Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№3

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5F91920D-976B-41AC-A826-C6B55754B295.rar [ 243 KB ]
material.view.file_icon Электроника_экзамен.doc [ 810 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка отлично

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№3
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, к
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User 4eJIuk : 30 октября 2012
70 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.

Другие работы

Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Організація роботи недержавних пенсійних фондів на ринку цінних паперів
План Вступ 1. Механізм функціонування НПФ в Україні 2. Аналіз діяльності НПФ за період 2005-2008 рр.. 3. Проблеми та перспективи функціонування НПФ Висновки Список використаних джерел Вступ Пенсійна реформа, що стартувала у 2004 р., мала на меті значне підвищення пенсій і розвантаження державного бюджету шляхом запровадження додаткових рівнів пенсійного забезпечення – обов’язкового та добровільного накопичувального. Принцип побудови накопичувальних рівнів пенсійного забезпечення передбачає в
Финансы Работа
User alfFRED : 26 октября 2013
10 руб.
Автомобильный двигатель мощностью 90 кВт на базе двигателя ВАЗ-2110
Введение 3 Обзор конструкций современных двигателей 4 Анализ тенденций развития автомобильного двигателестроения 18 1.1 Тенденции развития рабочего процесса 18 1.2 Материалы в современном двигателестроении и тенденции применения новых материалов 22 1.3 Перспективы развития конструкции основных деталей двигателя 23 2 Обоснование выбора исходных данных 26 3 Описание конструкции двигателя 29 4 Тепловой и динамический расчет двигателя 46 4.1 Тепловой расчет двигателя 46 4.1.1 Результаты тепло
Двигатели внутреннего сгорания Диплом и связанное с ним СПбГПУ
User dex89 : 8 октября 2012
3000 руб.
Автомобильный двигатель мощностью 90 кВт на базе двигателя ВАЗ-2110
Впровадження захисту інформації в комп’ютерній мережі і інформаційній системі підприємства "WED"
Зміст Вступ I. Загальна характеристика підприємства «WED» 1.1 Характеристика підприємства «WED» 1.2 Організаційно-структурна схема підприємства «WED» 1.3 Технічне та програмне забезпечення ТОВ «WED» 1.4 Система документообігу на підприємстві «WED» II. Впровадження захисту інформації в комп’ютерній мережі і інформаційній системі підприємства «WED» 2.1 Технічні засоби охорони об'єктів і захисту від витоку інформації 2.2 Ідентифікація і встановлення автентичності суб'єктів і об'єктів 2.2.
Информатика Работа
User Elfa254 : 3 октября 2013
10 руб.
up Наверх