Микроэлектроника
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ВВЕДЕНИЕ
Общие сведения о микроэлектронике
Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных приборов, дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств (функциональная микроэлектроника).
Элементная база электроники развивается непрерывно возрастающими темпами. Каждое из приведенных поколений, появившись в определенный момент времени, продолжает совершенствоваться в наиболее оправданных направлениях. Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы, уменьшения габаритных размеров, массы, стоимости и потребляемой энергии, упрощения технологии и улучшения параметров электронной аппаратуры.
Современный этап развития электроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС). Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Число элементов постоянно увеличивается. Разрабатываемые сейчас сложные системы содержат десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризация электронных компонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
Становление микроэлектроники как самостоятельной науки стало возможным благодаря использованию богатого опыта и базы промышленности, выпускающей дискретные полупроводниковые приборы. Однако по мере развития полупроводниковой электроники выяснились серьезные ограничения применения электронных явлений и систем на их основе. Поэтому микроэлектроника продолжает продвигаться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.
Разработка любых ИМС представляет собой довольно сложный процесс, требующий решения разнообразных научно-технических проблем. Вопросы выбора конкретного технологического воплощения ИМС решаются с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, присущих различным способам изготовления, а также технико-экономического обоснования целесообразности массового производства.
Общие сведения о микроэлектронике
Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных приборов, дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств (функциональная микроэлектроника).
Элементная база электроники развивается непрерывно возрастающими темпами. Каждое из приведенных поколений, появившись в определенный момент времени, продолжает совершенствоваться в наиболее оправданных направлениях. Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы, уменьшения габаритных размеров, массы, стоимости и потребляемой энергии, упрощения технологии и улучшения параметров электронной аппаратуры.
Современный этап развития электроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС). Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Число элементов постоянно увеличивается. Разрабатываемые сейчас сложные системы содержат десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризация электронных компонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
Становление микроэлектроники как самостоятельной науки стало возможным благодаря использованию богатого опыта и базы промышленности, выпускающей дискретные полупроводниковые приборы. Однако по мере развития полупроводниковой электроники выяснились серьезные ограничения применения электронных явлений и систем на их основе. Поэтому микроэлектроника продолжает продвигаться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.
Разработка любых ИМС представляет собой довольно сложный процесс, требующий решения разнообразных научно-технических проблем. Вопросы выбора конкретного технологического воплощения ИМС решаются с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, присущих различным способам изготовления, а также технико-экономического обоснования целесообразности массового производства.
Похожие материалы
Развитие микроэлектроники
alfFRED
: 23 февраля 2013
Микроэлектроника в Украине развивалась как часть микроэлектронной отрасли бывшего Советского Союза. В 60-х — начале 70-х годов в Киеве был создан и успешно работал мощный центр микроэлектроники - научно-производственное объединение (НПО) "Кристалл" с филиалами в других городах Украины. О масштабе выполненной за восемь лет работы — развертывание научных исследований, создание материальной базы, подбор кадров — убедительно свидетельствуют такие цифры: построено 148 тыс. кв. м. площадей для размеще
5 руб.
Туннелирование в микроэлектронике
GnobYTEL
: 20 апреля 2012
1. Туннельный эффект……………………………………………………………………………3
2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
2.1 Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5
2.2 Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8
2.3 Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10
2.4 Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12
2.5 Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13
2.6 Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….1
20 руб.
Основы микроэлектроники
Администратор
: 19 января 2008
Основы микроэлектроники
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Один из лучших учебников по электронике
Основы микроэлектроники
Администратор
: 19 января 2008
Основы микроэлектроники
Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257
Контрольные вопросы по микроэлектронике
anderwerty
: 6 мая 2014
1.4 Контрольные вопросы
1. Объясните выпрямляющие действия р-n перехода
2. Сравните ВАХ p-n перехода реального полупроводникового диода
3. Чем различаются характеристики германиевых и кремневых диодов ?
4. Влияние температуры и концентрации примесей на ВАХ диода
5. Назовите основные виды пробоев p-n переходов.
6. Расскажите, какие физические процессы определяют форму характеристики стабилитрона на разных участках.
7. Каковы основные области применения диодов.
8. Назовите основные параметры полуп
70 руб.
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
10 руб.
Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике
VikkiROY
: 20 октября 2012
Введение ….…………………………………………………………
3
Электрохимическая обработка металлов ……………….
3
Электрохимическое обезжиривание ……………………..
4
Электрохимическое травление …………………………….
4
Электрохимическое полирование …………………………
5
Электрохимическое осаждение ……………………………
6
Нанесение на поверхность изделий металлических покрытий …………………………………………………………...
6
Меднение ………………………………………………………..
7
Никелирование …………………………………………………
8
Оловынирование ………………………………………………
8
Серебрение ……
70 руб.
Курсовая работа по микроэлектронике. Вариант №2
anderwerty
: 6 мая 2014
Цель работы :
Изучить режим работы биполярного транзистора КТ817В в схеме с общим эмиттером. Определить оптимальный режим по постоянному току при усилении гармонического сигнала.
100 руб.
Другие работы
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 4.9 Вариант в
Z24
: 6 октября 2025
С помощью насоса вода подается в напорный бак на высоту Н, по трубе диаметром d, длиной l (рис. 4.9). Показание манометров: в начале трубопровода рман1, в конце рман2.
Определить, при каком коэффициент сопротивления пробкового крана ζкр будет обеспечен расход Q.
Абсолютная шероховатость трубы Δ; коэффициент кинематической вязкости воды ν=1·10-6 м²/c.
180 руб.
Типология современных политических систем
alfFRED
: 19 января 2014
Содержание
Введение
1. Политическая система общества. Понятие
1.1. Структура политических систем
1.2 Функции политической системы.
2. Типология современных политических систем
3. Политическая система Российского общества.
Заключение
Список литературы
Введение
В последние десятилетия мир стал свидетелем впечатляющих изменений. Многое, из того, что устоялось в жизни целых поколений, пришло в движение - экономический уклад, идеология, политические отношения, государство, право. Задаются новые пара
10 руб.
Угрозы существования западной цивилизации
OstVER
: 23 февраля 2013
Содержание Введение 1. Рождаемость и смертность. Реальность и прогнозы 2. Смерть Запада и ее причины 3. Пути спасения от смерти. Их последствия 4. Способы борьбы с массовой иммиграцией 16 Заключение 18 Список литературы 19 I век ассоциируют с наступлением цивилизационной войны, в которой евро-антантической цивилизации противостоят цивилизации «второго» и «третьего» миров.
В отличие от предыдущих войн, последняя ведется без применения оружия (если не считать локальных вооруженных конфликтов). Он
5 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 2 Вариант 5
Z24
: 9 ноября 2025
Сложное движение точки
По заданному уравнению вращения φ = f1(t) тела А и уравнению движения s = ОМ = f1(t) точки М относительно тела А определить абсолютную скорость и абсолютное ускорение точки М в момент времени t = t1. Схема к задаче и исходные данные к ней определяются в соответствии с шифром по рис. К2.0–К2.9 и таблице К2. Точка М показана в направлении положительного отсчета координаты s. Положительное направление отсчета угла φ указано стрелкой.
250 руб.