Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 15D98282-0251-4995-9D7E-81360E3D8474.rar [ 613 KB ]
material.view.file_icon ФизОснЭлект_лаб1.doc [ 287 KB ]
material.view.file_icon ФизОснЭлект_лаб2.doc [ 348 KB ]
material.view.file_icon ФизОснЭлект_лаб3.doc [ 251 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторные работы №1-3 Физические основы электроники, 3 семестр
Работы без варианта, но выполняются через программу в онлайн.

Дистанционное обучение СибГУТИ

Лаб. №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (диоды Д7Ж и Д220).
Лаб. №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" (транзистор МП37А)
Лаб №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"

Дополнительная информация

Сдано в 2012г. без замечаний.

Похожие материалы

Лабораторная работа №1. Физические основы электроники. 2-й семестр, Вариант: №2
Лабораторная работа №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" По дисциплине: Физические основы электроники Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Схема с ОБ Схема исследования
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User CDT-1 : 3 апреля 2013
110 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
Лабораторные работы: Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ДО Сибгути : 10 февраля 2016
200 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр) promo
Физические основы электроники. Лабораторные работы №№1-3 . 3-й семестр. Вариант №19
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2 "ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА" Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User 58197 : 22 сентября 2013
65 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1

Другие работы

Курсовая работа теория телетрафика
Шифр: 12.3.15.15.0.4.5 Задачи: 1. На однолинейную СМО поступает простейший поток вызовов с параметром 35 выз/час. Вызовы обслуживаются с ожиданием. Время обслуживания вызовов распределено: а) показательно со средним значением 70 c; модель обслуживания М/М/1; б) постоянно с h=t ; модель обслуживания М/Д/1. Допустимое время ожидания начала обслуживания - 140 с. Определить: для модели М/М/1 и М/Д/1 - функцию распределения времени ожидания начала обслуживания; среднее время начала
СибГУТИ Теория телетрафика Работа Курсовая
User elina56 : 24 октября 2017
200 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.5 Вариант 29
Найти внутренний диаметр трубопровода d, необходимый для обеспечения расхода Q воды (ν=10-6 м²/c), перекачиваемой насосом с напором Нн из нижнего бака в верхний по трубопроводу длиной L, имеющему n резких поворотов. Задачу решить методом последовательных приближений. Вид трубы взять из табл. 3.1 на с. 24. Найденный диаметр выразить в м и мм.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 19 октября 2025
300 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.5 Вариант 29
Практическая работа №3 по газонефтепроводам. 4-й курс
Тема: Проверка подземного и наземного (в насыпи) трубопровода на прочность и недопустимость пластических деформаций Постановка цели: Проверить на прочность, на недопустимость пластических деформаций участок магистрального трубопровода с наружным диаметром - Dн и толщиной стенки – δ. Исходные данные для расчета: Категория участка, внутренне давление – P, марка стали, температура стенки трубы при эксплуатации – tэ, температура фиксации расчетной схемы трубопровода – tф, коэффициент надежности по м
Задачи Геология нефти и газа
User GnobYTEL : 3 сентября 2012
10 руб.
Физика часть 1, Лабораторная работа 1,Тема: «Изучение характеристик электростатического поля», 1 семестр, 7 вариант
Цель работы: 1. Изобразить графически сечение эквипотенциальных поверхностей электростатического поля, созданного заданной конфигурацией электрических зарядов 2. Используя изображение эквипотенциальных поверхностей, построить силовые линии электростатического поля заданной конфигурации зарядов. 3. При помощи полученной картины силовых и эквипотенциальных линий проверить справедливость формулы связи напряжённости электрического поля с его потенциалом. Основные теоретические сведения Помимо механи
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User tatacava1982 : 24 ноября 2019
100 руб.
Физика часть 1, Лабораторная работа 1,Тема: «Изучение характеристик электростатического поля», 1 семестр, 7 вариант
up Наверх