Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1C913C40-09B9-493E-A72D-2BE23C0BB168.doc [ 581 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый, Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 27 июня 2016
174 руб.

Другие работы

Контрольная работа по дисциплине "Бюджетный курс"
Содержание 1. Организация учета затрат на производство и реализацию продукции 2. Составление оперативного бюджета организации Задание. Организация производит две разновидности шкафов для электроаппаратуры, используя в качестве основных материалов сплав А и сплав Б. Учетной политикой предусмотрено применение метода ФИФО. Руководство определило план развития организации на 201Хг. (исходные данные в таблицах 1-4). Необходимо подготовить оперативный бюджет на 201Хг. Должны быть представлены: 1)
СибГУТИ Бухгалтерский учет и аудит Работа Контрольная
User ДО Сибгути : 26 декабря 2015
70 руб.
promo
Породження перестановок ефективним методом
Мета: навчитися робити породження перестановок ефективним методом Теоретичні відомості: Послідовність n! перестановок на множині {1, 2, ..., n}, в якій сусідні перестановки розрізняються так мало, як тільки можливо, - найкраще, на що можна сподіватися з точки зору міні- мізації обсягу роботи, необхідного для породження перестали- вок. Для того щоб така відмінність була мінімально можливим, будь-яка перестановка в нашій послідовності повинна відрізняти- ся від попередньої їй транспозицією двох
Программирование Работа Лабораторная
User SerFACE : 25 мая 2013
20 руб.
Электрический расчёт цифровой схемы. Вариант №32
Содержание Введение 1 Электрический расчёт цифровой схемы 1.1 Электрический расчёт элементов схемы 1.1.1 Комбинация 1110 1.1.2 Комбинация 0111 1.1.3 Комбинация 1001 1.2 Сводные таблицы 1.3 Определение функции, выполняемой схемой 2 Разработка топологии базового элемента 2.1 Расчет размеров всех резисторов 2.2 Расчёт площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы, и выбор подложки. 2.3 Разработка топологии и составление топологического чертежа. Заключение Литература
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User андреi : 8 марта 2014
40 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №1 по дисциплине «Электромагнитные поля и волны». Вариант 08
Плоская электромагнитная волна распространяется в безграничной немаг-нитной среде с относительной диэлектрической проницаемостью и удельной проводимостью . Частота колебаний f ,амплитуда напряженно-сти магнитного поля Нm. Определить: 1. Модуль и фазу волнового сопротивления среды. 2. Сдвиг фаз между составляющими поля Е и Н 3. Коэффициент затухания и фазовую постоянную. 4. Длину волны в среде и расстояние, на котором амплитуда волны за-тухает на 100 дБ. 5. Отношение плотностей тока проводимост
СибГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Контрольная
User Farit : 18 марта 2015
300 руб.
up Наверх