Физические основы электроники. 4-й семестр. Контрольная работа № 1. 7-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Похожие материалы
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
85 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. 3-й семестр. Вариант № 7
SybNet
: 22 сентября 2012
Контрольная работа No1 Физические основы электроники, 3 семестр, вариант No07
Дистанционное обучение СибГУТИ
Задача No1: Исходные данные для задачи (КТ603А Ek=60В, Rh=800 Ом, Iб0=300мкА...)
Задача No2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄
150 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 7. (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Задача No1: Исходные данные для задачи
No Вар. Тип БТ , В
, Ом
, мкА , мкА , МГц
, пс
7 КТ603А 60 800 300 200 100 2,75 70
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины
245 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. 3-й семестр. Вариант №7
yana1988
: 5 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости отно
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. 2-й семестр. 01 вариант.
varyag
: 14 апреля 2015
1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 1 вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплиту
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
Serebro09
: 16 марта 2015
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
75 руб.
Лабораторная работа №2. Физические основы электроники. 2-й семестр, Вариант: №2
CDT-1
: 3 апреля 2013
Лабораторная работа №2
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Схема с ОБ
Схема исследования
110 руб.
Другие работы
Водоснабжение и водоотведение жилого дома
GOLOVOLOM
: 12 октября 2011
Исходные данные для проектирования
1. Введение
2. Система водоснабжения и водоотведения объекта
3. Система холодного водоснабжения
3.1. Обоснование и выбор схемы
3.2. Конструирование системы В1, В11
3.2.1. Водоразборная арматура
3.2.2. Водопроводная сеть В1, В11
3.2.3. Трубопроводная арматура
3.2.4. Установки для повышения давления
3.2.5. Водомерный узел
3.2.6. Ввод
3.3. Расчет В1,В11
3.3.1. Определение расчетных расходов на объекте
3.3.2. Расчет элементов системы
3.3.2.1
Основы проектирования, строительства и эксплуатации сетей связи 7 семестр 6 вариант
DmitrTolmach
: 25 ноября 2017
Задание на курсовой проект
Часть 1.
По заданной емкости РАТС типа EWSD, определить объем оборудования проектируемой станции, разработать структурную схему, разместить оборудование на стативах и в автозале;
№ вар N кварт Nнх РАТС-1 РАТС-2 РАТС-3
6 4900 5700 8000 9000 11500
Примечания:
• На сети все станции цифровые;
• Есть выход к АМТС и УСС;
• Сигнализация между станциями осуществляется по ОКС№7;
• Все номеронабиратели с декадным набором.
Часть 2.
2.1. Создать аппаратную конфигурацию спроек
300 руб.
Клапан перепускной ПМИГ.ХХХХХХ.012
lepris
: 15 ноября 2022
Клапан перепускной ПМИГ.ХХХХХХ.012
ПМИГ.ХХХХХХ.012 Клапан перепускной
Перепускные предохранительные клапана являются элементами системы, в которой возможно, но не желательно повышение давления.
Рабочая среда поступает в правое отверстие корпуса 1 и дальше через нижнее отверстие — к обслуживаемому объекту.
Давление, при котором срабатывает клапан, регулируется усилием пружины 7 посредством рукоятки 8, посаженой на ходовой винт 5. Пружина, сжатая винтом, прижимает клапан к корпусу 1.
Если в маги
500 руб.
Основы мультисервисных сетей. Экзамен. Билет 43
Алёна36
: 21 декабря 2019
Билет №43
ПК-1
1. На каких местах ЛЭП может проектироваться подвеска оптического кабеля с наименьшей вероятностью повреждения?
2. Что требуется рассчитать в эквивалентных ресурсах оптической мультисервисной сети?
3. Какая из технологий оптических транспортных сетей поддерживает функции коррекции ошибок FEC с наибольшей эффективностью?
Задача
Составить схему организации связи, защищённой оптической мультисервисной сети линейного типа, состоящей из двух оконечных (OTM) и четырёх промежуточных ста
700 руб.