Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Электроника_экзамен.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.

1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют
Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дистанционное обучение СибГУТИ

Дополнительная информация

Билет 12, ДО СибГУТИ. Оценка-Отлично.
Экзаменационная работа по электронике. Билет № 12. (4-й семестр)
Вопрос №1: Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Задача №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Задача №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выхо
User Jack : 27 марта 2013
130 руб.
promo
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №12
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведит
User Roma967 : 12 декабря 2015
350 руб.
promo
Экзаменационная работа по дисциплине: "Электроника". Билет №12
Вопрос №1: Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Задача №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Задача №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходн
User wowan1190 : 8 декабря 2013
90 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
User nikodum : 15 января 2011
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. (4-й семестр).
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
User ua9zct : 18 марта 2015
50 руб.
Экзамен, Сетевые приложения операционных систем. билет №12, 4 семестр
БИЛЕТ 12 1. Протокол TCP. Функции. Форматы. TCP-сеансы. 2. Протокол NetBIOS. Организация обменов на базе NetBIOS. Основные операции взаимодействия. 3. Формат регистра статуса линии COM-порта. Процедура вывода символа в COM-порт.
User Andreas74 : 12 июня 2019
150 руб.
Экзамен, Сетевые приложения операционных систем. билет №12, 4 семестр
Метрология, стандартизация и сертификация в инфокоммуникациях Экзамен
Задача 01.1. Оцените абсолютную и относительную погрешности измерения сопротивления R и оформите результат измерения в соответствии с нормативными документами в двух формах выражения погрешности, если при измерении сопротивления R, падение напряжения на нем U=13 В, ток, протекающий через это сопротивление, I=9 мА. Пределы допускаемых относительных погрешностей измеренных напряжения и тока равны соответственно δU=4,3% и δI=1,2 % Задача 01.2. Определить показание вольтметра среднеквадратических
User Саша78 : 18 марта 2020
200 руб.
Складання технологічної схеми розбирання запобіжного клапана з розробкою технологічної карти на відновлення стакана
Вступ.....................................................................................................................3 1.Схема атомної теплоелектроцентралі …………………… .............................. 4 2. Розробка технологічного процесу розбирання запобіжного клапа .................12 2.1. Демонтаж – монтаж запобіжного клапана..................................................12 2.2. Розбирання запобіжного клапа-на.................................................................
User GnobYTEL : 27 сентября 2014
250 руб.
Складання технологічної схеми розбирання запобіжного клапана з розробкою технологічної карти на відновлення стакана
Контрольная работа.Основы инфокоммуникационных технологий.Реферат.Вариант №25(1 семестр)
Реферат по теме "Автоматические телефонные станции. Возможности современных АТС." 29 страниц. Введение____________________________3 1.Электросвязь ______________________4 Принцип электросвязи ____________5 Классификация электросвязи ______5 2.Автоматические телефонные станции__10 Машинные и декадно-шаговые АТС ___11 Координатные АТС__________________12 Квазиэлектронные и электронные АТС_15 3.Возможности современных АТС_________21 ЦАТС "Протон - ССС" серии "Алмаз
User Shaevg : 15 января 2015
150 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.6 Вариант 3
Прямоугольный поворотный щит (рис.1.3) шириной В=4 м и высотой Н закрывает выпускное отверстие плотины. Справа от щита уровень воды Н1, слева Н2, плотность воды ρ=1000 кг/м³. 1 Определить начальную силу Т натяжения троса, необходимую для открытия щита, если пренебречь трением в цапфах. 2 С какой силой Р щит прижимается к порогу А в закрытом положении, если принять, что по боковым сторонам щита опоры отсутствуют? 3 Построить результирующую эпюру гидростатического давления на щит, предвар
User Z24 : 22 ноября 2025
220 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.6 Вариант 3
up Наверх