Микроэлектроника

Цена:
15 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-26027.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ВВЕДЕНИЕ
Общие сведения о микроэлектронике
Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных приборов, дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств (функциональная микроэлектроника).
Элементная база электроники развивается непрерывно возрастающими темпами. Каждое из приведенных поколений, появившись в определенный момент времени, продолжает совершенствоваться в наиболее оправданных направлениях. Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы, уменьшения габаритных размеров, массы, стоимости и потребляемой энергии, упрощения технологии и улучшения параметров электронной аппаратуры.
Современный этап развития электроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС). Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Число элементов постоянно увеличивается. Разрабатываемые сейчас сложные системы содержат десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризация электронных компонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
Становление микроэлектроники как самостоятельной науки стало возможным благодаря использованию богатого опыта и базы промышленности, выпускающей дискретные полупроводниковые приборы. Однако по мере развития полупроводниковой электроники выяснились серьезные ограничения применения электронных явлений и систем на их основе. Поэтому микроэлектроника продолжает продвигаться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.
Разработка любых ИМС представляет собой довольно сложный процесс, требующий решения разнообразных научно-технических проблем. Вопросы выбора конкретного технологического воплощения ИМС решаются с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, присущих различным способам изготовления, а также технико-экономического обоснования целесообразности массового производства.
Развитие микроэлектроники
Микроэлектроника в Украине развивалась как часть микроэлектронной отрасли бывшего Советского Союза. В 60-х — начале 70-х годов в Киеве был создан и успешно работал мощный центр микроэлектроники - научно-производственное объединение (НПО) "Кристалл" с филиалами в других городах Украины. О масштабе выполненной за восемь лет работы — развертывание научных исследований, создание материальной базы, подбор кадров — убедительно свидетельствуют такие цифры: построено 148 тыс. кв. м. площадей для размеще
User alfFRED : 23 февраля 2013
5 руб.
Туннелирование в микроэлектронике
1. Туннельный эффект……………………………………………………………………………3 2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 2.1 Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5 2.2 Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8 2.3 Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10 2.4 Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12 2.5 Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13 2.6 Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….1
User GnobYTEL : 20 апреля 2012
20 руб.
Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
User Администратор : 19 января 2008
Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257
User Администратор : 19 января 2008
Контрольные вопросы по микроэлектронике
1.4 Контрольные вопросы 1. Объясните выпрямляющие действия р-n перехода 2. Сравните ВАХ p-n перехода реального полупроводникового диода 3. Чем различаются характеристики германиевых и кремневых диодов ? 4. Влияние температуры и концентрации примесей на ВАХ диода 5. Назовите основные виды пробоев p-n переходов. 6. Расскажите, какие физические процессы определяют форму характеристики стабилитрона на разных участках. 7. Каковы основные области применения диодов. 8. Назовите основные параметры полуп
User anderwerty : 6 мая 2014
70 руб.
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике
Введение ….………………………………………………………… 3 Электрохимическая обработка металлов ………………. 3 Электрохимическое обезжиривание …………………….. 4 Электрохимическое травление ……………………………. 4 Электрохимическое полирование ………………………… 5 Электрохимическое осаждение …………………………… 6 Нанесение на поверхность изделий металлических покрытий …………………………………………………………... 6 Меднение ……………………………………………………….. 7 Никелирование ………………………………………………… 8 Оловынирование ……………………………………………… 8 Серебрение ……
User VikkiROY : 20 октября 2012
70 руб.
Курсовая работа по микроэлектронике. Вариант №2
Цель работы : Изучить режим работы биполярного транзистора КТ817В в схеме с общим эмиттером. Определить оптимальный режим по постоянному току при усилении гармонического сигнала.
User anderwerty : 6 мая 2014
100 руб.
Расчет электроснабжения микрорайона города
Введение 3 Задание 4 1. Определение расчётных нагрузок согласно генерального плана. 7 1.1 Расчет электрических нагрузок на вводах в жилые дома 7 1.2 Расчет электрических нагрузок на вводах в общественные здания 12 2. Расчет суммарной нагрузки условного микрорайона 13 2.1 Определение расчетной нагрузки условного жилого дома с ГП 13 2.2 Определение расчетной нагр
User ProjectIM : 13 апреля 2010
Место и роль копенгагенских критериев во вступлении Турции в Европейский Союз
В настоящее время процесс региональной и субрегиональной интеграции в Европе вынуждает сопредельные с Европейским Союзом государства использовать новые концепции и подходы при решении проблем внутренней и внешней политики. Исходя из универсальных ценностных ориентиров Запада, стратегия всеобщего преобразования сфокусирована на создании гражданского общества, правового государства и рыночной экономики. Турция по уровню своего социально-политического, торгово-экономического, административного и к
User Elfa254 : 12 сентября 2013
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 3 Вариант 10
Для передачи наверх и контроля уровня топлива в открытом подземном резервуаре использован дифференциальный манометр, заполненный ртутью, плотность которой ρрт=13,6 т/м³. Определить высоту столба ртути h2, если разность уровней топлива в указателе и резервуаре h м. Как изменится положение уровня в указателе при понижении уровня топлива в резервуаре на Δh м?
User Z24 : 30 декабря 2026
150 руб.
Гидрогазодинамика ТПУ Задача 3 Вариант 10
Общая теория связи. Вариант №4
Тема 1. Спектральное представление сигналов на выходе нелинейных цепей Задание 1 На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение Вольтамперная характеристика полевого транзистора аппроксимируется полиномом где iс - ток стока; u - напряжение на затворе транзистора. Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.1 Номер варианта 04 Таблица 1.1. Вариант a0, мА a1, мА/В a2, (мА/В)2 f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В 4 6 8 2.7 4 1 0.
User erboollat : 11 марта 2018
100 руб.
up Наверх