Резисторы

Содержание
Введение …………………………………………………………………………. 4
1. Исходные данные для проектирования …………………………………....... 6
1.1. Схемотехнические параметры …….…………………………………....... 6
1.2. Конструктивно – технологические данные для проектирования .………. 6
2. Обзор литературы по теме курсового проекта ………………………….... 12
2.1. Классификация интегральных микросхем и их сравнение ………….... 12
2.2. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем16
3. Расчёт полупроводниковых резисторов ………………………………….... 18
3.1. Общие сведения об изготовлении полупроводниковых резисторов …. 18
3.2. Порядок расчёта полупроводниковых резисторов …………………….. 22
3.3. Расчёт полупроводниковых резисторов ………………………………... 26
4. Проектирование топологии ИМС ………………………………………….. 28
5. Выводы о проделанной работе ……………………………………………... 35
Список используемой литературы…………………………………………….. 36

Введение
Поскольку ИС, подобно электронной лампе или транзистору, представляет собой' конструктивно единое целое, выполняет определенную функцию и должна удовлетворять определенным требованиям при испытаниях, поставках и эксплуатации, она относится к разряду электронных приборов. Однако по сравнению с диодом, транзистором и т, п. ИС является качественно новым типом прибора.