Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
50 Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариантID: 70273Дата закачки: 11 Июня 2012 Продавец: DonTepo (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Курсовая Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Введение 3 Задание 4 Электрический расчет цифровой схемы 5 Разработка топологии ИМС 12 Выводы 17 Литература 18 В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным. Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки. В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками. Комментарии: Работа сдана в 2010 году, оценка "отлично" Размер файла: 180 Кбайт Фаил: (.zip) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 5 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Электрический расчет цифровой схемРасчет сети IP-телефонии: трафик, задержка, маршрутизатор Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника / Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
Вход в аккаунт: