Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки.
В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов. Введение интегральных микросхем позволило разработать устройства, изготовление которых при использовании дискретных элементов было бы вообще невозможным или неэкономичным.
Интегральная микросхема, или просто интегральная схема ИС, микроэлектронное изделие, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и кристаллов, выполняющее функцию преобразования и обработки сигналов. Под элементом ИС понимают такую ее часть, которая выполняет функцию одного простого радиоэлемента (например, резистора, конденсатора, диода, транзистора) и составляет нераздельное целое с кристаллом ИС или ее подложкой, т. е. не может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным элементом служит пленочный резистор, интегральный транзистор и т. д. Компонентом ИС является ее часть, которая выполняет функцию одного или нескольких радиоэлементов и может рассматриваться как самостоятельное изделие. Интегральным компонентом служит бескорпусный транзистор, керамический конденсатор большой емкости, трансформатор. С развитием микроэлектронной техники уменьшаются геометрические размеры активных элементов ИС, вследствие чего возрастает плотность упаковки.
В настоящее время преимущество получили гибридные ИС. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки, сотни кристаллов ИС. Таким путем создаются многокристальные схемы с большим числом активных и пассивных элементов в неделимом элементе. В этих комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Дополнительная информация
Работа сдана в 2010 году, оценка "отлично"
Похожие материалы
Курсовой проект по электронике. СБТ/СБВ. 12-й вариант.
sanco25
: 26 мая 2013
Техническое задание………………………………………………………………...3
Введение…………………………………………………………...4
1. Разработка структурной схемы…………………………………..5
2. Разработка принципиальной схемы……………………………...6
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1. Выбор электронных элементов схемы……………………........7
3.2.Расчет амплитудно – частотной характеристики………………........10
3.3. Разработка топологии ГИМС…………………………………..14
3.4. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы……………………………………………………….17
Заключение……
89 руб.
Инженерная и компьютерная графика. 1-й семестр. -й вариант
xadmin
: 15 ноября 2017
Построить три проекции сферы со сквозным отверстием
Построить две проекции линии пересечения поверхностей вращения.
По двум заданным видам построить три изображения,
Выполнить заданные разрезы и наклонное сечение.
Нанести размерные линии.
1 Цель задания – изучить правила выполнения и оформления электрических структурных и принципиальных схем по ГОСТ 2.701-84 и 2.702-75.
175 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
xadmin
: 25 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и ка
85 руб.
Страхование. 7-й семестр. 2-й вариант
елена85
: 29 марта 2017
Задание 1.
Страхователь застраховал свое имущество от пожара. При наступлении страхового случая страховщик возместил ущерб, но не включил в эту сумму расходы, которые понес страхователь по спасению застрахованного имущества, мотивируя тем, что их компенсация совместно с покрытием убытка превысит страховую сумму. Оцените действия страховщика.
50 руб.
Химия. 17-й вариант. 1-й семестр
zagovor
: 30 ноября 2016
3.1 Проводниковые материалы
Задача № 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
120 руб.
Физика. 17-й вариант. 1-й семестр
zagovor
: 30 ноября 2016
117. Снаряд, летевший со скоростью = 400 м/с, в верхней точке траектории разорвался на два осколка. Меньший осколок, масса которого составляет 40% от массы снаряда, полетел в противоположном направлении со скоростью и1 = 150 м/с. Определить скорость u2 большего осколка.
80 руб.
Математика (2-й семестр. 5-й вариант)
mahaha
: 29 апреля 2016
Задача 8. Найти частное решение дифференциального уравнения, удовлетворяющее данному начальному условию.
Задача 9. Найти интервал сходимости степенного ряда.
Тема: случайные события
Задача 10. Студент знает 40 из 50 вопросов программы. Найти вероятность того, что студент знает 2 вопроса, содержащиеся в его экзаменационном билете.
Задачи 11. Среднее число самолётов, прибывающих в аэропорт за 1 мин, равно трём. Найти вероятность того, что за 2 мин прибудут: а) 4 самолёта; б) менее четырёх самолёто
50 руб.
Математика (2-й семестр. 10-й вариант)
mahaha
: 29 апреля 2016
Билет № 10
1. Линейные дифференциальные уравнения второго порядка с постоянными коэффициентами с правой частью и их решение.
2. Повторение независимых испытаний. Схема Бернулли.
3. Разложить функцию в ряд Тейлора по степеням х
40 руб.
Другие работы
Металеві конструкції
elementpio
: 8 октября 2012
К.: КНУБА, 2008. - 30 с.
Зміст:
Вибір схеми балочної площадки.
Підбір перерізу балок прокатних елементів.
Центрально стиснені колони і стержні.
20 руб.
Контрольная работа. Цифровые системы передачи. Вариант №2
Vokut
: 4 января 2017
Задача 1
Рассчитайте основные параметры нестандартной цифровой системы передачи. Нарисуйте цикл передачи N канальной системы передачи с ИКМ, разрядность кода равна m. Определите скорость группового сигнала. Разработайте генераторное оборудование этой системы и нарисуйте диаграммы его работы.
Где N и m значения взяты из таблицы 1.
Предпоследняя цифра номера пароля N Последняя цифра номера пароля m
0 10 2 9
Задача 2
Рассчитать для заданных отсчетов группового АИМ сигнала:
1. Число уров
150 руб.
Проект модернизации комбинированного редуктора вертикальной клети стана 500
ostah
: 28 октября 2014
Введение
1 Общая часть
1.1 Краткая характеристика КГМК «Криворожсталь»
1.2 Характеристика цеха Блюминг №1
2 Специальная часть
2.1 Назначение и область применения рабочей клети 1250
2.2 Техническая характеристика
2.3. Описание конструкции и принцип работы клети стана 1250
2.4 Анализ недостатков
2.5 Литературно – патентный обзор
2.6 Предложение по модернизации
2.7 Описание конструкции
2.7.1 Устройство и принцип работы
2.7.2 Преимущества модернизированной машины по сравнению
50 руб.
ФМРМ.ХХХХХХ.900 ВО Контакт высокочастотный
vermux1
: 4 сентября 2018
Высокочастотный контакт служит для соединения и разъединения электрической цепи.
Конусный элемент контакта 11 служит для соединения с розеткой. Контакт 11 фиксируется в корпусе 2 при помощи полуколец 12. В отверстие контакта 11 вставляют и припаивают провод или кабель, который фиксируется уплотнительным кольцом 6 при помощи гайки 5 и втулки 4.
ФМРМ.ХХХХХХ.900 ВО СБ_Контакт высокочастотный
ФМРМ.ХХХХХХ.900 ВО СП_Контакт высокочастотный
ФМРМ.ХХХХХХ.902_Корпус
ФМРМ.ХХХХХХ.903_Заглушка
ФМРМ.ХХХХХХ.9
600 руб.