Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

Содержание

Введение 5
1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 6
1.1 Распределение примесей в базе 6
1.2 Расчет режимов базовой диффузии 6
1.3 Распределение примесей в эмиттере 8
1.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии 8
2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора 13
3 Расчет основных параметров инвертора 15
Заключение 18
Список используемой литературы 19

1 Предложить топологический вариант и представить режим технологического процесса изготовления биполярной структуры интегральной схемы полагая, что локальное легирование производиться методом диффузии.
2 Представить распределение примесей в отдельных областях структуры. Процессы сегрегации примеси при окислении можно не учитывать.
3 Рассчитать параметры модели биполярного транзистора, исходя из значений слоевых сопротивлений и толщины слоев структуры.
4 Рассчитать входные и выходные характеристики биполярного транзистора.
5 Рассчитать основные параметры инвертора, построенного на базе биполярного транзистора (напряжения логических уровней, пороговые напряжения, помехоустойчивость схемы, времена задержки и средний потребляемый ток схемы).
6 Рассчеты провести для номинальных значений режимов процесса диффузионного легирования и для двух крайних значений, определяемых с точностью поддержания температур при легировании области эмиттера Т= 1.5 0С.
7 Разрешается аргументированная корректировка параметров технологического процесса или заданных слоев, с тем чтобы получить приемлемые характеристики схемы.