Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки.
В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки.
В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Дополнительная информация
Работа сдана в 2010 году, оценка "отлично"
Похожие материалы
Курсовой проект по электронике. СБТ/СБВ. 12-й вариант.
sanco25
: 26 мая 2013
Техническое задание………………………………………………………………...3
Введение…………………………………………………………...4
1. Разработка структурной схемы…………………………………..5
2. Разработка принципиальной схемы……………………………...6
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1. Выбор электронных элементов схемы……………………........7
3.2.Расчет амплитудно – частотной характеристики………………........10
3.3. Разработка топологии ГИМС…………………………………..14
3.4. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы……………………………………………………….17
Заключение……
89 руб.
Инженерная и компьютерная графика. 1-й семестр. -й вариант
xadmin
: 15 ноября 2017
Построить три проекции сферы со сквозным отверстием
Построить две проекции линии пересечения поверхностей вращения.
По двум заданным видам построить три изображения,
Выполнить заданные разрезы и наклонное сечение.
Нанести размерные линии.
1 Цель задания – изучить правила выполнения и оформления электрических структурных и принципиальных схем по ГОСТ 2.701-84 и 2.702-75.
175 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
xadmin
: 25 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и ка
85 руб.
Страхование. 7-й семестр. 2-й вариант
елена85
: 29 марта 2017
Задание 1.
Страхователь застраховал свое имущество от пожара. При наступлении страхового случая страховщик возместил ущерб, но не включил в эту сумму расходы, которые понес страхователь по спасению застрахованного имущества, мотивируя тем, что их компенсация совместно с покрытием убытка превысит страховую сумму. Оцените действия страховщика.
50 руб.
Химия. 17-й вариант. 1-й семестр
zagovor
: 30 ноября 2016
3.1 Проводниковые материалы
Задача № 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
120 руб.
Физика. 17-й вариант. 1-й семестр
zagovor
: 30 ноября 2016
117. Снаряд, летевший со скоростью = 400 м/с, в верхней точке траектории разорвался на два осколка. Меньший осколок, масса которого составляет 40% от массы снаряда, полетел в противоположном направлении со скоростью и1 = 150 м/с. Определить скорость u2 большего осколка.
80 руб.
Математика (2-й семестр. 10-й вариант)
mahaha
: 29 апреля 2016
Билет № 10
1. Линейные дифференциальные уравнения второго порядка с постоянными коэффициентами с правой частью и их решение.
2. Повторение независимых испытаний. Схема Бернулли.
3. Разложить функцию в ряд Тейлора по степеням х
40 руб.
Культурология (2-й семестр. 15-й вариант)
mahaha
: 29 апреля 2016
Реферат на тему: Роль символа в культуре.
План
Введение
1. Роль символов и знаков в культурологии
2. Топология символов и знаков
3. Логика знаков и символов
Заключение
Список использованной литературы
50 руб.
Другие работы
Допуски и посадки типовых соединений деталей машин
Рики-Тики-Та
: 29 июня 2012
Содержание
Введение
1. Допуски и посадки гладких цилиндрических соединений деталей
редуктора
1.1 Посадка зубчатого колеса тихоходного вала
1.2 Посадка звездочки на выходной конец тихоходного вала
1.3 Посадка полумуфты на выходной конец быстроходного вала
1.4. Посадка крышек редуктора в корпусе редуктора
1.5 Допуски и посадки других гладких цилиндрических
соединений деталей редуктора
1.6. Предельные отклонения размеров относительно низкой
точности
2. Допуски и посадк
55 руб.
Объем товарной, валовой продукции.
ninalapa
: 15 марта 2011
Определите объем товарной, валовой и реализованной продукции исходя из следующих данных:
Показатели
Сумма, млн. руб. 3
1. Выпущено изделий для реализации на сторону 47,0
2. Прочая продукция для реализации на сторону 3,5
3. Стоимость выполненных на сторону работ 1,1
4. Стоимость полуфабрикатов для реализации на сторону 1,8
5. Стоимость основных фондов собственного производства 1,5
6. Стоимость незавершенного производства
- на на
100 руб.
Патентно-информационный обзор продавочных пробок: Авторское свидетельство № 1190003, Авторское свидетельство № 1039024,Авторское свидетельство № 1155726, Авторское свидетельство № 1079824-Чертеж-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипломн
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 12 февраля 2018
Патентно-информационный обзор продавочных пробок: Авторское свидетельство № 1190003, Авторское свидетельство № 1039024,Авторское свидетельство № 1155726, Авторское свидетельство № 1079824-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Нефтегазопромысловое оборудование-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипломная работа
485 руб.
Разработка фрезерно-роторного снегоочистителя для Bobcat S-175
superdiplom
: 15 февраля 2016
Дипломный проект состоит из пояснительной записки 130 листов и 10 чертежей.
В дипломе рассматривается техническая эксплуатация парка машин предприятия с разработкой фрезерно-роторного снегоочистителя.
Разделы записки: Введение, Общие сведения о предприятии, Планируемый объем работ предприятия, Планирование и организация ТО и ремонтов, Конструкторская разработка, Экономика, БЖ, Выводы.
Чертежи: ВО, СБ, Деталировка (2 листа), Годовой план план-график количества ТО и ремонтов, Месячный план, Патент
500 руб.