Этапы преодоления систем защиты программного обеспечения
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
В статье описывается обобщённая процедура анализа и деактивации систем защиты программного обеспечения (ПО) от несанкционированного использования и копирования. Знание методик, которые используются злоумышленниками ('crackers') для преодоления систем программной защиты, позволяет более точно определить слабые места существующих систем, а так же проектировать новые, более устойчивые к атакам 1. Нами предлагается описание унифицированной методики анализа и преодоления систем программной защиты, являющейся результатом обобщения и систематизации многочисленных приёмов "взлома" программ, публикуемых в современной литературе [ 1], а также, доступных в глобальной сети. По итогам проведённого исследования предложен комплексный критерий оценки устойчивости систем защиты программного продукта.
В настоящее время наиболее популярным средством борьбы с нелегальным распространением коммерческих программных продуктов остаётся программная защита их двоичного кода. Существуют системы защиты программного обеспечения разных типов [ 4, 6], все они постоянно развиваются. В то же время, имеются и средства, позволяющие исследовать защищённые программы и отключать системы их защиты [ 5]. В условиях такого динамического равновесия важным фактором, влияющим на стойкость систем защиты, является методическое обеспечение как специалистов по защите ПО, так и злоумышленников.
В настоящее время наиболее популярным средством борьбы с нелегальным распространением коммерческих программных продуктов остаётся программная защита их двоичного кода. Существуют системы защиты программного обеспечения разных типов [ 4, 6], все они постоянно развиваются. В то же время, имеются и средства, позволяющие исследовать защищённые программы и отключать системы их защиты [ 5]. В условиях такого динамического равновесия важным фактором, влияющим на стойкость систем защиты, является методическое обеспечение как специалистов по защите ПО, так и злоумышленников.
Другие работы
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №11. Деталь №2
Чертежи
: 21 марта 2020
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 45. Вариант 11. Задача 2.
Тема: Проекционные виды.
Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры.
В состав работы входят три файла:
– 3D модель детали;
- ассоциативный чертеж в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами;
– обычный чертеж в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и диметрия с коэффициентами 1/0.5/1.
Помогу с д
50 руб.
Природные и техногенные факторы современного развития берегов восточной части Азовского моря
DocentMark
: 26 сентября 2013
Актуальность темы исследования. В последние десятилетия берега восточной части Азовского моря испытывают все возрастающее разрушение вследствие негативного развития природных и техногенных процессов. Резко активизировалась абразия, особенно на участках, где нет пляжей или их ширина недостаточна для гашения энергии штормовых волн. В результате подрезки основания береговых обрывов из лессовидных суглинков широкое развитие получили оползни, обвалы и осыпи. Крутые участки береговых склонов подвержен
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача А-1 Вариант 81
Z24
: 18 января 2026
V1, м³ газа с начальным давлением р1 и начальной температурой t1 сжимается до изменения объема в ε раз (ε=V1/V2).
Сжатие происходит по изотерме, адиабате и политропе с показателем политропы n. Определить массу газа, конечный объем, температуру, работу сжатия, количество отведенной теплоты, изменение внутренней энергии и энтропии газа для каждого из процессов.
Изобразить процессы сжатия в p,υ и T,s — диаграммах.
250 руб.
Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (спец.главы). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант № 6. 2-й семестр.
vindemia
: 13 сентября 2014
1.Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2.Теоретическое введение.
3.Описание лабораторной установки.
Сила тока I = 7мА.
4.Экспериментальные результаты.
Выводы
5.Ответы на контрольные вопросы.
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от 1/T?
3.Вывес
120 руб.