Микроэлектроника

Цена:
15 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-26027.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ВВЕДЕНИЕ
Общие сведения о микроэлектронике
Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько поколений элементной базы: дискретная электроника электровакуумных приборов, дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств (функциональная микроэлектроника).
Элементная база электроники развивается непрерывно возрастающими темпами. Каждое из приведенных поколений, появившись в определенный момент времени, продолжает совершенствоваться в наиболее оправданных направлениях. Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы, уменьшения габаритных размеров, массы, стоимости и потребляемой энергии, упрощения технологии и улучшения параметров электронной аппаратуры.
Современный этап развития электроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС). Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Число элементов постоянно увеличивается. Разрабатываемые сейчас сложные системы содержат десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризация электронных компонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
Становление микроэлектроники как самостоятельной науки стало возможным благодаря использованию богатого опыта и базы промышленности, выпускающей дискретные полупроводниковые приборы. Однако по мере развития полупроводниковой электроники выяснились серьезные ограничения применения электронных явлений и систем на их основе. Поэтому микроэлектроника продолжает продвигаться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.
Разработка любых ИМС представляет собой довольно сложный процесс, требующий решения разнообразных научно-технических проблем. Вопросы выбора конкретного технологического воплощения ИМС решаются с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, присущих различным способам изготовления, а также технико-экономического обоснования целесообразности массового производства.
Развитие микроэлектроники
Микроэлектроника в Украине развивалась как часть микроэлектронной отрасли бывшего Советского Союза. В 60-х — начале 70-х годов в Киеве был создан и успешно работал мощный центр микроэлектроники - научно-производственное объединение (НПО) "Кристалл" с филиалами в других городах Украины. О масштабе выполненной за восемь лет работы — развертывание научных исследований, создание материальной базы, подбор кадров — убедительно свидетельствуют такие цифры: построено 148 тыс. кв. м. площадей для размеще
User alfFRED : 23 февраля 2013
5 руб.
Туннелирование в микроэлектронике
1. Туннельный эффект……………………………………………………………………………3 2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 2.1 Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5 2.2 Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8 2.3 Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10 2.4 Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12 2.5 Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13 2.6 Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….1
User GnobYTEL : 20 апреля 2012
20 руб.
Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
User Администратор : 19 января 2008
Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257
User Администратор : 19 января 2008
Контрольные вопросы по микроэлектронике
1.4 Контрольные вопросы 1. Объясните выпрямляющие действия р-n перехода 2. Сравните ВАХ p-n перехода реального полупроводникового диода 3. Чем различаются характеристики германиевых и кремневых диодов ? 4. Влияние температуры и концентрации примесей на ВАХ диода 5. Назовите основные виды пробоев p-n переходов. 6. Расскажите, какие физические процессы определяют форму характеристики стабилитрона на разных участках. 7. Каковы основные области применения диодов. 8. Назовите основные параметры полуп
User anderwerty : 6 мая 2014
70 руб.
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике
Введение ….………………………………………………………… 3 Электрохимическая обработка металлов ………………. 3 Электрохимическое обезжиривание …………………….. 4 Электрохимическое травление ……………………………. 4 Электрохимическое полирование ………………………… 5 Электрохимическое осаждение …………………………… 6 Нанесение на поверхность изделий металлических покрытий …………………………………………………………... 6 Меднение ……………………………………………………….. 7 Никелирование ………………………………………………… 8 Оловынирование ……………………………………………… 8 Серебрение ……
User VikkiROY : 20 октября 2012
70 руб.
Курсовая работа по микроэлектронике. Вариант №2
Цель работы : Изучить режим работы биполярного транзистора КТ817В в схеме с общим эмиттером. Определить оптимальный режим по постоянному току при усилении гармонического сигнала.
User anderwerty : 6 мая 2014
100 руб.
Архитектура телекоммуникационных систем и сетей лаб1-2
Лабораторная работа №1 ЭФФЕКТИВНОЕ КОДИРОВАНИЕ НА ПРИМЕРЕ КОДА ХАФФМЕНА Лабораторная работа №2 ЦИКЛИЧЕСКИЕ КОДЫ Новосибирск год 2024г. вариант 3 Проверил: Мелентьев О.Г - зачтено.
User s800 : 7 ноября 2025
200 руб.
Архитектура телекоммуникационных систем и сетей лаб1-2
Дискретная математика Контрольная работа Вариант №1
I. Задано универсальное множество и множества Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна. II. Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение. “Если оперативная память правильно установлена в контрольный компьютер, и он при запуске не выдает ошибки при проверке оперативной памяти, то оперативная память исправна”. III. Для булевой функции найти методом преобразования минимальную ДНФ.
User Mozhfamily : 13 сентября 2017
400 руб.
Химическая промышленность мира
Химическая промышленность, наряду с машиностроением, относится к числу ведущих отраслей как в отдельных развитых странах, так и в мировом хозяйстве в целом. Она возникла задолго до начала НТР, и по формальным признакам ее следовало бы отнести в лучшем случае к новым отраслям производства. Однако во второй половине XX в. в этой отрасли произошли такие революционные изменения, которые позволяют причислить ее к разряду новейших. Для химической промышленности характерны высокие затраты на НИОКР, пос
User evelin : 24 сентября 2013
5 руб.
Масляный насос КамАЗ. Чертеж общего вида
Чертеж масляного насоса сделан в компас 16. Также есть вариант в автокаде.
User Laguz : 16 марта 2024
250 руб.
Масляный насос КамАЗ. Чертеж общего вида
up Наверх