Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
06.11.2012
-
Размер:
581 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
ramzes14
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
1C913C40-09B9-493E-A72D-2BE23C0BB168.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый, Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый, Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Запобігання виразковій хворобі та її рецидивам
alfFRED
: 29 января 2013
ЗМІСТ
Вступ
Основна частина
Розділ 1. Короткі відомості про анатомію і фізіологію шлунка і дванадцятипалої кишки
Розділ 2. Основні ознаки захворювання
Розділ 3. Основні причини виникнення виразкової хвороби
Розділ 4. Запобігання виразковій хворобі Та її рецидивам
4.1 Соціальні та організаційні заходи
4.2 Заходи, спрямовані на покращення харчування та обміну речовин
4.3 Фізичні тренування як засіб профілактичного лікування
4.4 Інші види профілактичного лікування виразкової хвороби
Розділ 5. Спосо
alfFRED
: 29 января 2013
Контроль и ревизия (крв 93)
тантал
: 3 августа 2013
Задание 1 (94)
Вопрос 1
При осуществлении ревизии переоценки основных средств необходимо учитывать, что ПБУ 6/01 «Учет основных средств» предусматривает переоценку объектов основных средств:
1) по состоянию на истекшую дату, например, в течение гола по состоянию на начало года;
2) в конце года по состоянию на 1 января будущего отчетного года;
3) в начале года по состоянию на 1 января истекшего года.
Вопрос 2
К одному из перспективных направлений развития государственного и муниципального финансо
тантал
: 3 августа 2013
100 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 2 Вариант 84
Z24
: 14 декабря 2025
Продукты сгорания из печи установки гидроочистки в количестве G1 при температуре T1 и постоянном давлении нагревают водородосодержащий газ (ВСГ) от температуры t1 до t2. Температура продуктов сгорания на выходе из теплообменного аппарата Т2. Массовый состав продуктов сгорания и ВСГ представлен в таблице 4.
Определить:
— секундный расход ВСГ;
— количество теплоты, переданное продуктами сгорания ВСГ;
— изменение внутренней энергии продуктов сгорания и ВСГ в процессе теплообмена;
— т
Z24
: 14 декабря 2025
180 руб.
Наглядное изображение и комплексный чертеж отрезка. Задание 13 - Вариант 23
.Инженер.
: 18 октября 2026
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Точка, прямая, плоскость и способы преобразования проекций. Проецирование отрезков. Задание 13 - Вариант 23
По заданным координатам отрезка AB построить его наглядное изображение и комплексный чертеж. Определить положение отрезка относительно плоскостей проекций.
В состав работы входит:
Наглядное изображение и комплексный чертеж;
Положение отрезка в пространстве (3D модель).
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
.Инженер.
: 18 октября 2026
100 руб.
