Разработка анализатора газов на базе газового сенсора RS 286-620
-
Категории:
Диплом и связанное с ним, Геология. Геодезия. Разраб. полезных ископ.
-
Добавлен:
27.10.2012
-
Размер:
740 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
VikkiROY
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
DIP0217.DOC
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание 2
Введение 4
Постановка задачи 4
Возможные пути решения 4
Обзор литературы 6
Что сделано другими разработчиками в этом направлении. 6
Обзор современных полупроводниковых газовых датчиков 6
Обзор микроконтроллеров для обработки сигналов 7
Выбор элементной базы для измерительной части. 7
Выбор устройства отображения информации 8
Описание прибора 9
Описание сенсора RS286-620 9
Физические основы работы прибора. 10
Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры. 14
Принципы обработки сигналов сенсора 16
Гипотеза линейной аддитивности сигналов. 16
Особенности построения алгоритма определения концентраций. 18
Соответствие между термограммами и парциальными проводимостями. 19
Структурная схема и основные элементы прибора 20
Принципы работы прибора. 20
Измерительная часть прибора. 21
Процессорная часть прибора. 22
Блок питания. 23
Устройство отображения информации. 23
Результаты испытаний прибора (термограммы некоторых веществ и смесей) 24
Настройка и калибровка анализатора. 24
Алгоритм работы прибора 27
Заключение 29
Использованная литература. 30
Приложения 32
Приложение 1. Структурная схема прибора. 32
Приложение 2. Принципиальная схема прибора 33
Приложение 3. Принципы хранения информации в ПЗУ данных. Эталонные термограммы, прошитые в ПЗУ прибора. 34
Приложение 4. Контрольный пример и определение точности алгоритма обработки данных. 36
Приложение 5. Результаты измерений загрязненности воздуха. 37
Приложение 6. Результаты определения химического состава газовой смеси. 39
43
риложение 7. Описание и характеристики газового датчика RS 286-620 45
. 45
Приложение 8. Вольт-кодовая характеристика измерительного блока на базе ОУ AD820 . 46
Приложение 9. Описание и характеристики устройства отображения информации. 47
Приложение 10. Расчетные графики зависимости количества носителей заряда от температуры полупроводниковой пленки. 47
Приложение 11. Эталонные термограммы и таблица взаимных корреляций для некоторых веществ. 49
Введение 4
Постановка задачи 4
Возможные пути решения 4
Обзор литературы 6
Что сделано другими разработчиками в этом направлении. 6
Обзор современных полупроводниковых газовых датчиков 6
Обзор микроконтроллеров для обработки сигналов 7
Выбор элементной базы для измерительной части. 7
Выбор устройства отображения информации 8
Описание прибора 9
Описание сенсора RS286-620 9
Физические основы работы прибора. 10
Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры. 14
Принципы обработки сигналов сенсора 16
Гипотеза линейной аддитивности сигналов. 16
Особенности построения алгоритма определения концентраций. 18
Соответствие между термограммами и парциальными проводимостями. 19
Структурная схема и основные элементы прибора 20
Принципы работы прибора. 20
Измерительная часть прибора. 21
Процессорная часть прибора. 22
Блок питания. 23
Устройство отображения информации. 23
Результаты испытаний прибора (термограммы некоторых веществ и смесей) 24
Настройка и калибровка анализатора. 24
Алгоритм работы прибора 27
Заключение 29
Использованная литература. 30
Приложения 32
Приложение 1. Структурная схема прибора. 32
Приложение 2. Принципиальная схема прибора 33
Приложение 3. Принципы хранения информации в ПЗУ данных. Эталонные термограммы, прошитые в ПЗУ прибора. 34
Приложение 4. Контрольный пример и определение точности алгоритма обработки данных. 36
Приложение 5. Результаты измерений загрязненности воздуха. 37
Приложение 6. Результаты определения химического состава газовой смеси. 39
43
риложение 7. Описание и характеристики газового датчика RS 286-620 45
. 45
Приложение 8. Вольт-кодовая характеристика измерительного блока на базе ОУ AD820 . 46
Приложение 9. Описание и характеристики устройства отображения информации. 47
Приложение 10. Расчетные графики зависимости количества носителей заряда от температуры полупроводниковой пленки. 47
Приложение 11. Эталонные термограммы и таблица взаимных корреляций для некоторых веществ. 49
Другие работы
Электропривод прессовых машин
kostak
: 27 августа 2011
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1 Обзор промышленных установок и характеристика применяемого сырья
2 Описание технологического процесса
2.1 Описание технологической схемы
2.2 Описание оборудования
2.3 Краткая характеристика оборудования.
2.3.1 Экструдер с червячным прессом ЧП 90x30 2.3.2 Загрузчик ЗГВ 500
2.3.3 СушилкаСГ-300
2.3.4 Головка трубная ГТ-50/75
2.3.5 Калибратор
2.3.6 Охлаждающая ванна
2.3.7 Толщиномер
2.3.8 Маркиратор
2.3.9 Тянущее устройство
2.3.10 Длиномер
2.3.11 Машина намоточная.
3 Систе
kostak
: 27 августа 2011
10 руб.
Информатика (часть 1) 3 вариант (3 Лабараторных работ)
SashaANG
: 8 января 2019
1)Цель:Получить навыки программирования простых циклических процессов , содержащих разветвляющийся блок в теле цикла. L= .если x<0.5
L =xb+Tg(ax), если х≥0.5
2)Цель: Приобретение навыков разработки алгоритмов формирования и обработки одномерного массива. Закрепление понятий базовых структур цикл, разветвление.
Массив Х [36] целых элементов задать датчиком случайных чисел.
3) Цель:Приобрести навыки разработки программ для обработки симво
SashaANG
: 8 января 2019
1000 руб.
Сети радиодоступа (часть 1). Билет 58
rmn77
: 24 апреля 2019
Экзаменационная работа. Сети радиодоступа (часть 1). Билет 58
Структурная схема и функции основных элементов центра коммутации сообщений
Структурная схема и принцип работы центра аутентификации
rmn77
: 24 апреля 2019
400 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.
kisa7
: 20 июля 2012
Отчет по работе №1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Результаты исследования
1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР)
...
kisa7
: 20 июля 2012
50 руб.
