Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6120AC64-21DA-4A3D-9F76-C96016CEA227.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений занести в таблицу

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый, Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
User MK : 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Отведение и очистка сточных вод
Использование накопителей с последующим вывозом сточных вод ассенизационной автоцистерной, при объемах 1-1,5 м3/сутки сточных вод, экономически неприемлемо и организационно сложно (рейсы автоцистерны потребуются каждые 2-5 дней, затраты составят 300-500 рублей за рейс или до 5 тыс. рублей в месяц). Поэтому приходится предусматривать счистку сточных вод на автономных сооружениях. Наиболее просто устраивать эти сооружения, если участок сложен фильтрующими фунтами (песок, супесь), грунтовые воды ра
User DocentMark : 11 марта 2013
5 руб.
Правовое регулирование деятельности холдингов
Введение. Понятие холдинга. Актуальность темы. Правовое регулирование деятельности холдингов налоговым законодательством. Взаимозависимые лица. Дивиденды и налоги. Правовое регулирование деятельности холдингов антимонопольным законодательством. Группа лиц. Аффилированные лица. Антимонопольный контроль. Заключение. Обобщающие выводы. Список использованной литературы.
User Qiwir : 30 марта 2013
10 руб.
Оптимізація діагностики та лікування гнійно-запальних захворювань лиця та шиї
Актуальність теми визначається поширеністю гнійно-запальних захворювань лиця та шиї, які прогресивно збільшуються, збільшується й кількість тяжких форм цього захворювання. Хворі із запальною патологією щелепно-лицьової ділянки складають від 40% до 60% пацієнтів, що звертаються за стоматологічною допомогою (А.А. Тимофеев, 1995; Б.К. Матмуратова, 1996; А.Г. Шаргородский, 1998; Т.Г. Робустова, 2003). За даними щелепно-лицьового відділення Вінницької обласної лікарні ім. М.І. Пирогова у 2000 р. проо
User OstVER : 2 февраля 2013
5 руб.
Задание 58. Вариант 15 - Тело с отверстиями
Возможные программы для открытия данных файлов: WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar) КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d Любая программа для ПДФ файлов. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007. Задание 58. Вариант 15 - Тело с отверстиями (или тело с двойным проницанием) Выполнить в трех проекциях чертеж полого геометрического тела с применением профильного разреза. В определенных вариантах так же на горизонтальной проекции тре
100 руб.
Задание 58. Вариант 15 - Тело с отверстиями
up Наверх