного усилителя, если выход соединен с инвертирующим входом резистором 200 кОм. Усиление усилителя по напряжению равно 2000 раз, входное сопротивл
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User oksana111 : 15 февраля 2013
100 руб.
Основы схемотехники. Билет №1
1. Нарисовать схему усилительного каскада с коллекторной стабилизацией на биполярном транзисторе типа n – p – n, включенного по схеме с общим эмиттером. Нагрузкой каскада является резистор 2 кОм. Известно, что напряжение источника питания равно 16 В, напряжение и ток в рабочей точке равны соответственно 10В и 3мА; входное сопротивление транзистора 1 кОм, а ток базы 0,1 мА. Рассчитать коэффициент усиления схемы. 1. Для схемы задачи 1-1 вычислить коэффициент частотных искажений на частоте 120 Гц,
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User Ash89 : 4 мая 2014
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (Основы схемотехники). Билет 1 – 5. СИБГУТИ.
Экзамен По дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (Основы схемотехники). Билет 1 – 5. СИБГУТИ. 1. Определить коэффициент усиления по напряжению трехкаскадного усилителя, если известно, что коэффициенты усиления каскадов равны соответственно 20 дБ, 15 дБ и 100 раз. Результат выразить в относительных единицах. 2. Привести схему RC – каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом и каналом типа “n”. Найти величину напряжения смещения, если известно, что сопротивлен
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User dubhe : 8 марта 2015
200 руб.
promo
Экзамен. Основы Схемотехники. Билет №1
Переходная характеристика – это зависимость: В двухкаскадном усилителе коэффициент усиления по напряжению 1 каскада равен10, второго – 20. Определить общий коэффициент усиления всего усилителя. В усилителе с ООС коэффициент передачи цепи обратной связи = 0,01; сквозной коэффициент усиления по напряжению без ОС К* = 40дБ. Определить глубину обратной связи.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User sag : 12 ноября 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: "Основы схемотехники". Билет №2
Задача 2-1 1. Нарисовать схему с фиксированным напряжением для биполярного транзистора типа n – p – n для схемы включения с общим эмиттером. Определить величину напряжения смещения, если известно, что ток и напряжение в рабочей точке равны соответственно 7В и 2мА, а статический коэффициент усиления по току равен 20. ток делителя принять равным пятикратному значению тока базы; известно также, что напряжение источника питания равно 15В, а напряжение на сопротивлениях делителя относятся как 2 :
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Основы схемотехники
User freelancer : 20 апреля 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: "Основы схемотехники". Билет №2 promo
Экзамен по дисциплине Основы схемотехники. Билет 27.
Билет № 27. 1. Свойства схем включения усилительных элементов с общим коллектором (общим стоком) и общей базой (общим затвором). Проявление действия местной обратной связи в них по сравнению со схемой включения с общим эмиттером (общим истоком). 2. Схемы межкаскадной связи, их достоинства и недостатки, области применения. 3. Схема операционного повторителя.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User Walk_ns : 29 июня 2015
75 руб.
Экзамен по дисциплине Основы схемотехники. Билет 27.

Другие работы

Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника физическая
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 23 февраля 2013
100 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 4 Вариант 76
Поверхность нагрева состоит из плоской стальной стенки толщиной δ. По одну сторону стенки движется горячая вода, средняя температура которой tж1, по другую — вода со средней температурой tж2 или воздух, средняя температура которого tв2. Определить для обоих случаев плотность теплового потока q (Вт/м²) и коэффициент теплопередачи, а также значения температур на обоих поверхностях стенки. Найти изменение удельного теплового потока Δq для первого случая, если с каждой стороны стальной стенки появит
Задачи Теплотехника
User Z24 : 7 марта 2026
250 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 4 Вариант 76
Щековая дробилка СМД-60А
Щековая дробилка СМД-60А - Продольный, поперечный разрез.
Станки и инструменты Чертежи
User DiKey : 31 марта 2020
50 руб.
Щековая дробилка СМД-60А
Онлайн Тест по дисциплине: Защита информации в мультисервисных сетях связи (ДВ 2.2).
Вопрос No1 В качестве атак на BGP можно выделить: Router Masquerading. «Слепые» DoS атаки. Превышение маршрута 15 хопами. Изменение статической маршрутизации. Вопрос No2 К стеку протоколов IPSec относят: ESP. IKE. IH. IP. Вопрос No3 Нормализация событий в системах мониторинга информационной безопасности это: Приведение информации от различных средств защиты к единому виду, единым показателям значимости события. Объединение однотипных событий в одно. Устранение избыточной
СибГУТИ Защита информации в мультисервисных сетях связи Тесты
User IT-STUDHELP : 2 декабря 2022
350 руб.
promo
up Наверх