Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
20.07.2012
-
Размер:
532 KB
-
Покупок:
15
-
Добавил:
kisa7
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
9B8989C7-933F-4BDB-BC14-F5492AFD428B.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по работе №3
«Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов»
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Результат проведения исследований
1. Снимем передаточную характеристику IC=F(U3И).
UCИ будем измерять от 10В и до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений занесены в таблицу 1.
«Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов»
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Результат проведения исследований
1. Снимем передаточную характеристику IC=F(U3И).
UCИ будем измерять от 10В и до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений занесены в таблицу 1.
Дополнительная информация
зачтено
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
sprut89
: 16 сентября 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
Mercuryman
: 8 июля 2017
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным з
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №3
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3.
Ste9035
: 20 декабря 2016
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Ste9035
: 20 декабря 2016
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
merzavec
: 8 декабря 2014
60 руб.
Лабораторная работа №3. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
donkirik
: 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 3
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №3
" ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Экспериментальные данные
2.1. Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
Зачёт. ДО. 3 семестр.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Основы компьютерных технологий. Вариант 1
SibGOODy
: 14 июля 2023
Задание 1
По заданной ЕR-диаграмме:
1. постройте таблицы (атрибуты сущностей выберите произвольно);
2. выявите аномалии, удалите их;
3. создайте схему данных.
Дисциплины <<->> Студент <<->> Оценки
Задание 2
Для предметной области «Расписание»: ФИО преподавателя, должность, ставка, ученая степень, кафедра, телефон кафедры, факультет, курс, день недели, номер пары, предмет, вид занятий, аудитория.
1. Построить ER-модель (указать сущности и их атрибуты).
2. Описать порядок перехода от ER-модели к
SibGOODy
: 14 июля 2023
800 руб.
Технологическая схема газофракционирующей установки ЧЕРТЕЖ
coolns
: 4 июня 2024
Технологическая схема газофракционирующей установки ЧЕРТЕЖ
Технологическая схема газофракционирующей установки конденсационно-компрессионно-ректификационного типа
Чертеж выполнен на формате А1+PDF (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
coolns
: 4 июня 2024
250 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 и №2. Контрольная работа, вариант 24. Зачет, билет 14
Nikis
: 23 января 2015
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Лабораторная работа №2 "ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ
Nikis
: 23 января 2015
100 руб.
Очертания технических форм. Вариант №8
vermux1
: 22 января 2018
Инженерная графика Ф.Н. Притыкин , Л.М. Леонова
Тема 2. Очертания технических форм
Вариант 8
Цель работы: Выполнение построений сопряжений в очертаниях технических форм
Чертеж выполнен на формате А3 в компасе 3D V13.
vermux1
: 22 января 2018
35 руб.
