Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки.
В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки.
В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Дополнительная информация
Работа сдана в 2010 году, оценка "отлично"
Похожие материалы
Курсовой проект по электронике. СБТ/СБВ. 12-й вариант.
sanco25
: 26 мая 2013
Техническое задание………………………………………………………………...3
Введение…………………………………………………………...4
1. Разработка структурной схемы…………………………………..5
2. Разработка принципиальной схемы……………………………...6
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1. Выбор электронных элементов схемы……………………........7
3.2.Расчет амплитудно – частотной характеристики………………........10
3.3. Разработка топологии ГИМС…………………………………..14
3.4. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы……………………………………………………….17
Заключение……
89 руб.
Инженерная и компьютерная графика. 1-й семестр. -й вариант
xadmin
: 15 ноября 2017
Построить три проекции сферы со сквозным отверстием
Построить две проекции линии пересечения поверхностей вращения.
По двум заданным видам построить три изображения,
Выполнить заданные разрезы и наклонное сечение.
Нанести размерные линии.
1 Цель задания – изучить правила выполнения и оформления электрических структурных и принципиальных схем по ГОСТ 2.701-84 и 2.702-75.
175 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
xadmin
: 25 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и ка
85 руб.
Страхование. 7-й семестр. 2-й вариант
елена85
: 29 марта 2017
Задание 1.
Страхователь застраховал свое имущество от пожара. При наступлении страхового случая страховщик возместил ущерб, но не включил в эту сумму расходы, которые понес страхователь по спасению застрахованного имущества, мотивируя тем, что их компенсация совместно с покрытием убытка превысит страховую сумму. Оцените действия страховщика.
50 руб.
Физика. 17-й вариант. 1-й семестр
zagovor
: 30 ноября 2016
117. Снаряд, летевший со скоростью = 400 м/с, в верхней точке траектории разорвался на два осколка. Меньший осколок, масса которого составляет 40% от массы снаряда, полетел в противоположном направлении со скоростью и1 = 150 м/с. Определить скорость u2 большего осколка.
80 руб.
Химия. 17-й вариант. 1-й семестр
zagovor
: 30 ноября 2016
3.1 Проводниковые материалы
Задача № 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
120 руб.
Экономика (3-й семестр. 2-й вариант)
mahaha
: 29 апреля 2016
Вариант №2
1. Фаза кризиса характеризуется:
а) падением цен, переполнением рынка товарами;
б) резким сокращением объемов производства;
в) массовым банкротством и гибелью множества предприятий;
г) ростом безработицы и снижением заработной платы;
д) паникой на фондовой бирже и массовым падением курса акций;
е) кризисом кредитной системы, массовым банкротством банков и резким ростом ссудного процента.
Охарактеризуйте поведение каждого приведенного здесь показателя в фазах депрессии, оживления и по
40 руб.
Математика (2-й семестр. 10-й вариант)
mahaha
: 29 апреля 2016
Билет № 10
1. Линейные дифференциальные уравнения второго порядка с постоянными коэффициентами с правой частью и их решение.
2. Повторение независимых испытаний. Схема Бернулли.
3. Разложить функцию в ряд Тейлора по степеням х
40 руб.
Другие работы
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 1 Вариант 58
Z24
: 2 февраля 2026
Определение мощности электронагревателя для обогрева помещения
Две стены помещения с внутренними размерам, (1 ‒ a·h и 2 ‒ b·h) выложены из красного кирпича толщиной δкп, изолированного с наружной стороны сайдингом толщиной δсд, а с внутренней покрыта слоем штукатурки толщиной δшт.
3 и 4-я стены с размерами (3 ‒ b·h и 4 ‒ a·h) выполнены из панелей толщиной δпн, оштукатуренных с обеих сторон штукатуркой толщиной δшт. Пол и потолок выполнены из железобетонных плит толщиной δжб, где а – длина,
200 руб.
Элективные дисциплины по физической культуре и спорту (часть 3)
alexey32
: 14 февраля 2020
Контрольная работа
Подходит для всех вариантов
Задание:
Составить и заполнить дневник самоконтроля.
Выполнить данное практическое задание на основе проведенных наблюдений над собой в ходе физической нагрузки.
Цель контрольной работы – проверка знаний, полученных студентами в процессе самостоятельного изучения дисциплины и усвоения материалов лекций.
100 руб.
ТАУ. Экзаменационный билет № 21
anderwerty
: 7 февраля 2016
Экзаменационный билет № 21
На вход системы (СДС:RC-фильтра), описываемой дифференциальным уравнением, действует стационарная помеха цветной шум с заданной корреляционной функцией
На выходе RC-фильтра сигнал , причем
1. Заменить систему эквивалентной системой с передаточной функцией , на вход которой действует белый гауссовский процесс (шум) (рис.1)
2. Составить дифференциальное уравнение системы.
3. Представить систему уравнений в форме Коши.
4. Определить дисперсию выходного сигнала
20 руб.
Экзамен по истории: Петр I и преобразования первой четверти XYIII века
ulibka
: 10 января 2015
Экзамен по истории.
Экзаменационный вопрос:
1. Петр I и преобразования первой четверти XYIII века
Оценка:Отлично
Дата оценки: 10.01.2015
50 руб.