Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6120AC64-21DA-4A3D-9F76-C96016CEA227.doc [ 546 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений занести в таблицу

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2012
Рецензия:Уважаемый, Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.

Другие работы

Социальные и этические вопросы информационных технологий. Вариант №18 ( Социальные, креативные и асоциальные последствия виртуальных игр.)
Контрольная работа выполняется в форме реферата. Темы к контрольной работе 18. Социальные, креативные и асоциальные последствия виртуальных игр. Содержание Введение 4 1. Понятие и сущность виртуальной игры 5 2. Социальные последствия виртуальных игр 7 3. Исследование увлеченности современных подростков виртуальными играми 11 Заключение 16 Список использованных источников 17 Введение На сегодняшний день проблема влияния современных технологий на человека является одной из актуальных, ей пос
СибГУТИ Социальные и этические вопросы информационных технологий Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 8 июля 2020
250 руб.
Гражданские и промышленные здания
Включает графическую и теоретическую части. Контрольная работа 1. Вариант 2. word autocad
Строительство промышленное и гражданское Работа Контрольная
User LISKAM : 13 декабря 2024
2000 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Технология разработки программного обеспечения. Билет №2
Билет №2 1. В чем заключаются основные черты и отличия нисходящего и восходящего тестирования? 2. Какие существуют группы базовых требований к программному обеспечению? В чем их суть? 3. Какие бывают модели процесса создания программного обеспечения, и чем они характеризуются?
Программное обеспечение инфокоммуникационных технологий ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User Учеба "Под ключ" : 18 октября 2016
400 руб.
Устинова Е.В. Основы гидравлики ДВГУПС 2022 Задача 5.4 Вариант 4
Канал перегораживается плоским прямоугольным щитом (рис. 5.2). Глубина воды в канале h, угол наклона щита α. Шарнир находится на высоте a относительно дна канала. Плотность воды ρ = 1000 кг/м³. Требуется определить: Силу тяги T, действующую по перпендикуляру к плоскости щита на 1 м его ширины. Построить эпюру гидростатического давления. Найти точку приложения силы гидростатического давления (от дна). При решении задачи вес щита и трение в шарнире не учитывать. Чертеж выполнить в масш
Задачи Гидравлика
User Z24 : 25 февраля 2026
200 руб.
Устинова Е.В. Основы гидравлики ДВГУПС 2022 Задача 5.4 Вариант 4
up Наверх